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질화알루미늄 버퍼층위에 마이크로 또는 나노전자기계시스템용 다결정 탄화규소막 성장방법

  • 기술번호 : KST2015193362
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화알루미늄 버퍼층위에 마이크로 또는 나노 전자기계시스템용 다결정 탄화규소막 성장방법에 관한 것으로, 실리콘(Si)기판에 질화알루미늄(AlN)을 마그네트론 스퍼터링으로 증착하는 제1단계(S10)와; 상기 질화알루미늄(AlN)이 증착된 실리콘(Si)기판에 3C-SiC 증착을 위해 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)장치의 반응관을 초기화하는 제2단계(S20)와; 상기 질화알루미늄(AlN)이 증착된 실리콘(Si)기판을 반응관의 메인 캐리어가스 흐름과 수평으로 놓여지도록 반응관 중앙부에 탑재되는 제3단계(S30)와; 상기 실리콘(Si)기판에 탄화규소(SiC)로 코팅된 흑연 서셉터(Graphite Susceptor)를 탑재하여, RF코일에 의해 가열하는 제4단계(S40)와; 상기 가열에 의해 온도가 안정된 후 1 sccm의 헥사메틸다이사이레인(HMDS)을 주입하여 3C-SiC 막을 성장하는 제5단계(S50)를 포함한다. 따라서, 본 발명은 탄화규소와 실리콘 사이에서 발생하는 격자부정합과 열팽창계수의 차이에 의한 결함을 줄이도록, 상기 탄화규소와의 격자부정합 차이가 약 1%밖에 나지 않는 질화알루미늄을 이용하여, 상기 탄화규소와 실리콘의 격자부정합에 의해 발생되는 스트레스를 감소시킴으로써, 막질과 전기적 특성인 전자이동도를 향상시키는 효과가 있다. 실리콘기판, 질화알루미늄, 이산화규소, 3C-SiC
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/205 (2011.01) H01L 29/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02529(2013.01) H01L 21/02529(2013.01) H01L 21/02529(2013.01)
출원번호/일자 1020080031628 (2008.04.04)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0106111 (2009.10.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정귀상 대한민국 울산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이풍우 대한민국 서울특별시 강남구 양재대로 **길** *층(일원동)(특허법인 대한(양재분사무소))

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0245940-06
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document
2008.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-5018187-02
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2008.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-5018698-10
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2008-5134663-69
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0039849-15
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0116611-03
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0264606-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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질화알루미늄 버퍼층위에 마이크로 또는 나노 전자기계시스템용 다결정 탄화규소막 성장방법에 있어서, 실리콘(Si)기판에 질화알루미늄(AlN)을 마그네트론 스퍼터링으로 증착하는 제1단계(S10)와; 상기 질화알루미늄(AlN)이 증착된 실리콘(Si)기판에 3C-SiC 증착을 위해 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)장치의 반응관을 초기화하는 제2단계(S20)와; 상기 질화알루미늄(AlN)이 증착된 실리콘(Si)기판을 반응관의 메인 캐리어가스(Main Carrier Gas) 흐름과 수평으로 놓여지도록 반응관 중앙부에 탑재되는 제3단계(S30)와; 상기 실리콘(Si)기판에 탄화규소(SiC)로 코팅된 흑연 서셉터(Graphite Susceptor)를 탑재하여, RF코일에 의해 가열하는 제4단계(S40)와; 상기 가열에 의해 온도가 안정된 후 1 sccm의 헥사메틸다이사이레인(HMDS; Hexamethyldisilane)을 주입하여 3C-SiC 막을 성장하는 제5단계(S50)를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화알루미늄 버퍼층위에 마이크로 또는 나노 전자기계시스템용 다결정 탄화규소막 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 대기압 고온 화학기상증착(APCVD)장치의 반응관은 RF코일이 외주면에 감겨져 있으며, 상기 반응관 일측면에는 아르곤(Ar)과 수소(H2)가 주입되는 헥사메틸다이사이레인(HMDS; Hexamethyldisilane)와 메인밸브(Main valve)로 연결되고, 타측면에는 벤트(Vent)와 로터리펌프(R
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계(S10)의 질화알루미늄(AlN)의 마그네트론 스퍼터링 증착은 알루미늄을 타겟으로 하여, 타겟 기판과의 거리는 8㎝로 하고, 기초압력은 5×10-7 Torr, 전력밀도는 12
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계(S30)의 메인 캐리어가스(Main Carrier Gas)는 10 slm의 아르곤(Ar)과, 헥사메틸다이사이레인(HMDS; Hexamethyldisilane)의 반응성을 높이기 위해 고순도(99
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.