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인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법

  • 기술번호 : KST2015193668
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법에 관한 것으로, SiC-MEMS 또는 SiC-NEMS에 사용되도록 인시츄 도핑방법에 의해 다결정 탄화규소 박막을 성장하는 인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법에 관한 것이다. 반응관 내부에 산화막이 증착된 Si(100)기판이 탑재되고, 상기 반응과 내부로 고순도의 아르곤(Ar)과 수소(H2)를 캐리어가스로 사용하여 성장온도인 1100℃ ~ 1300℃까지 가열시키는 제1공정(S10)과; 상기 성장온도상태를 30분 동안 유지하면서 헥사메틸다이사이레인(HMDS) 전구체와 질소(N2) 가스를 주입시켜 다결정 탄화규소 박막을 성장시키는 제2공정(S20)을 포함한다. 따라서, 본 발명은 질소 인시츄 도핑에 따른 다결정 탄화규소 박막의 전기적 특성을 제어하여, SiC 박막을 기반으로 하는 Si-MEMS 또는 Si-NEMS의 감도, 분해능, 응답속도 등의 제어 및 마이크로공진기의 공진주파수 제어도 가능하고, SiC 박막은 인체에 직접적인 삽입에도 부작용이 없으며, Si에 비해 높은 기계적 특성 및 화학적 내성으로 인해 극한 환경, 바이오 및 RF용 MEMS 또는 NEMS 분야에 유용하게 사용할 수 있는 효과가 있다. 인시츄, 탄화규소, 박막
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02529(2013.01) H01L 21/02529(2013.01) H01L 21/02529(2013.01) H01L 21/02529(2013.01)
출원번호/일자 1020080072907 (2008.07.25)
출원인 울산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0978711-0000 (2010.08.23)
공개번호/일자 10-2010-0011616 (2010.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정귀상 대한민국 울산 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이풍우 대한민국 서울특별시 강남구 양재대로 **길** *층(일원동)(특허법인 대한(양재분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산대학교 산학협력단 대한민국 울산광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0537320-24
2 [전자문서첨부서류]전자문서첨부서류등 물건제출서
[Attachment to Electronic Document] Submission of Object such as Attachment to Electronic Document		 2008.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-5038884-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2008-5134663-69
4 등록결정서
Decision to grant		 2010.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0277698-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-0057072-80
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.30 수리 (Accepted) 4-1-2013-5176374-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5080807-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154267-54
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번호 청구항
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인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법에 있어서, 반응관 내부에 산화막이 증착된 Si(100)기판이 탑재되고, 상기 반응과 내부로 고순도의 아르곤(Ar)과 수소(H2)를 캐리어가스로 사용하여 성장온도인 1100 ~ 1300℃까지 가열시키는 제1공정(S10)과; 상기 성장온도상태를 30분 동안 유지하면서 헥사메틸다이사이레인(HMDS: Hexamethyldisilane) 전구체와 질소(N2) 가스를 주입시켜 다결정 탄화규소 박막을 성장시키는 제2공정(S20)을 포함하는 것을 특징으로 하는 인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 헥사메틸다이사이레인(HMDS: Hexamethyldisilane) 전구체 주입 전후에 온도의 안정과 잔여 전구체의 배기를 위해 각각 3초와 2초 동안 홀딩(Holding) 시간을 두는 것을 특징으로 하는 인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 헥사메틸다이사이레인(HMDS: Hexamethyldisilane) 전구체의 반응성을 높이기 위해 주입되는 아르곤(Ar) 가스유량은 5 slm이며, 수소(H2) 가스유량은 1 slm이고, 헥사메틸다이사이레인(HMDS: Hexamethyldisilane) 전구체의 가스유량은 1 sccm인 것을 특징으로 하는 인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법
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제 1항에 있어서, 다결정 탄화규소 박막의 도핑량 제어를 위해 주입되는 질소(N2) 가스는 0 ~ 100 sccm 범위내의 유량 중 어느 하나의 값으로 선택되어 주입되는 것을 특징으로 하는 인시츄 도핑에 의한 다결정 탄화규소 박막 성장방법
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