맞춤기술찾기
이전대상기술
반도체 소자 및 그의 제조방법
- 기술번호 : KST2015185437
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 도핑 농도를 조정해서 이중의 일함수(Dual Work Function)를 갖는 게이트전극을 구비함으로써, 높은 트랜스 컨덕턴스(gm)와 낮은 드레인 컨덕턴스(gds)를 갖으며, 숏채널 효과를 줄일 수 있는 반도체 소자 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 반도체 소자는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 서로 다른 도핑 농도를 갖음에 의해서 이중의 일함수를 갖도록 제 1, 제 2 영역으로 나뉘어 구성된 게이트전극과, 상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체 기판에 형성된 소오스/드레인 영역을 포함하여 이루어진 것에 그 특징이 있다.게이트전극, 일함수, 도핑 농도, NMOS, PMOS |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/336 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060061961 (2006.07.03) |
| 출원인 | 충북대학교 산학협력단, 충청북도 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0003556 (2008.01.08) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 포기 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.07.03) |
| 심사청구항수 | 31 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 충북대학교 산학협력단 | 대한민국 | 충청북도 청주시 서원구 |
| 2 | 충청북도 | 대한민국 | 충청북도 청주시 상당구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김영석 | 대한민국 | 충북 청주시 흥덕구 |
| 2 | 나기열 | 대한민국 | 충북 청주시 흥덕구 |
| 3 | 박근형 | 대한민국 | 충북 청주시 상당구 |
| 4 | 최호용 | 대한민국 | 충북 청주시 흥덕구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 윤의상 | 대한민국 | 충청북도 청주시 흥덕구 풍산로 **, 충북중소기업종합지원센타 *층 한울국제특허법률사무소 (가경동) |
| 2 | 심창섭 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소) |
| 3 | 김용인 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0476400-45 |
| 2 | 전자문서첨부서류제출서 Submission of Attachment to Electronic Document |
2006.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5053900-46 |
| 3 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2006.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0500734-98 |
| 4 | 출원인변경신고서 Applicant change Notification |
2006.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0907334-17 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.03.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.04.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0019650-99 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.04.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0207367-75 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.09.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5196458-75 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5103343-45 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.06.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5081402-70 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5086612-26 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149268-82 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에, 서로 다른 도핑 농도를 갖음에 의해서 이중의 일함수를 갖도록 제 1, 제 2 영역으로 나뉘어 구성된 게이트전극; 및상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체 기판에 형성된 소오스/드레인 영역을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극의 제 1, 제 2 영역에는 동일 도전형의 불순물 이온이 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극은 폴리실리콘층으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 상기 소오스영역에 인접하고, 상기 제 2 영역은 상기 드레인영역에 인접한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 영역의 도핑 농도가 상기 제 2 영역의 도핑 농도보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 영역에 제 1 도전형 불순물 이온이 주입될 경우, 상기 제 1 영역의 일함수가 상기 제 2 영역의 일함수보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 7 |
7 제 4 항에 있어서, 상기 제 1, 제 2 영역에 제 2 도전형 불순물 이온이 주입될 경우, 상기 제 1 영역의 일함수가 상기 제 2 영역의 일함수보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 8 |
8 제 6 항이나 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 n형이고, 제 2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 9 |
9 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 서로 다른 도핑 농도를 갖음에 의해서 제 1 영역의 일함수가 제 2 영역의 일함수보다 크게 구성된 게이트전극; 및 상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체 기판에 형성된 소오스/드레인 영역을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 상기 소오스영역에 인접하고, 상기 제 2 영역은 상기 드레인영역에 인접한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 제 2 영역보다 저농도의 제 1 도전형 불순물 이온이 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 12 |
12 제 9 항에 있어서, 상기 소오스/드레인 영역에는 고농도의 제 1 도전형 불순물 이온이 도핑되고, 상기 반도체 기판은 제 2 도전형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 n형이고, 제 2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 14 |
14 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 서로 다른 도핑 농도를 갖음에 의해서 제 1 영역의 일함수가 제 2 영역의 일함수보다 작게 구성된 게이트전극; 및 상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체 기판에 형성된 소오스/드레인 영역을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 상기 소오스영역에 인접하고, 상기 제 2 영역은 상기 드레인영역에 인접한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 16 |
16 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 영역은 제 2 영역보다 저농도의 제 2 도전형 불순물 이온으로 도핑된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 17 |
17 제 14 항에 있어서, 상기 소오스/드레인 영역은 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온으로 도핑되고, 상기 반도체기판은 제 1 도전형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 18 |
18 제 16 항이나 제 17 항에 있어서, 상기 제 1 도전형은 n형, 제 2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 |
| 19 |
19 반도체 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 도핑 농도를 조절하여 제 1 영역의 일함수가 제 2 영역의 일함수보다 크도록 상기 게이트절연막상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체 기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 20 |
20 제 19 항에 있어서, 상기 게이트전극의 형성은, 상기 반도체기판 상에 도핑되지 않은 게이트전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 게이트전극 및 그 양측의 상기 반도체기판에 저농도의 제 1 도전형 불순물 이온을 주입하는 단계; 상기 게이트전극의 제 1 영역이 마스킹되고 제 2 영역이 오픈되는 마스크를 사용하여, 전면에 상기 제 1 영역보다 고농도의 제 1 도전형 불순물 이온을 주입하는 단계를 통하여 제조됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 21 |
21 제 19 항에 있어서, 상기 게이트전극의 형성은, 상기 반도체기판 상에 저농도의 제 1 도전형 불순물이 도핑된 게이트전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 게이트전극 및 그 양측의 상기 반도체기판에 저농도의 제 1 도전형 불순물 이온을 주입하는 단계; 상기 게이트전극의 제 1 영역이 마스킹되고 제 2 영역이 오픈되는 마스크를 사용하여, 전면에 상기 제 1 영역보다 고농도의 제 1 도전형 불순물 이온을 주입하는 단계를 통하여 제조됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 22 |
22 제 20 항이나 제 21 항에 있어서, 상기 저농도 제 1 도전형 불순물 이온을 주입한 후, 상기 게이트전극 양측면에 측벽절연막을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 23 |
23 제 20 항이나 제 21 항에 있어서, 상기 고농도의 제 1 도전형 불순물 이온을 주입할 때, 상기 소오스/드레인 영역이 동시에 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 24 |
24 제 20 항 또는 제 21 항에 있어서, 상기 게이트전극의 제 1 영역이 소오스영역에 인접하고, 상기 제 2 영역이 드레인영역에 인접할 때, 상기 반도체기판은 제 2 도전형으로 구성되고, 상기 제 1 도전형은 n형이고, 제 2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 25 |
25 반도체 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 도핑 농도를 조절하여 제 1 영역의 일함수가 제 2 영역의 일함수보다 작도록 상기 게이트절연막상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체 기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 26 |
26 제 25 항에 있어서, 상기 게이트전극의 형성은, 상기 반도체기판 상에 도핑되지 않은 게이트전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 패터닝된 게이트전극 및 그 양측의 상기 반도체기판에 저농도의 제 2 도전형 불순물 이온을 주입하는 단계; 상기 게이트전극의 제 1 영역이 마스킹되고 제 2 영역이 오픈되는 마스크를 사용하여, 전면에 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온을 주입하는 단계를 통하여 제조됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 27 |
27 제 25 항에 있어서, 상기 게이트전극의 형성은, 상기 반도체기판 상에 저농도의 제 2 도전형 불순물이 도핑된 게이트전극을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 게이트전극 및 그 양측의 상기 반도체기판에 저농도의 제 2 도전형 불순물 이온을 주입하는 단계; 상기 게이트전극의 제 1 영역이 마스킹되고 제 2 영역이 오픈되는 마스크를 사용하여, 전면에 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온을 주입하는 단계를 통하여 제조됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 28 |
28 제 26 항이나 제 27 항에 있어서, 상기 저농도 제 2 도전형 불순물 이온을 주입한 후, 상기 게이트전극 양측면에 측벽절연막을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 29 |
29 제 26 항이나 제 27 항에 있어서, 상기 고농도의 제 2 도전형 불순물 이온을 주입할 때, 상기 소오스/드레인 영역이 동시에 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 30 |
30 제 26 항 또는 제 27 항에 있어서, 상기 게이트전극의 제 1 영역이 소오스영역에 인접하고, 상기 제 2 영역이 드레인영역에 인접할 때, 상기 반도체기판은 제 1 도전형으로 구성되고, 상기 제 1 도전형은 n형이고, 제 2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 31 |
31 제 19 항이나 제 25 항에 있어서, 상기 게이트전극은 폴리실리콘층으로 형성함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.07.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0476400-45 |
| 2 | 전자문서첨부서류제출서 | 2006.07.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-5053900-46 |
| 3 | 서지사항보정서 | 2006.07.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0500734-98 |
| 4 | 출원인변경신고서 | 2006.12.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0907334-17 |
| 5 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.03.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 6 | 선행기술조사보고서 | 2007.04.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0019650-99 |
| 7 | 등록결정서 | 2007.04.19 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0207367-75 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.09.18 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5196458-75 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5103343-45 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.06.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5081402-70 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5086612-26 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149268-82 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1340004482 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 4 |
| 연구과제명 | 충북BIT연구중심대학육성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 충북대학교 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200604~200703 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
| [1020070017310] | 컴퓨터 그래픽 시스템에서의 동영상의 반사 효과 처리 방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020070007118] | 적응형 파이프라인을 적용한 병렬 처리 프로세서 구조 | 새창보기 |
| [1020070004695] | 고속 공개키 암호시스템의 고속 곱셈 역원 방법 및 시스템 | 새창보기 |
| [1020070001537] | 전송선과 스위칭수를 줄이는 하이브리드 터너리 인코딩 전송 방법 및 이 방법을 이용하는 래퍼 회로 | 새창보기 |
| [1020060137803] | 간섭 및 반향신호 제거를 위한 다단계 암묵 디콘볼루션 방법 | 새창보기 |
| [1020060137799] | 캡슐 내시경의 자세 측정 방법 및 이 방법을 수행하기 위한시스템 | 새창보기 |
| [1020060133643] | 호장근 추출물 및 그의 제조방법과 알레르기 질환의치료제로서 그의 용도 | 새창보기 |
| [1020060117014] | 내시경 영상의 변환 장치 및 방법 | 새창보기 |
| [1020060115791] | 시공간 협동 다이버시티 중계 통신 시스템 | 새창보기 |
| [1020060115612] | 광학센서를 이용한 운동기구 제어 장치 | 새창보기 |
| [1020060115353] | 이동체 추적 시스템 | 새창보기 |
| [1020060115076] | ＳＦＴＣ-ＯＦＤＭ 통신 시스템 및 그의 수신장치 | 새창보기 |
| [1020060114231] | 고압의 바람과 농약을 동시에 뿌리는 농약 분무기 | 새창보기 |
| [1020060112583] | 캡슐 내시경의 내장 모델링 및 자세 측정 방법 및 이 방법을 수행하기 위한 시스템 | 새창보기 |
| [1020060112582] | 캡슐 내시경의자세 측정 방법 및 이 방법을 수행하기 위한 시스템 | 새창보기 |
| [1020060112581] | 근접점 방법을 이용한 캡슐형 내시경의 위치측정 방법 및시스템 | 새창보기 |
| [1020060101917] | 크로만-2-카복실산 아릴아마이드 유도체, 그 제조방법 및이를 포함하는 ＮＦ-κＢ 저해제 | 새창보기 |
| [1020060090364] | 운동량 제어 장치 | 새창보기 |
| [1020060083396] | 세포 신호전달을 억제하는 쿠르쿠민 화합물과 그 유도체 및그들의 용도 | 새창보기 |
| [1020060072272] | 비휘발성 메모리 소자를 이용한 저전압 차지 펌프 회로 | 새창보기 |
| [1020060071747] | 런닝머신 속도 조절장치 및 그 제어방법 | 새창보기 |
| [1020060061961] | 반도체 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020060052093] | 강화약쑥 추출물을 포함하는 염증성 장질환의 예방 및 치료를 위한 약학조성물 | 새창보기 |
| [1020060015316] | 고주파 반도체 수동 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020060008963] | 플래시 메모리 소자, 이의 제조 방법 및 이의 구동 방법 | 새창보기 |
| [1020050121884] | 단일 폴리 이이피롬 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020050112993] | 길이 가변형 샘플 셀을 갖는 ＣＯ２ 가스 측정 장치 | 새창보기 |
| [1020050045212] | 면역활성을 갖는 가시오가피 다당체 추출물을 함유하는식품첨가제 및 식품 | 새창보기 |
| [1020040094919] | 감식초 함유 기능성 화장료 조성물 | 새창보기 |
| [1020040051665] | 수신단 기반의 패킷 손실 복구 장치 및 그 방법 | 새창보기 |
| [1020040036494] | 음나무 추출물을 함유하는 퇴행성 중추신경계 질환 증상의개선을 위한 기능성 식품 | 새창보기 |
| [1020040036492] | 퇴행성 중추신경계 질환의 예방 및 치료용 약학적 조성물 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2015185051][충북대학교] | 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015185017][충북대학교] | 상온 동작 단전자 나노소자 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015185491][충북대학교] | 고전압 MOSFET 및 이의 제조방법과 문턱전압이하 험프 개선 방법 | 새창보기 |
| [KST2015185500][충북대학교] | 상온에서 동작하는 듀얼 게이트 단전자 논리 소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015185050][충북대학교] | 상온동작 단전자 소자의 제작방법 | 새창보기 |
| [KST2015185128][충북대학교] | 병렬 연결된 다중양자점 소자의 구조 | 새창보기 |
| [KST2015185213][충북대학교] | 표준 ＣＭＯＳ 공정을 이용한 바이씨모스 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015185058][충북대학교] | 이중 일함수 게이트를 갖는 ＣＭＯＳ 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|