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유기 발광 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015196960
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요약 본 발명은 유기 발광 메모리 소자에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 메모리 기능과 발광 기능을 동시에 갖는 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 형성되는 적어도 하나의 유기 발광층; 상기 제1 전극과 상기 유기 발광층 사이 또는 상기 제2 전극과 상기 유기 발광층 사이에 형성되는 적어도 하나의 공통층을 포함하고, 상기 공통층 중 적어도 하나의 층이 p-도핑 또는 n-도핑된 유기막층인, 유기 발광 메모리 소자와, 제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 형성되는 적어도 하나의 유기 발광층; 상기 제1 전극과 상기 유기 발광층 사이 또는 상기 제2 전극과 상기 유기 발광층 사이에 형성되는 적어도 하나의 공통층; p-도펀트층 또는 n-도펀트층 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 p-도펀트층은 두 개의 정공수송층 사이에 형성되며 상기 n-도펀트층은 두 개의 전자수송층 사이에 형성되는 유기 발광 메모리 소자에 대한 것이다. 유기 발광 메모리 소자
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5296(2013.01)
출원번호/일자 1020080024112 (2008.03.15)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1056606-0000 (2011.08.05)
공개번호/일자 10-2009-0098930 (2009.09.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.07)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준엽 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 김성현 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 육경수 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서근복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, ****호 동명국제특허법률사무소 (역삼동, 성지하이츠*)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 채종현 경기도 남양주시 호평로
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0189094-81
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0251124-52
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0047032-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0444589-10
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0804391-86
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0060909-10
8 보정요구서
Request for Amendment
2010.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0011713-13
9 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2010.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0079453-25
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0130809-17
11 보정요구서
Request for Amendment
2010.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0021354-15
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0196184-15
13 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2010.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0150994-14
14 보정요구서
Request for Amendment
2010.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0031507-83
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0274710-39
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0274464-02
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0274491-24
18 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2010.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0223702-90
19 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0349223-99
20 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0653072-42
21 보정요구서
Request for Amendment
2010.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0092049-36
22 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0733043-83
23 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0733055-20
24 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2010.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0670022-13
25 등록결정서
Decision to grant
2011.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0245414-31
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
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2 2
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3 3
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4 4
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5 5
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6 6
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7 7
제1 전극 및 제2 전극; 상기 제1 전극 및 제2 전극 사이에 형성되는 적어도 하나의 유기 발광층; 상기 제1 전극과 상기 유기 발광층 사이 또는 상기 제2 전극과 상기 유기 발광층 사이에 형성되는 적어도 하나의 공통층; MoO3, WO3, V2O5 및 F4-TCNQ으로 이루어진 군에서 선택되는 p-도펀트로 p-도핑된 p-도펀트층 또는 Li, Cs, Na 및 이들의 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 n-도펀트로 n-도핑된 n-도펀트층 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 p-도펀트층은 두 개의 정공수송층 사이에 형성되며 상기 n-도펀트층은 두 개의 전자수송층 사이에 형성되는 유기 발광 메모리 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 p-도펀트층의 두께가 0
9 9
제7항에 있어서, 상기 n-도펀트층의 두께가 0
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제7항에 있어서, 상기 공통층이 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및 전자수송층 중에서 적어도 하나를 포함하는 것임을 특징으로 하는 유기 발광 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.