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비정질 실리콘 옥사이드 나노선의 제조방법 및 이로부터제조된 나노선

  • 기술번호 : KST2015186887
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 니켈 염과 극성 용매로 이루어진 용액을 실리콘 기판에 도포하는 단계, 및 상기 도포된 실리콘 기판을 1000℃ 내지 1200℃의 온도 조건에서 반응시키는 단계를 포함하는 실리콘 옥사이드 나노선의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판을 실리콘의 공급원으로 사용할 수 있기 때문에 기체상태나 고체상태의 추가적인 실리콘 원료가 필요하지 않고, 촉매를 기판에 도포하고, 가열하는 간단한 방법만을 통해서 고순도, 고밀도의 실리콘 옥사이드 나노선을 제조할 수 있고, 이렇게 제조된 실리콘 옥사이드 나노선은 비 전도성 및 청색발광 물질로서 광학특성이 우수하여 나노 전자소자, 광소자, 환경에너지관련 소자와 같은 나노소자로 이용될 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C01B 33/12(2013.01) C01B 33/12(2013.01) C01B 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020040076908 (2004.09.24)
출원인 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-0670767-0000 (2007.01.11)
공개번호/일자 10-2006-0027968 (2006.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20070117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.09.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 용기중 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박병태 대한민국 대구광역시 수성구
3 류용환 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국지식재산연구원 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0437544-83
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2004.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-5167255-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0003344-79
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0118346-16
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0306851-25
7 의견서
Written Opinion		 2006.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0306850-80
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2006.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0500358-70
9 의견서
Written Opinion		 2006.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0723896-94
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0723897-39
11 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0762634-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
니켈 염과 극성 용매로 이루어진 용액을 실리콘 기판에 도포하는 단계, 및 상기 도포된 실리콘 기판을 1000℃ 내지 1200℃의 온도 조건에서 반응시키는 단계를 포함하는 실리콘 옥사이드 나노선의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 니켈 염이 니켈 나이트라이트 헥사하이드라이트(Ni(NO3)2)·6H2O), 니켈 클로라이드 헥사하이드하이트(NiCl2·6H2O), 및 니켈 플루라이드 테트라하이드라이트(NiF2·4H2O) 중 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 극성 용매가 메탄올 및 에탄올 중 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 도포하는 단계가 상기 실리콘 기판을 상기 용액에 침지한 후, 70℃ 이상에서 10분 이상 건조시키는 것으로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 반응 온도 승온 개시 전부터 반응 종료 후까지 계속 불활성 기체가 주입되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 용액의 농도가 0
7 7
제 6항에 있어서, 상기 불활성 기체가 헬륨 및 아르곤 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 6항에 있어서, 상기 반응 동안의 불활성 기체의 유량이 400 내지 500 sccm인 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 기판이 실리콘 옥사이드 나노선의 원료로 사용되는 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 직경 50 내지 150 nm 의 실리콘 옥사이드 나노선
11 11
삭제
12 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.