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문턱 스위칭용 doped-GeTe 박막의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015196041
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요약 본 발명은 프로그래머블 메모리 소자 등의 문턱 스위칭용 재료에 적합하도록 스퍼터링 방식으로 GeTe에 In 및 P를 도핑한 문턱 스위칭용 doped-GeTe 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) H10B 69/00 (2023.01.01)
CPC H10N 70/231(2013.01) H10N 70/231(2013.01) H10N 70/231(2013.01) H10N 70/231(2013.01) H10N 70/231(2013.01)
출원번호/일자 1020130043427 (2013.04.19)
출원인 한밭대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1463776-0000 (2014.11.14)
공개번호/일자 10-2014-0125539 (2014.10.29) 문서열기
공고번호/일자 (20141121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.19)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승윤 대한민국 대전 유성구
2 방기수 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한밭대학교 산학협력단 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0343526-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0103313-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0220806-10
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0435544-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0435545-27
7 등록결정서
Decision to grant
2014.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0554952-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-0085888-54
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5058417-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2017-5065033-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.12 수리 (Accepted) 4-1-2019-5072792-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스퍼터링 장치를 이용한 문턱 스위칭용 박막의 형성 방법에 있어서,GeTe에 In 및 P를 도핑한 doped-GeTe 합금 타겟이 장착되거나 GeTe타겟 과 InP타겟이 장착된 공정 챔버에 상기 타겟에 대향되도록 기판이 장착된 전도체 캐리어를 로딩하는 단계;상기 챔버 내의 진공도를 1
2 2
제1항에 있어서,상기 Ar 가스의 공급량은 1
3 3
제1항에 있어서,상기 응용 소자는 메모리 스위칭이 일어나는 상변화층과 해당 상변화층의 상부층과 하부층에 상기 doped-GeTe 박막층이 형성된 프로그래머블 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱 스위칭용 박막의 형성 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 응용 소자는 상기 doped-GeTe 박막층이 양단에 전극이 각각 형성되는 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 문턱 스위칭용 박막의 형성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 타겟은 상기 doped-GeTe 박막층의 형성에 이용되어, 상기 doped-GeTe 박막층의 형성에서 칼코겐 원소인 Te에 P를 결합시켜 구조 네트워크(structural network)의 연결도(connectivity)를 증가시키고, Te에 In을 결합시켜 네트워크 강도(network rigidity)를 증가시켜, 상변화를 억제하고 문턱 스위칭 작용을 하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 문턱 스위칭용 박막의 형성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 doped-GeTe 박막에서 In의 원자백분률은 0% 초과, 25% 이하인 것을 특징으로 하는 문턱 스위칭용 박막의 형성 방법
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문턱 스위칭용 박막을 포함하는 문턱 스위칭 소자로서,상기 문턱 스위칭용 박막은 GeTe에 In 및 P 가 도핑된 박막이고, Te에 결합된 In 및 P 에 의해 구조 네트워크(structural network)의 연결도(connectivity) 및 네트워크 강도(network rigidity)가 증가되어 상변화를 억제하고 문턱 스위칭 작용을 하도록 형성된 것을 특징으로 하는 문턱 스위칭 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.