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디엔에이를 이용한 규비트의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015194538
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 디엔에이(DNA)로 구성되는 큐비트(qubit)의 제조 방법에 관한 것으로서, 종래의 양자 컴퓨터를 구성하는 큐비트를 제조하기 위한 기술적 방법으로는 원자핵의 스핀, 초전도체 미세 구조, 전자의 스핀, 원자의 여기 상태, 광자의 편광 상태, 양자점 내부의 전자 상태 또는 탄소 나노 튜브와 같은 나노 세선을 이용하고 있으나 큐비트 제조 물질의 크기와 모양, 성분을 정확하게 조절하기 어려운 단점이 있다. 본 발명의 목적은 길이의 조절이 수 나노 미터의 크기로 가능하며 폭이 2나노미터로 일정한 디엔에이의 특징을 활용하여 기존의 큐비트 제조 물질이 가지고 있는 단점을 극복하고 신뢰성 있는 동작 특성이 있는 큐비트의 제조 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명은 길이가 0.34나노미터인 염기의 길이 방향 배열로 이루어진 디엔에이와, 디엔에이에 전자를 공급하고 배출하는 소스와 드레인으로 이루어진 금속 전극과, 디엔에이의 정해진 부분에 전자를 가두고 제어하기 위한 배리어 게이트와 위상 제어 게이트로 이루어진 금속 전극과, 가두어진 전자를 검출할 수 있는 양자 검출기의 기능을 가지는 단일 전자 트랜지스터와, 디엔에이의 양단에 화학적으로 결합하여 있는 티올기(-SH)와, 반도체 기판을 포함하는 구성이 제시된다. 본 발명에 의하여 제작되는 큐비트는 양자 효과를 이용하는 양자컴퓨터의 핵심 소자로 사용되며 디엔에이의 정확한 길이 제어와 일정한 폭에 의하여 큐비트의 동작 특성이 개선되어 뛰어난 성능의 양자 컴퓨터를 제작할 수 있는 효과가 있다.디엔에이, 큐비트, 양자 컴퓨터, 양자 검출기, 티올기
Int. CL H01L 29/15 (2017.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/15(2013.01) H01L 29/15(2013.01) H01L 29/15(2013.01)
출원번호/일자 1020050127630 (2005.12.22)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0796280-0000 (2008.01.14)
공개번호/일자 10-2006-0025999 (2006.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20080121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안도열 대한민국 경기 안양시 동안구
2 황종승 대한민국 서울 종로구
3 황성우 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0752302-31
2 보정요구서
Request for Amendment
2005.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0131034-49
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2006-0057534-93
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0081974-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0026050-62
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.02.07 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2007-0074846-57
8 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0135040-93
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0218568-56
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0292681-21
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0365019-16
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0439121-34
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0521553-02
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0595744-83
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0595747-19
16 등록결정서
Decision to grant
2007.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0598851-21
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일정 길기를 갖는 디엔에이를 합성하는 단계와,상기 디엔에이의 양단에 티올기를 결합하는 단계,반도체 기판상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 티올기가 결합된 디엔에이가 포함되어 있는 용액을 반도체 기판상에 접촉시켜 디엔에이를 소스 및 드레인 전극 사이에 자발적으로 결합시키는 단계 및,상기 디엔에이에 대하여 게이트 전극과 양자 검출기를 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 디엔에이를 이용한 큐비트의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 디엔에이는 유기 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 디엔에이를 이용한 큐비트의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 디엔에이의 일정 부분에 전자가 구속될 수 있는 에너지 준위를 형성하는 것을 특징으로 하는 디엔에이를 이용한 큐비트의 제조 방법
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.