| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
코어 나노입자; 및 상기 코어 나노입자의 표면에 리간드로서 고정된 양이온성 MCC(metal-chalcogenide compound);를 포함하는 표면안정화된 나노입자
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서, 상기 양이온성 MCC는 Zn2S2, Zn2Se2, Zn2Te2, Cu2S2, Cu2Se2, Cu2Te2, Mn2S2, Mn2Se2, Mn2Te2, Fe2S2, Fe2Se2, Fe2Te2, Co2S2, Co2Se2, Co2Te2 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자
|
| 5 |
5
제 3 항에 있어서, 상기 코어 나노입자는, 양자점, 금속 나노결정(metal nanocrystal : NC), 자성 나노결정(magnetic NC), 산화물 나노결정(oxide NC), 나노와이어, 또는 나노플레이트인 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb; SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe; Si, Ge, SiC, SiGe 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서, 상기 양자점은 코어-쉘 구조 또는 코어-쉘-쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자
|
| 8 |
8
제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 표면안정화된 나노입자; 및 상기 표면안정화된 나노입자가 분산되어 있는 분산매;를 포함하는,표면안정화된 나노입자 콜로이드
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 분산매는 에탄올아민, DMSO(Dimethyl sulfoxide), DMF(Dimethylformamide), 포름아미드, 물, 하이드라진, 또는 하이드라진 수화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자 콜로이드
|
| 10 |
10
칼코겐 원소와 NaBH4를 반응시켜 나트륨-칼코게나이드 화합물을 생성하는 단계; 상기 나트륨-칼코게나이드 화합물과 금속 과염소산염을 반응시켜, 금속-칼코게나이드의 과염소산염을 생성하는 단계; 및상기 금속-칼코게나이드 과염소산염을 에탄올아민과 반응시켜, 금속-칼코게나이드 화합물을 생성하는 단계;를 포함하는,양이온성 금속-칼코게나이드 화합물 제조방법
|
| 11 |
11
제 10 항에 있어서, 상기 금속 과염소산염이, 과염소산 아연, 과염소산 주석, 과염소산 인듐, 과염소산 안티모니, 과염소산 나트륨, 과염소산 은, 과염소산 철, 과염소산 포타슘, 과염소산 마그네슘, 과염소산 바륨, 과염소산 칼슘, 과염소산 카드뮴, 과염소산 알루미늄, 과염소산 망간, 과염소산 백금, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 양이온성 금속-칼코게나이드 화합물 제조방법
|
| 12 |
12
제1 유기용매 중의 제1 유기 리간드를 갖는 나노입자의 분산액인 제1 분산액을 제공하는 단계;제2 유기용매 중의 양이온성 금속-칼코게나이드 화합물의 용액인 제2 용액을 제조하는 단계; 상기 제1 분산액과 상기 제2 용액을 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계; 및상기 혼합 용액을 교반하여 상기 나노입자의 상기 제1 유기 리간드를 상기 양이온성 금속-칼코게나이드 화합물로 교환하는 단계;를 포함하는,표면안정화된 나노입자의 제조방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서, 상기 양이온성 금속-칼코게나이드 화합물은 Zn2S2, Zn2Se2, Zn2Te2, Cu2S2, Cu2Se2, Cu2Te2, Mn2S2, Mn2Se2, Mn2Te2, Fe2S2, Fe2Se2, Fe2Te2, Co2S2, Co2Se2, Co2Te2, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자의 제조방법
|
| 14 |
14
제 12 항에 있어서, 상기 제1 유기 리간드는 TOP(trioctylphosphine), TOPO(trioctylphosphine oxide), 올레산(oleic acid), 올레일아민(oleylamine), 옥틸아민(octylamine), 트리옥틸아민(trioctyl amine), 헥사데실아민(hexadecylamine), 옥탄티올(octanethiol), 도데칸티올(dodecanethiol), 헥실포스폰산(HPA), 테트라데실포스폰산(TDPA), 옥틸포스핀산(OPA) 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자의 제조방법
|
| 15 |
15
제 12 항에 있어서, 상기 제1 유기용매는 시클로헥산, 헥산, 클로로폼, 톨루엔, 옥탄, 클로로벤젠 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자의 제조방법
|
| 16 |
16
제 12 항에 있어서, 상기 나노입자는, 양자점, 금속 나노결정(metal nanocrystal : NC), 자성 나노결정(magnetic NC), 산화물 나노결정(oxide NC), 나노와이어, 또는 나노플레이트인 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자의 제조방법
|
| 17 |
17
제 16 항에 있어서, 상기 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, CdHgZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe; GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb; SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe, SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe; Si, Ge, SiC, SiGe 또는 이들의 조합인 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자의 제조방법
|
| 18 |
18
제 16 항에 있어서, 상기 양자점은 코어-쉘 구조 또는 코어-쉘-쉘 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자의 제조방법
|
| 19 |
19
제 12 항에 있어서, 상기 혼합 용액은 상기 제1 분산액으로부터의 제1 유기용매 층과 상기 제2 용액으로부터의 제2 유기용매 층으로 상분리(phase separation)되는 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자의 제조방법
|
| 20 |
20
제 12 항에 있어서, 상기 제2 유기용매는 에탄올아민, DMSO(Dimethyl sulfoxide), DMF(Dimethylformamide), 포름아미드, 물, 하이드라진, 하이드라진 수화물 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 표면안정화된 나노입자의 제조방법
|
