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비휘발성 메모리 소자를 이용한 저전압 차지 펌프 회로

  • 기술번호 : KST2015184941
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기적으로 문턱 전압 조절이 가능한 비휘발성 메모리 소자를 전하 전달 소자로 이용하여 전기 적인 방법으로 전하 전달소자의 문턱 전압을 조절함으로써, 차지 펌프 회로의 출력 전압을 증가시킬 수 있도록 하는 비휘발성 메모리 소자를 이용한 저전압용 차지 펌프 회로에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 비휘발성 메모리 소자를 이용한 저전압용 차지 펌프 회로는 전원 전압을 입력받는 전원 전압 입력부와, 상기 전원 전압 입력부와 연결되어 전원 전압을 펌핑하여 출력하는 다수의 전하 전달 소자와, 상기 각각의 전하 전달 소자에 연결되며 캐패시터로 이루어지는 다수의 전하 저장 소자, 및 상기 다수의 전하 저장 소자에 상호 상보적인 클럭을 발생시키는 접속되는 클럭 드라이버를 포함하여 이루어지는 차지 펌프 회로에 관한 것으로, 상기 전하 전달 소자는 부유 게이트와 제어 게이트와 프로그램 게이트 노드 및 소오스 및 드레인을 포함하고 상기 프로그램 게이트 노드에 인가되는 전압에 의해 소자의 전기적인 문턱 전압 조절을 하는 비휘발성 메모리 소자로 이루어지고 상기 제어 게이트와 드레인이 직접 연결되어 다이오드 커넥션을 통해 전기적으로 접속되며, 상기 전하 저장 소자와 전하 전달 소자 사이에는 상기 비휘발성 메모리 소자를 통한 문턱 전압 조절시 상기 전하 저장 소자에 의해 상기 비휘발성 메모리 소자의 유효 커플링 비율 변화하는 것을 방지하는 트랜스미션 게이트가 전기적으로 더 접속되어 구성된다. 비휘발성 메모리, 프로그램 게이트, 문턱 전압, 차지 펌프 회로
Int. CL G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/00 (2006.01)
CPC G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01) G11C 16/30(2013.01)
출원번호/일자 1020060072272 (2006.07.31)
출원인 충북대학교 산학협력단, 충청북도
등록번호/일자 10-0804705-0000 (2008.02.12)
공개번호/일자 10-2008-0011819 (2008.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20080218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.31)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
2 충청북도 대한민국 충청북도 청주시 상당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나기열 대한민국 충북 청주시 흥덕구
2 신윤수 대한민국 충북 청주시 흥덕구
3 박근형 대한민국 충청북도 청주시 상당구
4 최호용 대한민국 충북 청주시 흥덕구
5 김영석 대한민국 충북 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
2 충청북도 대한민국 충청북도 청주시 상당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0551640-89
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2006.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0901491-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0038795-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0385756-52
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0672814-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0672811-84
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0010454-73
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0033591-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.09.18 수리 (Accepted) 4-1-2012-5196458-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
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번호 청구항
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전원 전압을 입력받는 전원 전압 입력부와,상기 전원 전압 입력부에 연결되어 전원 전압을 펌핑하여 출력하는 다수의 전하 전달 소자와,상기 각각의 전하 전달 소자에 연결되며 캐패시터로 이루어지는 다수의 전하 저장 소자, 및상기 다수의 전하 저장 소자에 상호 상보적인 클럭을 전달하는 클럭 드라이버를 포함하여 이루어지는 차지 펌프 회로에 있어서, 상기 전하 전달 소자는;부유 게이트와 제어 게이트와 프로그램 게이트 노드 및 소오스 및 드레인을 포함하고 상기 프로그램 게이트 노드에 인가되는 전압에 의해 소자의 전기적인 문턱 전압 조절을 하는 비휘발성 메모리 소자로 이루어지고 상기 제어 게이트와 드레인이 직접 연결되어 다이오드 커넥션을 통해 전기적으로 접속되며, 상기 전하 저장 소자와 전하 전달 소자 사이에는;상기 비휘발성 메모리 소자를 통한 문턱 전압 조절시 상기 전하 저장 소자에 의해 상기 비휘발성 메모리 소자의 유효 커플링 비율 변화하는 것을 방지하는 트랜스미션 게이트가 전기적으로 더 접속되되, 상기 비휘발성 메모리 소자는;접지 연결되는 기판과,전원 입력단인 제 1 드레인과 전원 출력단인 제 1 소오스와,상기 기판 상에 형성된 제 1 부유 게이트와,상기 제 1 부유 게이트 상에 형성되며 상기 드레인에 전기적으로 연결되어 다이오드 커넥션을 형성하는 제어 게이트와,상기 제 1 소오스 및 제 1 드레인 일측에 형성되는 제 2 소오스 및 제 2 드레인을 포함하여 구성되어, 상기 제 2 소오스 및 제 2 드레인 사이에 공급되는 전압에 의해 상기 제 1 부유 게이트 내부의 전하량을 조정하여 소자의 문턱 전압을 조절하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자를 이용한 저전압 차지 펌프 회로
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제 1항에 있어서,상기 제 1 소오스 및 제 1 드레인은;상기 비휘발성 메모리 소자 동작 도중에 발생하는 열전자에 의해 상기 비휘발성 메모리 소자의 문턱 전압이 변화하는 것을 방지하기 위하여 소오스 및 드레인의 금속 콘택 영역으로 갈수록 단계적으로 도핑 농도가 증가하도록 형성됨을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자를 이용한 저전압 차지 펌프 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.