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제1전극 및 제2전극;
상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 구비되는 전하공급층;
상기 제1전극 및 상기 전하공급층 사이에 구비되는 메모리유닛; 및
상기 전하공급층 및 상기 제2전극 사이에 구비되며, 유기발광층을 포함하는 발광유닛;을 포함하며,
상기 전하공급층은 전하를 생성하여 상기 메모리유닛 및 상기 발광유닛에 정공 또는 전자를 공급하고,
상기 전하공급층은 1
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2
제 1 항에 있어서,
상기 제1전극은 정공을 공급하는 애노드전극이고, 상기 제2전극은 전자를 공급하는 캐소드전극인 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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3
제 2 항에 있어서,
상기 발광유닛은 상기 전하공급층에 인접하는 정공수송층을 더 포함하며, 상기 전하공급층은 상기 정공수송층에 정공을 공급함과 함께 상기 메모리유닛에 전자를 공급하는 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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4
제 1 항에 있어서,
상기 제1전극은 전자를 공급하는 캐소드전극이고, 상기 제2전극은 정공을 공급하는 애노드전극인 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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5
제 4 항에 있어서,
상기 발광유닛은 상기 전하공급층에 인접하는 전자수송층을 더 포함하며, 상기 전하공급층은 상기 메모리유닛에 정공을 공급함과 함께 상기 전자수송층에 전자를 공급하는 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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6
제1전극 및 제2전극;
상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 구비되는 복수 개의 전하공급층;
상기 제1전극과 상기 전하공급층 사이, 상기 제2전극과 상기 전하공급층 사이 및 상기 전하공급층 사이 중 적어도 한곳에 구비되는 메모리유닛; 및
상기 제1전극과 상기 전하공급층 사이, 상기 제2전극과 상기 전하공급층 사이 및 상기 전하공급층 사이 중 적어도 한곳에 구비되며, 유기발광층을 포함하는 발광유닛;을 포함하며,
상기 전하공급층은 전하를 생성하여 상기 메모리유닛 및 상기 발광유닛에 정공 또는 전자를 공급하고,
상기 전하공급층은 1
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7
제 6 항에 있어서,
상기 발광유닛은 상기 전하공급층에 인접하는 전자수송층 또는 정공수송층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전하공급층은 p형층과 n형층을 포함하는 층구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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9
제 8 항에 있어서,
상기 p형층은 p도핑 유기막층, 금속산화물층, 금속할라이드층 및 p형 유기재료층 중 어느 하나를 포함하고,
상기 n형층은 n도핑 유기막층, 금속, 알칼리금속, 알칼리토금속, 희토류금속을 포함하는 전이금속층, 금속이온화합물층, 유기금속화합물층 및 n형 유기재료층 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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10
제 9 항에 있어서,
상기 p도핑 유기막층은 유기화합물과 도핑물질로 구성되되,
상기 유기화합물은 5
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11
제 10 항에 있어서,
상기 유기화합물은 방향족 아민 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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12
제 10 항에 있어서,
상기 도핑물질은 무기재료 또는 유기재료이며,
상기 무기재료는 WO3, MoO3, V2O5, Re2O7 및 ReO3 로 이루어진 금속산화물, 및 염화제2철(ferric chloride), 염화알루미늄(aluminum chloride), 염화갈륨(gallium chloride), 염화인듐(indium chloride) 및 5염화안티몬(antimony pentachloride)으로 이루어진 금속할라이드계 물질 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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13
제 9 항에 있어서,
상기 n도핑 유기막층은 유기화합물과 도핑물질로 구성되되,
상기 유기화합물은 2
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14
제 13 항에 있어서,
상기 도핑물질은 무기재료 또는 유기재료이며,
상기 무기재료는 금속, 알칼리금속, 알칼리토금속, 및 희토류금속을 포함하는 전이금속 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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15
삭제
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16
제 8 항에 있어서,
상기 전하공급층은 Bphen:Cs/MoO3, Bphen:Cs/NPD:MoO3 및 Bphen:Cs/HAT로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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17
제 8 항에 있어서,
상기 메모리유닛은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 전압차이를 기억하는 유기물층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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18
제 8 항에 있어서,
상기 메모리유닛은 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 전압에 기초하여 가변되는 저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 유기메모리발광소자
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19
복수의 주사선;
상기 주사선과 교차하는 복수의 신호선; 및
상기 주사선 및 상기 신호선이 교차하는 영역들에 형성되는 복수의 픽셀;을 포함하며,
상기 픽셀은
제1전극 및 제2전극;
상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 구비되는 전하공급층;
상기 제1전극 및 상기 전하공급층 사이에 구비되는 메모리유닛; 및
상기 전하공급층 및 상기 제2전극 사이에 구비되며, 유기발광층을 포함하는 발광유닛;을 포함하며,
상기 전하공급층은 전하를 생성하여 상기 메모리유닛 및 상기 발광유닛에 정공 또는 전자를 공급하고,
상기 전하공급층은 1
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20
복수의 주사선;
상기 주사선과 교차하는 복수의 신호선; 및
상기 주사선 및 상기 신호선이 교차하는 영역들에 형성되는 복수의 픽셀;을 포함하며,
상기 픽셀은
제1전극 및 제2전극;
상기 제1전극 및 상기 제2전극 사이에 구비되는 복수 개의 전하공급층;
상기 제1전극과 상기 전하공급층 사이, 상기 제2전극과 상기 전하공급층 사이 및 상기 전하공급층 사이 중 적어도 한곳에 구비되는 메모리유닛; 및
상기 제1전극과 상기 전하공급층 사이, 상기 제2전극과 상기 전하공급층 사이 및 상기 전하공급층 사이 중 적어도 한곳에 구비되며, 유기발광층을 포함하는 복수 개의 발광유닛;을 포함하며,
상기 전하공급층은 전하를 생성하여 상기 메모리유닛 및 상기 발광유닛에 정공 또는 전자를 공급하고,
상기 전하공급층은 1
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