요약 | 본 발명은 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 태양전지에 관한 것으로, 보다 구체적으로 금 입자들이 광활성층에서 표면 플라즈몬 공명 현상을 일으켜 광활성층에서 엑시톤의 여기를 활성화시켜 에너지 효율이 증가된 박막형 태양전지를 제공한다. |
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Int. CL | H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 51/42 (2014.01) |
CPC | H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110064773 (2011.06.30) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1170919-0000 (2012.07.30) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20120803) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.06.30) |
심사청구항수 | 15 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김상우 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
2 | 조한꽃누리 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인다나 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0502213-21 |
2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2011.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0533578-96 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.05.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
6 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.06.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0051071-76 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0411853-01 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 서로 대향하는 양극 및 음극; 및상기 양극과 음극 사이에 존재하는 광활성층을 포함하되, 상기 광활성층은다공성 금속 산화물 박막; 상기 박막의 상단부에 형성된 금 입자층; 및상기 박막의 홀에 적층된 전자수용체 및 정공수용체를 포함하는 박막형 태양전지 |
2 |
2 제1항에 있어서, 음극 상부에는 전극개질층이 추가로 형성되는 박막형 태양전지 |
3 |
3 제2항에 있어서, 전극개질층은 TiOx(1<x<2), TiO2, ZnO:Al, ZnO:B, ZnO:Ga, ZnO:N, SnO2, 또는 ITO 중 하나의 금속산화물로 구성되거나; ZnO 계 나노입자, Doped-ZnO(ZnO:Al, ZnO:B, ZnO:Ga, ZnO:N 등)계 나노입자, SnO2 나노입자, ITO 나노입자, 또는 TiO2 나노입자 중 하나의 금속산화물 나노입자로 구성되거나; Cs2CO3, titanium(diisoproxide)bis(2,4-pentadionate) 중 하나의 유기-금속화합물로 구성되거나; CdS, ZnS, MnS, Zn(O,S), ZnSe, (Zn,In)Se, In(OH,S), 또는 In2S3 중 하나의 n-형 특성의 칼코지나이드 화합물 나노입자로 구성되거나; tetrakis(dimethylamino)ethylene, poly(ethylene oxide)의 저분자와 고분자, hexadecanthiol, 1H,1H,2H,2H-perfluoro decanethiol의 유기화합물로 구성된 형태 중 하나 또는 하나 이상인 박막형 태양전지 |
4 |
4 제1항에 있어서,다공성 금속 산화물 박막은 Al2O3, ZrO3, 또는 TiO2로 구성된 박막형 태양전지 |
5 |
5 제1항에 있어서,금 입자는 5 nm 내지 15 nm의 두께를 갖는 박막형 태양전지 |
6 |
6 제1항에 있어서, 전자수용체는 플러렌(fullerene), (6,6)-페닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C61-butyric acid methyl ester, PCBM], (6,6)-페닐-C71-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-phenyl-C71-butyric acid methyl ester, C70-PCBM], C71-PCBM, C84-PCBM, (6,6)-티에닐-C61-부티릭에시드 메틸에스테르[(6,6)-thienyl-C61-butyric acid methyl ester; ThCBM], bis-PCBM, 페릴렌, CdS, CdTe, CdSe, ZnO 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 박막형 태양전지 |
7 |
7 제1항에 있어서, 정공수용체는 폴리-3-헥실티오펜[poly-3-hexylthiophene, P3HT], 폴리-3-폴리-3-옥틸티오펜[poly-3-octylthiophene, P3OT], 폴리파라페닐렌비닐렌[poly-p-phenylenevinylene, PPV], 폴리(디옥틸플루오렌)[poly(9,9''-dioctylfluorene)], 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)[poly(2-methoxy,5-(2-ethyle-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene, MEH-PPV], 폴리(2-메틸,5-(3'',7''-디메틸옥틸옥시))-1,4-페닐렌비닐렌[poly(2-methyl,5-(3'',7''-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylene vinylene, MDMO-PPV] 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 박막형 태양전지 |
8 |
8 제1항에 있어서, 전자수용체 및 정공수용체는 5:5 내지 6:4의 중량비로 혼재되어 있는 박막형 태양전지 |
9 |
9 제1항에 있어서, 광활성층 상부에는 전자차단층이 추가로 형성되어 있는 박막형 태양전지 |
10 |
10 제9항에 있어서, 전자차단층은 MoO2, V2O5 및 WO3 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전이금속 산화물; PEDOT:PSS, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리(p-페닐렌비닐렌), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2''-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene), MDMO-PPV(poly(2-methoxy-5-(3,7-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylene-vinylene), 폴리(3-알킬티오펜) 및 폴리티오펜으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 고분자; 펜타센; CuPc; 또는 트리페닐디아민 유도체(TPD) 중 적어도 하나인 박막형 태양전지 |
11 |
11 기판 상에 음극을 형성하는 단계;다공성 금속 산화물 박막에 금 입자층을 증착하는 단계;상기 단계에서 얻은 상단부에 금 입자층이 증착된 다공성 금속 산화물 박막을 상기 음극 상부에 적층하고, 상기 박막에 전자수용체 및 정공수용체를 용매에 분산시킨 각각의 용액 또는 이들의 혼합액을 도포하여 광활성층을 형성하는 단계; 및상기 광활성층 상부에 양극을 형성하는 단계를 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법 |
12 |
12 제11항에 있어서,음극 상부에 전극개질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법 |
13 |
13 제11항에 있어서,다공성 금속 산화물 박막은 금속 박막이 양극산화방법을 통해 산화 형성된 다공성 구조의 홀이 배열된 형태인 박막형 태양전지의 제조방법 |
14 |
14 제13항에 있어서,금속 박막은 4족 원소인 금속 물질로 제조되는 박막형 태양전지의 제조방법 |
15 |
15 제11항에 있어서,광활성층 상부에 전자차단층을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
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공개전문 정보가 없습니다 |
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특허 등록번호 | 10-1170919-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20110630 출원 번호 : 1020110064773 공고 연월일 : 20120803 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120718 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용한 태양전지 존속기간(예정)만료일 : 20170731 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2012년 07월 31일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2015년 07월 03일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2016년 06월 07일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0502213-21 |
2 | [출원서등 보정]보정서 | 2011.07.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0533578-96 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.05.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
6 | 선행기술조사보고서 | 2012.06.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0051071-76 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
8 | 등록결정서 | 2012.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0411853-01 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345156590 |
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세부과제번호 | 2009-0077682 |
연구과제명 | 나노구조 제어를 통한 monolithic 플렉서블 에너지 하베스팅 소자 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200905~201204 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345158165 |
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세부과제번호 | 2009-0093249 |
연구과제명 | 형태변환형 정보 입력용 센서 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201602 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345159846 |
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세부과제번호 | 2010-00297 |
연구과제명 | 압전 나노전력발전소자 기반 대면적 에너지 하베스팅 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201005~201304 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415126178 |
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세부과제번호 | 20118520010050 |
연구과제명 | 광전 변환효율 10 %급 저비용 CIGS 태양전지 기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국에너지기술평가원 |
연구주관기관명 | 성균관대학교산학협력단 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201112~201411 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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