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초음파를 이용한 CdTe 나노입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015191021
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 CdTe 나노입자 제조방법은 카드뮴(cadmium) 화합물과 텔루륨(tellurium) 화합물을 용매와 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계, 상기 혼합용액에 초음파를 인가하는 단계, 상기 초음파 처리된 혼합용액으로부터 상기 용매를 분리하는 단계 및 상기 혼합용액으로부터 분리된 결과물을 건조하여 CdTe 나노입자를 수득하는 단계를 포함한다.
Int. CL C22C 20/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C22C 20/00(2013.01) C22C 20/00(2013.01) C22C 20/00(2013.01)
출원번호/일자 1020100137535 (2010.12.29)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1207400-0000 (2012.11.27)
공개번호/일자 10-2012-0075737 (2012.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20121204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성시준 대한민국 대구광역시 수성구
2 김대환 대한민국 대구광역시 수성구
3 강진규 대한민국 대구광역시 중구
4 이동하 대한민국 대구광역시 수성구
5 정수환 대한민국 대구광역시 수성구
6 손수정 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김은구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0870494-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0020335-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0480555-06
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0855753-88
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0855742-86
10 등록결정서
Decision to grant
2012.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0718941-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
카드뮴(cadmium) 화합물과 텔루륨(tellurium) 화합물을 용매와 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계; 상기 혼합용액에 초음파를 인가하는 단계; 상기 초음파 처리된 혼합용액으로부터 상기 용매를 분리하는 단계; 및 상기 혼합용액으로부터 분리된 결과물을 건조하여 CdTe 나노입자를 수득하는 단계를 포함하며, 상기 용매는 황 화합물 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 CdTe 나노입자 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,초음파 처리 온도는 25 ℃ 이상 70 ℃인 것을 특징으로 하는 CdTe 나노입자의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,초음파 처리는 1 분 이상 180 분 이하동안 진행되는 것을 특징으로 하는 CdTe 나노입자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 카드뮴 화합물은 CdCl2·2
6 6
제 1항 및 제3항 내지 제5항 중 하나에 따른 나노입자의 제조방법에 따라 제조된 CdTe 나노입자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.