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나노입자가 포함된 고분자 나노로드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014022896
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노입자가 포함된 고분자 나노로드 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 나노입자가 포함된 고분자 나노로드 및 그 제조방법은 (a) 다공성 양극산화 알루미늄 막의 한쪽 면을 무기 재료로 증착시키는 단계; (b) 알루미늄 주형 내에 증착을 시킨 무기재료와 같은 재료로써 나노로드를 성장시키는 단계; (c) 상기 나노로드 위에 금(Au) 나노로드를 성장시키는 단계; (d) 다공성 양극산화 알루미늄 주형 내에 나노입자가 포함된 전도성 고분자 나노로드를 중합하는 단계; (e) 다공성 양극산화 알루미늄 주형을 에칭용액을 사용하여 주형을 제거하는 단계; 및 (f) 상기 증착 및 나노로드로 성장시킨 무기재료를 질산에 녹여서 금이 한쪽 말단에 부착된 나노로드를 얻는 단계; 를 포함하는 나노입자가 포함된 고분자 나노로드의 제조방법에 관한 것이다. 나노로드, 고분자-나노입자 복합체, 전기화학 증착법
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020080009411 (2008.01.30)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0939021-0000 (2010.01.20)
공개번호/일자 10-2009-0083547 (2009.08.04) 문서열기
공고번호/일자 (20100127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재호 대한민국 경기 성남시 분당구
2 강원석 대한민국 경기도 광명시 광
3 김효섭 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 김진호 대한민국 경기도 이천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영관 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 *** , *층(논현동, 태원빌딩)(명성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0077356-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2009-0044741-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0475046-67
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0720203-74
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0720209-47
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0021761-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5000672-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 다공성 양극산화 알루미늄 막의 한쪽 면을 무기 재료로 증착시키는 단계; (b) 알루미늄 주형 내에 증착을 시킨 무기재료와 같은 재료로써 나노로드를 성장시키는 단계; (c) 상기 나노로드 위에 금(Au) 나노로드를 성장시키는 단계; (d) 상기 주형 내에 나노입자가 포함된 전도성 고분자 나노로드를 중합하는 단계; (e) 다공성 양극산화 알루미늄 주형을 에칭용액을 사용하여 주형을 제거하는 단계; 및 (f) 상기 증착 및 나노로드로 성장시킨 무기재료를 질산에 녹여서 금이 한쪽 말단에 부착된 나노로드를 얻는 단계; 를 포함하는 나노입자가 포함된 고분자 나노로드의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 무기재료는 은(Ag), 구리(Cu) 및 백금(Pt)로 이루어지는 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 나노입자가 포함된 고분자 나노로드의 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리인돌 및 폴리티오펜으로 이루어지는 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 나노입자가 포함된 고분자 나노로드의 제조방법
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 나노입자는 CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS 및 CdTe를 포함하는 반도체 물질, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 및 폴리아크릴레이트를 포함하는 고분자 입자, 및 Au, Ag, Cu, Ni, Pd, Ti, Al, Co, 및 Fe를 포함하는 무기재료로 이루어지는 군으로부터 선택됨을 특징으로 하는 나노입자가 포함된 고분자 나노로드의 제조방법
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서,나노로드의 직경은 100 nm 이하임을 특징으로 하는 나노입자가 포함된 고분자 나노로드의 제조방법
6 6
상기 제 1항 또는 제 2항의 어느 한 항에 의하여 제조되는, 직경이 100nm 이하이고, 전도성 고분자는 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리인돌 및 폴리티오펜으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 무기재료는 은(Ag), 구리(Cu) 및 백금(Pt)로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 균일한 형상의 1차원적 구조를 가지는 한쪽 말단에 금이 부착된 고분자 나노로드
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.