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상온동작 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015185452
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 상온동작 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 나노구조물을 이용한 실리사이드 양자점을 형성하여 그 상부에 게이트가 위치하도록 형성함으로써, 게이트에 의해 터널링 장벽에 미치는 영향을 최소화하여 효과적인 양자점의 전위제어 및 작동효율을 향상할 수 있는 상온동작 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.단전자, 트랜지스터, 양자점, 나노구조물, 실리사이드 |
|---|---|
| Int. CL | B82B 1/00 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/15 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01) |
| CPC | H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) H01L 27/14612(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090010087 (2009.02.09) |
| 출원인 | 충북대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1536778-0000 (2015.07.08) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0090878 (2010.08.18) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20150716) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2014.01.24) |
| 심사청구항수 | 17 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 충북대학교 산학협력단 | 대한민국 | 충청북도 청주시 서원구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최중범 | 대한민국 | 충청북도 청주시 흥덕구 |
| 2 | 신 승 준 | 대한민국 | 강원 평창군 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김정현 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신명빌딩)(한맥국제특허법률사무소) |
| 2 | 특허법인 아이퍼스 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 충북대학교 산학협력단 | 대한민국 | 충청북도 청주시 서원구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.02.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0077390-87 |
| 2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2011.05.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0362432-73 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5130765-52 |
| 4 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2012.07.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0595186-78 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0075488-78 |
| 6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2014.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0074370-11 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5103343-45 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.01.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0036050-17 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.03.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0252218-55 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.03.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0252219-01 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.06.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5081402-70 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.06.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0433882-33 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5086612-26 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149268-82 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제1유전층(10) 및 도전층(20)이 순차적으로 적층된 SOI기판의 상기 도전층(20)을 식각하여 나노구조물(21)을 형성하는 제1단계(S100);상기 나노구조물(21)이 덮이도록 제2유전층(30)을 증착하는 제2단계(S200);상기 제2유전층(30) 일부를 식각하여 상기 나노구조물(21)의 일부가 노출되도록 트랜치(31)를 형성하는 제 3단계(S300);상기 트랜치에 드러난 상기 나노구조물(21)을 식각하여 양자점(211)을 형성하는 제4단계(S400);상기 제2유전층(30), 상기 트랜치(31) 및 상기 양자점 상부에 금속물질을 증착하여 금속막(50)을 형성하는 제5단계(S500);상기 금속막(50)과 상기 양자점(211)을 열처리과정을 통해 실리사이드 양자점(212)을 형성하는 제6단계(S600);상기 양자점(211)과 반응하지 않은 상기 금속막(50)을 제거하는 제7단계(S700);상기 금속막(50)이 제거된 상부면과 상기 실리사이드 양자점(212)에 제3유전층(40)을 증착하는 제8단계(S800);상기 제3유전층(40)이 증착된 상기 트랜치(31)에 게이트(60)를 충전하는 제9단계(S900);를 포함한 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 제 8단계(S800)는 상기 제2유전층(30)을 완전히 제거 또는 일부만 제거한 후 상기 제3유전층(40)을 증착한 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 3 |
3 제 2항에 있어서,상기 제9단계는 상기 게이트(60)에 측벽 스페이서(S)를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제9단계는 상기 게이트(60)와 측벽 스페이서(S)를 마스크로 불순물을 주입하여 소오스와 드레인을 형성하는 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서,상기 제1유전층(10), 상기 제2유전층(30) 및 상기 제3유전층(40)은 산화막 또는 절연막인 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서,상기 도전층(20)은 실리콘인 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서,상기 나노구조물(21)은 포토 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피 방식으로 패턴 형성 후 건식식각공정을 통하여 폭이 1~50㎚이고 길이가 1~500㎚로 형성한 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서,상기 트랜치(31)는 포토 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피 방식으로 1~50nm 폭을 형성한 후 건식식각을 이용한 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서,상기 제3유전층(40)은 증착공정, 열산화공정 또는 열산화공정 후 증착공정으로 형성한 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서,상기 게이트(60)의 재질은 0 |
| 10 |
10 제 3항 또는 제 9항에 있어서,상기 불순물은 P, As 또는 B인 것을 특징으로 하는 상온에서 동작하는 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 11 |
11 제 1항에 있어서,상기 제1유전층(10)의 저부에 하부게이트로 이용되는 하부도전층(100)이 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 12 |
12 제 1항에 있어서,상기 금속막(50)의 금속물질은 코발트 또는 실리콘과 반응하는 금속물질인 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 13 |
13 제 1항에 있어서,상기 금속막(50)은 두께가 0 |
| 14 |
14 제 1항에 있어서,상기 실리사이드 양자점(212)은 전자빔 리소그래피방식, RTA방식 및 Furnace에 의한 열처리방식 중 어느 하나를 이용하여 형성한 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 15 |
15 제 1항에 있어서,상기 제7단계(S700)에서 상기 양자점(211)과 반응하지 않은 상기 금속막(50)은 황산과 과산화수소의 혼합용액에 의하여 제거한 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 16 |
16 제 1항에 있어서,상기 실리사이드 양자점(212)은 직경이 1~10nm로 1~50개 직렬 또는 병렬로 형성한 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터의 제조방법 |
| 17 |
17 제 1항에 의한 제조방법으로 제조한 것을 특징으로 하는 상온동작 단전자 트랜지스터 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN101946326 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | JP23512668 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | KR100966009 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 4 | KR101017814 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 5 | US08158538 | US | 미국 | FAMILY |
| 6 | US20100327260 | US | 미국 | FAMILY |
| 7 | US20100330751 | US | 미국 | FAMILY |
| 8 | WO2009102165 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 9 | WO2009102165 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN101946326 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN101946326 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
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| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
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| 특허 등록번호 | 10-1536778-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090209 출원 번호 : 1020090010087 공고 연월일 : 20150716 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150629 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 상온동작 단전자 트랜지스터 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 충북대학교 산학협력단 충청북도 청주시 서원구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2015년 07월 08일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 207,000 원 | 2018년 06월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 213,210 원 | 2019년 08월 01일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 207,000 원 | 2020년 07월 07일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.02.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0077390-87 |
| 2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2011.05.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0362432-73 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5130765-52 |
| 4 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2012.07.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0595186-78 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0075488-78 |
| 6 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2014.01.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0074370-11 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5103343-45 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2015.01.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0036050-17 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.03.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0252218-55 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.03.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0252219-01 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.06.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5081402-70 |
| 12 | 등록결정서 | 2015.06.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0433882-33 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5086612-26 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.07.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5149268-82 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345097964 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 03-2006-12-001-00 |
| 연구과제명 | SETLogic소자개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 충북대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200007~201003 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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