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발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015190454
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 지지부의 역할을 하는 기판과, 상기 기판 상부에 적층되며, 제1반도체층과 제2반도체층 및 상기 제1반도체층과 제2반도체층 사이에 위치하는 활성층으로 이루어지는 발광구조물과, 상기 기판과 상기 발광구조물 사이에 구비되는 희생층과, 상기 발광구조물의 상부에 적층되며, 상기 활성층에서 발생된 빛을 반사하는 반사전극층과, 상기 반사전극층의 하부와 상기 발광구조물의 상부 사이에 구비되어, 상기 반사전극층과 상기 발광구조물의 접착력을 향상시키며, 구리 나노입자로 이루어지는 구리 나노입자층과, 상기 발광구조물과 상기 반사전극층의 상부에 위치하며, 상기 기판의 제거 시 상기 발광구조물과 상기 반사전극층과 상기 구리 나노입자층을 지지하는 서브기판; 및 상기 반사전극층의 상부에 상기 반사전극층과 동일한 형태와 크기로 형성되며, 제1본딩금속층과 제2본딩금속층으로 구성되어 상기 반사전극층과 상기 서브기판을 본딩시키는 본딩금속층을 포함하는 발광 다이오드를 제공한다.따라서, 발광구조물과 반사전극층 사이에 구리 나노입자로 이루어진 구리 나노입자층이 구비되어 발광구조물과 반사전극층의 접착력을 향상시키고, 구리 나노입자층의 구리 나노입자가 반사전극의 전도도를 향상시키며, 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off;CLO)에 의하여 손상 없이 쉽게 발광구조물에서 기판을 분리할 수 있다.
Int. CL H01L 33/46 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01) H01L 33/405(2013.01)
출원번호/일자 1020110037431 (2011.04.21)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1289602-0000 (2013.07.18)
공개번호/일자 10-2012-0119481 (2012.10.31) 문서열기
공고번호/일자 (20130724) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김세민 대한민국 대구광역시 수성구
2 장자순 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0298477-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009680-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0349492-22
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0665469-69
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0755767-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0844158-74
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0844157-28
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0067822-05
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0281787-12
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0281786-66
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0483538-89
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지부의 역할을 하는 기판;상기 기판 상부에 적층되며, 제1반도체층과 제2반도체층 및 상기 제1반도체층과 제2반도체층 사이에 위치하는 활성층으로 이루어지는 발광구조물;상기 기판과 상기 발광구조물 사이에 구비되는 희생층;상기 발광구조물의 상부에 적층되며, 상기 활성층에서 발생된 빛을 반사하는 반사전극층; 상기 반사전극층의 하부와 상기 발광구조물의 상부 사이에 구비되어, 상기 반사전극층과 상기 발광구조물의 접착력을 향상시키며, 구리 나노입자로 이루어지는 구리 나노입자층;상기 발광구조물과 상기 반사전극층의 상부에 위치하며, 상기 기판의 제거 시 상기 발광구조물과 상기 반사전극층과 상기 구리 나노입자층을 지지하는 서브기판; 및상기 반사전극층의 상부에 상기 반사전극층과 동일한 형태와 크기로 형성되며, 제1본딩금속층과 제2본딩금속층으로 구성되어 상기 반사전극층과 상기 서브기판을 본딩시키는 본딩금속층을 포함하는 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 구리 나노입자층의 두께는 5 나노미터 이하로 형성되는 발광 다이오드
4 4
청구항 1에 있어서,상기 반사전극층은, 알루미늄, 은 또는 알루미늄과 은을 포함하는 합금으로 이루어지는 발광 다이오드
5 5
청구항 1에 있어서,상기 기판은,사파이어 기판, 실리콘 기판, 산화아연 기판 또는 질화물 반도체 기판 중 어느 하나로 이루어지는 발광 다이오드
6 6
청구항 1에 있어서,상기 발광구조물의 제1반도체층은,갈륨나이트라이드(GaN)에 n형 도펀트로서 규소(Si), 게르마늄(Ge), 셀레늄(Se), 텔루르(Te)가 첨가되어 형성되는 발광 다이오드
7 7
청구항 1에 있어서,상기 발광구조물의 제2반도체층은,갈륨나이트라이드(GaN)에 p형 도펀트로서 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba)가 첨가되어 형성되는 발광 다이오드
8 8
청구항 1에 있어서,상기 발광구조물의 활성층은,InGaN/GaN MQW 또는 AlGaN/GaN MQW로 형성되는 발광 다이오드
9 9
청구항 1에 있어서,상기 본딩금속층의 제1본딩금속층은,니켈(Ni), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 팔라듐(Pd), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 레듐(Re), 오스듐(Os), 바나듐(V) 및 탄탈럼(Ta) 중 적어도 하나를 포함하고, 두께는 100Å 내지 3000Å로 형성되는 발광 다이오드
10 10
청구항 1에 있어서,상기 본딩금속층의 제2본딩금속층은,금(Au)과 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하고, 두께는 100Å 내지 9000Å로 형성되는 발광 다이오드
11 11
청구항 1에 있어서,상기 서브기판은,실리콘(Si)을 포함하고, 복수개의 천공홀이 형성되는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 영남대학교산학협력단 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) LED-IT융합산업화연구센터