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CIGS 광흡수층 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015190709
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 용액 방식으로 CIGS 박막 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 CIGS 박막을 용액 방식으로 셀렌화하는 단계; 및 비활성기체 분위기 챔버에서 열처리하는 단계를 포함하는 CIGS 광흡수층 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120113536 (2012.10.12)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1389017-0000 (2014.04.18)
공개번호/일자 10-2014-0047762 (2014.04.23) 문서열기
공고번호/일자 (20140428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.12)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배은진 대한민국 대구 남구
2 김재현 대한민국 대구 수성구
3 백성호 대한민국 대구 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***, DGIST 연구
4 박정수 대한민국 대구 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0830375-03
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0834340-09
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0095927-08
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0850027-79
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0117761-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0117726-14
9 등록결정서
Decision to grant
2014.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0263944-43
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 용액 방식으로 CIGS 박막 형성하는 단계;상기 단계에서 형성된 CIGS 박막을 용액 방식으로 셀렌화하는 단계; 및비활성기체 분위기 챔버에서 열처리하는 단계를 포함하고,상기 셀렌화하는 단계는,질소 분위기에서 용기 안에 마그네틱 바를 넣은 증류수 안에 셀레노우레아를 넣고 가열하여 용해시켜 셀레늄 전구체 용액을 형성하고, 상기 셀레늄 전구체 용액으로 상기 CIGS 박막이 형성된 기판을 코팅하는 CIGS 광흡수층 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 셀레늄 전구체 용액은 형성 후 20분 이내에 상기 CIGS 박막이 형성된 기판을 코팅하는 CIGS 광흡수층 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 셀레늄 전구체 용액은 스핀 코팅 방법 또는 스프레이 방법 중 선택된 어느 하나의 방법으로 코팅되는 CIGS 광흡수층 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 대구경북과학기술원 지식경제기술혁신사업(국제공동연구 기술개발사업) 광전변환효율 10%급 저비용 CIGS태양전지 기술개발