맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

이중 일함수 게이트를 갖는 모스 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015185048
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이중 일함수 게이트를 갖는 모스 트랜지스터 및 그 제조방법에 대해 개시한다. 개시된 본 발명의 모스 트랜지스터는, 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 형성되는 링 형태의 이중 일함수 게이트, 및 상기 이중 일함수 게이트 양측에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역을 포함한다. 상기 이중 일함수 게이트는 상기 소스 영역에 인접하는 제 1 게이트 및 상기 드레인 영역에 인접하는 제 2 게이트를 포함하며, 상기 제 1 게이트의 불순물 농도가 상기 제 2 게이트의 불순물 농도보다 낮게 구성된다. 이때, 제 1 및 제 2 게이트는 스페이서 형태의 단면을 갖는다. DWFG, 스페이서, 일함수
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/22 (2006.01)
CPC H01L 29/4983(2013.01) H01L 29/4983(2013.01) H01L 29/4983(2013.01) H01L 29/4983(2013.01) H01L 29/4983(2013.01)
출원번호/일자 1020080075975 (2008.08.04)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0981114-0000 (2010.09.02)
공개번호/일자 10-2010-0015071 (2010.02.12) 문서열기
공고번호/일자 (20100908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.04)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 나기열 대한민국 충청북도 청원군
2 최문호 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
3 김영석 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성남 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **(문정동) 에이치비즈니스파크 C동 ***호(에스엔케이특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0559072-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065646-08
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0237483-04
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0480678-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0480677-41
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0342914-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
반도체 기판 상에 희생 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생 패턴 측벽에 스페이서 방식으로 제 1 게이트를 형성하는 단계; 상기 제 1 게이트 측벽에 스페이서 방식으로 제 2 게이트를 형성하는 단계; 상기 희생 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 반도체 기판에 불순물을 주입하여, 상기 제 1 게이트의 일측에 소스 영역을 형성하고, 상기 제 2 게이트 타측에 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 게이트의 증착 두께에 의해 제 1 및 제 2 게이트의 선폭이 결정되는 모스 트랜지스터의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 게이트를 형성하는 단계는, 상기 희생 패턴이 형성된 반도체 기판 상부에 제 1 게이트 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 게이트 도전층을 상기 희생 패턴 상면이 노출되도록 비등방성 식각하는 단계를 포함하는 모스 트랜지스터의 제조방법
11 11
제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 게이트를 형성하는 단계는, 상기 제 1 게이트 및 상기 희생 패턴이 형성된 상기 반도체 기판 상부에 제 2 게이트 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 게이트 도전층을 상기 희생 패턴 상면이 노출되도록 비등방성 식각하는 단계를 포함하는 모스 트랜지스터의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 제 1 게이트 도전층은 상기 제 2 게이트 도전층보다 불순물 농도가 낮은 물질인 모스 트랜지스터의 제조방법
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 희생 패턴을 제거하는 단계와, 상기 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계 사이에, 상기 제 1 및 제 2 게이트 측벽에 절연 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 모스 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.