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반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015186821
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 (Gate), 웰(Well) 등의 4단자를 갖는 MOSFET 구조에서 상기 게이트 위에 수직으로 오버레이 게이트(Overlay Gate)를 형성하여 게이트의 저항을 변화시켜서 반도체 소자의 특성, 특히 초고주파 특성의 조절을 쉽게 할 수 있으며, 게이트 저항을 감소시켜서 초고주파 특성을 개선시킬 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 21/823493(2013.01) H01L 21/823493(2013.01)
출원번호/일자 1020030082637 (2003.11.20)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0554160-0000 (2006.02.15)
공개번호/일자 10-2005-0048895 (2005.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20060222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.11.20)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정윤하 대한민국 경상북도포항시남구
2 이희덕 대한민국 대전광역시유성구
3 김대만 미국 서울특별시동대문구
4 김지활 대한민국 충청남도홍성군
5 김영욱 대한민국 서울특별시강남구
6 강희성 대한민국 경기도성남시분당구
7 이순도 대한민국 서울특별시강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2003-0438201-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2005-0041754-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0362415-46
5 의견서
Written Opinion		 2005.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0538225-59
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0538227-40
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0045979-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 형성된 웰(well);상기 기판 또는 상기 웰에 형성된 다수개의 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택;상기 게이트 상에 상기 게이트와 수직방향으로 형성된 오버레이(overlay) 게이트를 포함하고, 상기 소스, 드레인, 게이트 및 웰콘택은 MOS 소자를 형성하고, 상기 오버레이 게이트는 상기 게이트와 동일한 재료로 형성되고, 상기 오버레이 게이트가 다수개의 라인 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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3 3
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4 4
삭제
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반도체 기판에 활성영역으로서 웰(well) 영역을 형성하는 단계;상기 웰 영역에 다수개의 소스, 게이트, 드레인 및 웰콘텍으로 이루어지는 MOS 소자를 형성하는 단계; 및상기 게이트 상에 상기 게이트와 수직방향으로 오버레이(overlay) 게이트를 형성하는 단계를 포함하고,상기 오버레이 게이트는 상기 게이트와 동일한 재료로 형성되고,상기 오버레이 게이트가 다수개의 라인 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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7 7
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8 8
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9 8
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.