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고전압 MOSFET 및 이의 제조방법과 문턱전압이하 험프 개선 방법

  • 기술번호 : KST2015185491
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전압 MOSFET 및 이의 제조방법과 문턱전압이하 험프 개선 방법에 관한 것으로서, 격리 영역과 채널 영역으로 구분되어 있는 반도체 기판과, 격리 영역의 상부 코너(Top Corner)에서 게이트 일함수가 국부적으로 변경되어 형성된 게이트와, 채녈 영역에 형성된 소스 및 드레인을 포함하고, 이의 제조방법에 있어, 반도체 기판에 격리 영역과 채널 영역으로 구분 형성하고, 격리 영역을 포함한 채널 영역 상에 형성된 게이트에 이온 도핑한 후, 소스 및 드레인을 형성시, 격리 영역의 상부 코너(Top Corner)에 게이트 일함수가 국부적으로 변경된 불순물을 이온 주입한다. 본 발명에 따르면, 고전압 MOSFET의 게이트 일함수를 국부적으로 조절하여 기생 트랜지스터의 문턱전압을 높임으로써 기생 트랜지스터의 동작을 제한하여 문턱전압이하 험프를 제거할 수 있고, 역협채널폭효과와 단채널효과도 개선되어 소자 스케일링도 가능하다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/783(2013.01) H01L 29/783(2013.01)
출원번호/일자 1020140047932 (2014.04.22)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0122295 (2015.11.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.22)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백기주 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 김영석 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원성수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)
2 박종경 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)
3 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0381427-48
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0544047-25
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0090209-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0346012-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0690959-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0690921-96
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0669774-23
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
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번호 청구항
1 1
격리 영역과 채널 영역으로 구분되어 있는 반도체 기판;상기 격리 영역의 상부 코너(Top Corner)에서 게이트 일함수가 국부적으로 변경되어 형성된 게이트; 및상기 채녈 영역에 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 고전압 MOSFET
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트 일함수의 변경은,상기 게이트의 상보적인 소자의 소스/드레인(Source/Drain) 이온 주입을 통해 이루어지는 고전압 MOSFET
3 3
반도체 기판에 격리 영역과 채널 영역으로 구분 형성하는 단계;상기 격리 영역을 포함한 상기 채널 영역 상에 형성된 게이트에 이온 도핑하는 단계; 및소스 및 드레인을 형성시, 상기 격리 영역의 상부 코너(Top Corner)에 게이트 일함수가 국부적으로 변경된 불순물을 이온 주입하는 단계를 포함하는 고전압 MOSFET의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 게이트 일함수의 변경은,상기 게이트의 상보적인 소자의 소스/드레인(Source/Drain) 이온 주입을 통해 이루어지는 고전압 MOSFET의 제조방법
5 5
고전압 MOSFET의 문턱전압이하의 험프(Hump)를 제거하기 위해, 채널 영역 양단에서 게이트 일함수를 국부적으로 변경하여 문턱전압을 높이는 고전압 MOSFET의 문턱전압이하 험프 개선 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 게이트 일함수의 변경은, 게이트의 상보적인 소자(N형 소자일 때 P형, P형 소자일 때 N형)의 소스/드레인(Source/Drain) 이온 주입을 이용하는 고전압 MOSFET의 문턱전압이하 험프 개선 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 충북대학교 컴퓨터정보통신연구소 일반연구자지원사업 0.5V 아날로그 IP 및 바이오 센서 IC 개발