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아연 칼코게나이드(zinc chalcogenide)를 용매에 용해시켜 아연 칼코게나이드 용액을 제조하는 단계(S10);상기 아연 칼코게나이드 용액을 기판에 도포하는 단계(S20);상기 도포된 아연 칼코게나이드 용액을 건조하는 단계(S30); 및상기 단계(S30)를 거친 상기 기판을 산소의 존재하에 어닐링하는 단계(S40)를 포함하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연 칼코게나이드는 p형 반도체인 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연 칼코게나이드는 ZnTe, ZnSe, ZnS 또는 이들의 조합을 포함하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용매는 히드라진, 히드라진 수화물, 메틸 히드라진, 디메틸 히드라진, 에틸렌디아민, 1,3-디아미노프로판, 페닐렌디아민, 에틸아민, 프로필아민, 디에틸아민, 또는 이들의 조합을 포함하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S10)는 아연 칼코게나이드의 차원 축소(dimensional reduction)에 의해 수행되는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 단계(S10)는,상기 용매에 칼코겐을 용해시켜 칼코겐 용액을 얻는 단계(S10-1);상기 칼코겐 용액에 상기 아연 칼코게나이드를 첨가하여 제1 슬러리를 얻는 단계(S10-2);상기 제1 슬러리를 가열하여 상기 아연 칼코게나이드를 상기 칼코겐 용액에 용해시킴으로써 아연 칼코게나이드 용액을 포함하는 제2 슬러리를 얻는 단계(S10-3); 및 상기 제2 슬러리를 여과하여 제1 아연 칼코게나이드 용액을 얻는 단계(S10-4)를 포함하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 칼코겐은 Te, Se, S 또는 이들의 조합을 포함하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 단계(S10-3)는 70~200℃의 온도에서 수행되는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 단계(S10)는,상기 제1 아연 칼코게나이드 용액을 과량의 세정용매에 첨가하여 아연 칼코게나이드가 침전되어 있는 제3 슬러리를 얻는 단계(S10-5);상기 제3 슬러리를 여과하여 상기 침전된 아연 칼코게나이드를 분리하는 단계(S10-6); 및상기 분리된 아연 칼코게나이드를 상기 용매에 용해시켜 제2 아연 칼코게나이드 용액을 제조하는 단계(S10-7)를 더 포함하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 세정용매는 메탄올, 에탄올, 부탄올, 이소프로판올, 아세톤 또는 이들의 조합을 포함하는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S10)는 아연 및 칼코겐을 상기 용매에 용해시킴에 의해 수행되는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 아연 칼코게나이드 용액은 10-6~10M의 농도를 갖는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S20)는 상기 기판에의 상기 아연 칼코게나이드 용액의 적하, 또는 상기 적하 후의 스핀코팅에 의해 수행되는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S30)는 70~200℃에서 수행되는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S40)는 공기중에서 수행되는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S40)는 100~300℃에서 수행되는 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계(S40)에서 얻어진 ZnO 나노와이어는 상기 기판에 붙어 있지 않은 free-standing한 형태인 ZnO 나노와이어의 제조방법
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제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 ZnO 나노와이어의 제조방법에 의해 제조된 것으로, 하기 화학식 1로 표시되는 ZnO 나노와이어:[화학식 1]ZnXαOβ상기 식에서, X는 Te, Se 또는 S이고, α는 0~0
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제18항에 있어서,상기 ZnO 나노와이어는 유기 리간드를 포함하지 않는 ZnO 나노와이어
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제18항에 있어서,상기 ZnO 나노와이어는 n형 반도체인 ZnO 나노와이어
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