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탄소나노튜브 랑뮈에-블라제 박막을 사용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 줄기세포의 성장 및 분화 조절

  • 기술번호 : KST2015187608
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 컨택 프린팅법 또는 리프트-오프(lift-off)법을 이용하여 탄소나노튜브 랑뮈에-블라제(Langmuir-Blodgett, LB)박막을 기판에 패터닝하는 것을 포함하는 패턴 기판의 제조방법 및 상기 패턴을 통한 줄기세포의 성장 및 분화 조절에 관한 것이다. 본 발명에 의할 시 몰드의 부탈착만으로 간단하게 제조가 가능하며, 곡면에도 패턴 형성이 가능하여 다양한 형태의 기판에 대하여 패턴 형성이 가능하고, 또한 다양한 모양의 패턴 형성이 가능하여 다양한 산업적 응용이 가능하다. 또한 본 발명은 소프트 리소그래피 기법을 이용한 탄소나노튜브 랑뮈에-블라제 박막의 패턴화를 통해 줄기세포의 성장 및 분화 조절을 가능하게 함으로써, 단시간에 줄기세포의 성장이 가능하며, 분화도가 우수한 특성을 나타낸다.
Int. CL C12N 5/00 (2006.01) C12M 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140009076 (2014.01.24)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0024025 (2014.02.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100048661   |   2010.05.25
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0049772 (2011.05.25)
관련 출원번호 1020110049772
심사청구여부/일자 Y (2014.01.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재호 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이광 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 심우영 대한민국 경기도 안양시 만안구
4 이재혁 대한민국 충청북도 청원군
5 이민수 대한민국 충청북도 청원군
6 강원석 대한민국 경기도 광명시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0078245-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0276401-78
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0566637-68
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0583721-49
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0692729-37
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0803077-48
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0903438-40
8 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2014.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0168693-73
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-1013123-11
10 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
2014.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0769701-90
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1134599-89
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1134598-33
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0216362-24
14 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent
2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
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번호 청구항
1 1
(a) 소프트 리소그래피의 마이크로 컨택 프린팅법을 이용하여 탄소나노튜브 랑뮈에-블라제(Langmuir-Blodgett, LB) 박막을 기판에 패턴화하는 단계; 및(b) 상기 패턴 상에서 줄기세포를 배양하는 단계를 포함하는 줄기세포의 성장 및 분화 조절 방법
2 2
(a) 소프트 리소그래피의 리프트-오프(lift-off)법을 이용하여 탄소나노튜브 랑뮈에-블라제(Langmuir-Blodgett, LB) 박막을 기판에 패턴화하는 단계; 및 (b) 상기 패턴 상에서 줄기세포를 배양하는 단계를 포함하는 줄기세포의 성장 및 분화 조절 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 컨택 프린팅법은 양각 및 음각으로 패턴된 몰드에 탄소나노튜브 LB 박막을 전이하고, 전이된 박막을 기판에 접촉시켜 양각에 전이된 박막을 다시 기판에 전이하는 것임을 특징으로 하는 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 리프트-오프법은 탄소나노튜브 LB 박막을 기판에 전체적으로 전이한 후, 양각 및 음각으로 패턴된 몰드에 전이하여 기판에 전이된 박막을 떼어내는 것임을 특징으로 하는 방법
5 5
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 LB 박막을 몰드에 전이하거나, 기판에 전이할 때 탄소나노튜브 LB박막과 몰드 또는 기판을 접촉시킨 후, 70 ~ 90 ℃의 온도에서 3 ~ 10분 가열하는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 폴리스티렌(Polystyrene, PS), 실리콘, 유리, 용융실리카, 석영, 플라스틱 또는 폴리디메틸실록산(PDMS)인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 몰드는 폴리디메틸실록산(PDMS)인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 몰드에서 단량체와 실록산계 경화제의 중량비가 1 : 0
9 9
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 몰드는 선형, 곡선형, 사각형 또는 원형을 이형하도록 패턴된 것인 방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 패턴은 폭이 1 ~ 10 ㎛이고 간격이 1 ~ 10 ㎛인 선형이 각도를 달리하여 교차된 것인 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 교차된 패턴은 전도 채널로 이용되는 것인 방법
12 12
제 2 항에 있어서, 상기 패턴은 전도 채널로 이용되는 것인 방법
13 13
제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 단계 (B)는 분화 전 줄기세포의 전도 채널에 인가된 전압에 의한 전류의 세기보다 분화된 신경세포의 전도채널에 인가된 동일한 전압에 의한 전류의 세기가 더 크도록 배양하는 것인 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 KR1020110129364 KR 대한민국 FAMILY

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1 KR20110129364 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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