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전계방출용 에미터 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 전계방출장치

  • 기술번호 : KST2015194268
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전계방출용 에미터 제조방법을 제공한다. 전계방출용 에미터 제조방법은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 상에 금속 부착층을 형성하는 단계, 상기 금속 부착층 상에 탄소나노튜브 필름을 형성하는 단계 및 상기 탄소나노튜브 필름이 형성된 기판을 열처리하여 상기 기판과 상기 탄소나노튜브 사이의 부착력을 증가시키는 단계를 포함한다. 따라서, 금속 부착층의 평균 입자 크기를 조절하여 탄소나노튜브 밀도를 조절하고, 상기 금속 부착층 상에 형성된 탄소나노튜브를 가열하여 기판과 탄소나노튜브 사이의 부착력을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01) H01J 1/3042(2013.01)
출원번호/일자 1020120021450 (2012.02.29)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1491206-0000 (2015.02.02)
공개번호/일자 10-2013-0130171 (2013.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20150206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내성 대한민국 서울 양천구
2 이한성 대한민국 서울 광진구 광나루로**길 **-*, (군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0170892-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0023584-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0418655-10
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0741230-61
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0855362-74
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0941389-46
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0941388-01
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0147867-37
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0388847-18
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0388866-86
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0578461-02
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.24 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2014-1018338-92
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1018337-46
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0893601-53
16 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0893600-18
17 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.01.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0087743-87
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0087742-31
19 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0070910-65
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 금속 부착층을 형성하는 단계;상기 금속 부착층을 열처리하여 상기 금속 부착층의 표면 자유에너지를 감소시키는 단계;상기 금속 부착층 상에 탄소나노튜브 필름을 부착하는 단계; 및상기 탄소나노튜브 필름이 부착된 기판을 열처리하여 상기 기판과 상기 탄소나노튜브 사이의 부착력을 증가시키는 단계를 포함하고,상기 기판 상에 금속 부착층을 형성하는 단계는 상기 금속 부착층의 평균 입자 크기가 1nm 내지 10nm이고,상기 금속 부착층을 열처리하는 것은 상기 금속 부착층의 평균 입자를 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브 필름이 부착된 기판을 가열하는 단계는 진공 분위기 또는 환원 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전계방출용 에미터 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 금속 부착층은 Ni, Fe, Co, Cu, Ag, Au, Pd, Pt, Zn, Sn, Pb, Cr, Ti, Ta, Al, In, W, Si, Mo 및 이들의 합금으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 전계방출용 에미터 제조방법
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 기판과 상기 탄소나노튜브의 부착력을 증가시키는 단계 이후에,상기 탄소나노튜브를 활성화하여 상기 탄소나노튜브를 상기 기판에 대하여 수직 정렬시키는 단계를 더 포함하는 전계방출용 에미터 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 기판과 상기 탄소나노튜브의 부착력을 증가시키는 단계 이후에,상기 탄소나노튜브에 금속산화물을 코팅하는 단계를 더 포함하는 전계방출용 에미터 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 금속산화물은 Ni, Fe, Cu, Co, Ag, Ti, Zn, Rh, Sn, Cd, Cr, Be, Pd, In, Pt, Au, Si, W, Mo, Al 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택된 어느 하나의 산화물인 전계방출용 에미터 제조방법
11 11
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 산원원천기술개발사업 2차년도 [지경부] 세기조절 마이크로포커스 멀티엑스선원 기술개발