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복수의 면을 갖는 다각형으로 형성된 이송 챔버;상기 이송 챔버의 복수의 면 중 하나에 결합되고, 에피 웨이퍼가 로딩되는 로드락 챔버;상기 이송 챔버의 복수의 면 중 하나에 결합되고, 상기 로딩된 에피 웨이퍼의 표면을 세정하는 세정 공정 챔버; 및상기 이송 챔버의 복수의 면 중 하나에 결합되고, 원자층 증착 방법으로 상기 표면이 세정된 에피 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 증착 공정 챔버를 포함하는 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서, 상기 에피 웨이퍼는Ⅲ족 원소 및 Ⅴ족 원소 간의 이종 결합, 삼종 결합, 사종 결합 및 오종 결합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제2항에 있어서,상기 이종 결합은 GaAs, AlAs, AlP, InP, GaP, InAs, GaN, InN, AlN, AlSb, GaSb 및 InSb 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 삼종 결합은 AlxGa(1-x)As, InxGa(1-x)As, InxGa(1-x)N, AlxGa(1-x)N, InxGa(1-x)P, InxAl(1-x)P, InxGa(1-x)Sb 및 AlxGa(1-x)Sb(여기에서, 0≤x≤1) 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 사종 결합은 AlxGa(1-x)In(1-y)As, AlxGa(1-x)PyAs(1-y), InxGa(1-x)PyAs(1-y), AlxGa(1-x)In(1-y)Sb, AlxGa(1-x)AsySb(1-y), InxGa(1-x)AsySb(1-y), InxGa(1-x)PySb(1-y), AlxGa(1-x)PySb(1-y), AlxGa(1-x)In(1-y)N, InxGa(1-x)AsyN(1-y) 및 InxGa(1-x)SbyN(1-y)(여기에서, 0≤x≤1, 0≤y≤1) 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 오종 결합은 AlxGa(1-x-y`)In(1-y`)As(1-y)Py, AlxGa(1-x-y`)In(1-y`)As(1-y)Sby, AlxGa(1-x-y`)In(1-y`)P(1-y)Sby, AlxGa(1-x-y`)In(1-y`)As(1-y)Ny(여기에서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤y`≤1) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서, 상기 세정 챔버는세정 가스를 이용하여 상기 에피 웨이퍼의 표면에 형성된 자연 산화막을 제거하는 1차 세정 공정을 수행하는 원자층 증착 장치
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제4항에 있어서, 상기 세정 가스는HF, HCl, NH4OH, (NH4)2S, SF6, SF4, Cl2, CHF3, BCL3 및 이들의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제4항에 있어서, 상기 세정 챔버는퍼지 가스를 공급한 상태로 상기 에피 웨이퍼를 열처리하여 상기 에피 웨이퍼의 표면에 잔류된 세정 잔류물을 제거하는 2차 세정 공정을 수행하는 원자층 증착 장치
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제6항에 있어서, 상기 퍼지 가스는Ar, N2 및 이들의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서, 상기 증착 공정 챔버는상기 표면이 세정된 에피 웨이퍼 상에 제1 박막을 증착하는 제1 증착 공정 챔버; 및상기 제1 박막 상에 제2 박막을 증착하는 제2 증착 공정 챔버를 포함하는 원자층 증착 장치
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제8항에 있어서, 상기 제1 박막은유전체막, 반도체 물질막, 투명 전도막 및 이들의 적층막 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제9항에 있어서, 상기 유전체막은Al2O3, TiO2, ZrO2, HfO2, Ta2O5, Nb2O5, Y2O3, MgO, CeO2, SiO2, La2O3, SrTiO3, BaTiO3, BixTiyOx 및 이들의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제9항에 있어서, 상기 반도체 물질막은ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, ZnO:Ga, Ga2O3, WO3, NiO, CoOx, MnOx 및 이들의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제9항에 있어서, 상기 투명 전도막은In2O3, In2O3:Sn, In2O3:F, In2O3: Zr, SnO2, SnO2:Sb 및 이들의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제8항에 있어서, 상기 제2 박막은Ni, Cu, Pt, Ir, Si, Ge, Mo, Ru, Rh, Pd, Au, TiN, TaN, Co, Mn, Ag, Fe 및 이들의 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서,상기 이송 챔버, 상기 로드락 챔버, 상기 세정 공정 챔버 및 상기 증착 공정 챔버는 진공 상태를 유지하는 원자층 증착 장치
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제1항에 있어서, 상기 에피 웨이퍼는 금속 산화물 반도체 트랜지스터(MOSFET), 전계 효과 트랜지스터(FET), 고전자 이동 트랜지스터(HEMT), 나노 와이어(nano-wire), 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD) 및 태양전지(solar cell) 중 적어도 어느 하나의 구조를 갖는 원자층 증착 장치
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