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그라핀 옥사이드를 이용한 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188352
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드를 포함하는 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서 기판, 기판상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극 상에 형성된 유전체층, 유전체층 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극, 및 소스 전극과 드레인 전극을 잇는 채널층으로써, 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하며, 기존의 실리콘 물질을 이용한 FET가 단단한 기판 상에만 제작이 가능했지만 본 발명은 유연한 기판상에 제작이 가능한 특징이 있다. 특히 채널층으로 사용되는 환원된 그라핀 옥사이드는 물에 분산이 잘 되어서 현탁액으로 제조가 가능하므로 인쇄법을 이용한 박막 제작이 가능하다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/1606(2013.01) H01L 29/1606(2013.01)
출원번호/일자 1020120079152 (2012.07.20)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1428015-0000 (2014.08.01)
공개번호/일자 10-2013-0011966 (2013.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20140811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110073292   |   2011.07.22
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상욱 대한민국 서울 성북구
2 강태원 대한민국 서울 성동구
3 겐나디 파닌 러시아 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0580303-84
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0488941-37
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0838320-13
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0928449-37
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-1039780-51
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-1141114-90
7 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2013.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0158895-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0045516-11
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0045504-74
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0364175-30
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-0676180-07
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0514626-50
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
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번호 청구항
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기판;상기 기판 상에 형성된 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드층;상기 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드층 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 상에 형성된 유전체층;상기 유전체층 상에 형성된 게이트 전극을 포함하고,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 잇는 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드층을 채널층으로 이용하며,상기 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드층은,그라핀 옥사이드 박막을 아르곤 분위기에서 130~140 ℃ 범위에서 24시간 열처리하여 상기 그라핀 옥사이드 박막을 환원시킴으로써, 환원과정을 거치는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
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그라핀 옥사이드 분말을 이용하여 그라핀 옥사이드 현탁액을 생성하는 단계;상기 그라핀 옥사이드 현탁액으로부터 그라핀 옥사이드 박막을 생성하는 단계; 및 상기 생성된 그라핀 옥사이드 박막을 가열하여 상기 그라핀 옥사이드 박막을 환원시킴으로써, 환원과정을 거친 그라핀 옥사이드를 생성하는 단계를 포함하고,상기 환원 과정을 거친 그라핀 옥사이드를 소스 전극과 드레인 전극 사이의 채널층으로 이용하고,상기 환원과정을 거친 그라핀 옥사이드를 생성하는 단계는,상기 생성된 그라핀 옥사이드 박막을 아르곤 분위기에서 130~140 ℃ 범위에서 24시간 열처리하여 상기 그라핀 옥사이드 박막을 환원시킴으로써, 환원과정을 거친 그라핀 옥사이드를 생성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서,상기 그라핀 옥사이드 현탁액에 아스크로브산을 첨가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법
6 6
제4 항에 있어서,그라파이트를 산화시켜 상기 그라핀 옥사이드 분말을 생성하는 단계를 더 포함하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법
7 7
제4 항에 있어서,상기 환원과정을 거친 그라핀 옥사이드의 전도성은 상기 그라핀 옥사이드 박막을 가열하는 온도 또는 시간에 따라 결정되는 환원정도에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법
8 8
제4 항에 있어서,상기 그라핀 옥사이드 박막을 생성하는 단계는,상기 그라핀 옥사이드 현탁액을 잉크젯 인쇄 또는 스핀코팅의 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법
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1 교육과학기술부 동국대학교 해외우수연구기관유치 IMT와 CNSI 기관 유치를 통한 나노-정보 기술 연구