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점광원 형태의 에미터를 포함하는 엑스레이 소스

  • 기술번호 : KST2014035553
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 점광원 형태의 에미터를 포함하고 이러한 에미터의 개수, 모양 및 배열 형태를 조절함으로써, 방출되는 엑스레이의 용량, 궤적 및 모양 등을 제어할 수 있는 점광원 형태의 에미터를 포함하는 엑스레이 소스에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 1) 전자 방출을 위해 필요한 전류 또는 전계를 감소시킬 수 있고, 2) 음극 전압 또는 게이트 전압 조절만으로 방출되는 전류를 보다 용이하게 제어할 수 있으며, 3) 안정적인 전자 방출을 통하여 장비의 수명을 연장시켜 유지 비용을 감소시킬 수 있으며, 그리고 4) 빔 직경 미세화를 통해 고분해능 빛 출력 조절을 용이하게 달성할 수 있다는 효과가 발생한다.
Int. CL H01J 35/06 (2006.01) H01J 35/14 (2006.01)
CPC H01J 35/12(2013.01) H01J 35/12(2013.01) H01J 35/12(2013.01) H01J 35/12(2013.01) H01J 35/12(2013.01)
출원번호/일자 1020100096023 (2010.10.01)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1145531-0000 (2012.05.04)
공개번호/일자 10-2012-0034452 (2012.04.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.01)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박헌국 대한민국 서울특별시 동대문구
2 유제황 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 씨에이티빔텍 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0636958-35
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0069876-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0522958-21
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0902719-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0902718-47
7 등록결정서
Decision to grant
2012.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0249930-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 상에 형성되는 점광원 형태의 에미터;상기 에미터 상측에 위치하는 애노드 전극; 및 상기 에미터와 상기 애노드 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하고, 상기 에미터는 하나 이상 존재하며, 상기 에미터의 높이를 조절함에 따라 상기 에미터에서 방출되는 전자가 상기 애노드 전극에 충돌하는 면적을 조절하여 방출되는 엑스레이의 궤적을 조절하는 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
2 2
제1항에 있어서, 상기 점광원 형태의 에미터는 원뿔형, 사면체형 및 끝이 뾰족한 선단을 구비하는 원기둥형 및 끝이 뾰족한 선단을 구비하는 다면체형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
3 3
제2항에 있어서, 원뿔형 에미터의 밑면의 지름은 2~4 mm이며 높이는 1~5cm인 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
4 4
제1항에 있어서, 상기 점광원 형태의 에미터는 금속, 탄소계열 물질로 구성된 전도성 물질인 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
5 5
제2항에 있어서, 상기 에미터는 하나 이상 존재하며, 상기 에미터의 개수를 조절하여 방출되는 엑스레이의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
6 6
삭제
7 7
제2항에 있어서, 상기 에미터는 하나 이상 존재하며, 상기 에미터의 배열 형태를 조절하여 방출되는 엑스레이의 모양을 조절하는 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
8 8
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극과 상기 애노드 전극 사이에는 포커싱 전극이 더 제공되는 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
9 9
제8항에 있어서, 상기 게이트 전극 및 상기 포커싱 전극은 상기 에미터로부터 방출되는 전자의 궤적에 따라 그 형태가 결정되는 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
10 10
제9항에 있어서, 상기 게이트 전극 및 상기 포커싱 전극은, 일정한 간격을 가지고 배치되는 일정한 두께를 갖는 판상 또는 원형의 구멍이 존재하는 일정한 두께를 갖는 판 부재 형태인 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
11 11
제9항에 있어서, 상기 게이트 전극 및 상기 포커싱 전극은 원형의 고리 형태인 것을 특징으로 하는, 엑스레이 소스
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울시 경희대학교산학협력단 서울시 기술기반 구축 사업 나노 기반 차세대 방사선 진단기 연구단
2 지식경제부 경희대학교산학협력단 산업원천기술개발사업 나노소재기반 멀티엑스선원 및 단층합성영상 시스템 기술개발