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(a) 절연막이 형성된 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 절연막상에 전기영동법 적용을 위한 전극 베이스층을 형성하는 단계;(c) 상기 전극 베이스층을 패터닝하여 전기영동 전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 기판상에 탄소나노튜브가 포함된 용액을 인가한 후 전기영동을 실시하여 탄소나노튜브들을 정렬시키는 단계를 포함하고,상기 전기영동 전극은 탄소 기반 전극을 포함하며,상기 탄소 기반 전극은, 탄소나노튜브로 형성된 전극, 그래핀으로 형성된 전극 및 탄소나노튜브와 그래핀의 합성물로 형성된 전극으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 용액공정 기반 탄소나노튜브 정렬 방법
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청구항 1에 있어서,상기 탄소 기반 전극은 그래핀으로 형성된 전극이고,상기 단계 (b)는,(i1) 금속촉매가 형성된 기판에 그래핀을 형성하는 단계;(i2) 상기 그래핀 및 금속촉매가 형성된 기판을 전처리하는 단계;(i3) 상기 그래핀상에 기능성 지지층을 형성하는 단계;(i4) 상기 지지층에 탄성체 스탬프를 부착하는 단계;(i5) 상기 탄성체 스탬프를 이용하여 상기 지지층/그래핀을 상기 금속촉매가 형성된 기판으로부터 분리하는 단계;(i6) 상기 탄성체 스탬프에 부착되어 있는 상기 지지층/그래핀을 상기 절연막상에 배치하는 단계;(i7) 상기 탄성체 스탬프를 상기 지지층/그래핀으로부터 분리하는 단계; 및(i8) 상기 지지층을 제거하여 그래핀 기반의 전극 베이스층을 형성하는 단계를 포함하는, 용액공정 기반 탄소나노튜브 정렬 방법
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청구항 1에 있어서,상기 탄소 기반 전극은 탄소나노튜브로 형성된 전극이고,상기 단계 (b)는,(j1) 상기 절연막을 친수성으로 변화시키기 위하여 오존처리를 상기 절연막 위에 소정 시간동안 실시하는 단계;(j2) 상기 절연막에 대해 폴리-L-라이신(poly-L-lysine) 용액 기반의 표면 처리를 실시하는 단계;(j3) 상기 절연막이 형성된 기판을 탄소나노튜브가 포함된 용액 속에 소정 시간동안 디핑(dipping)하는 단계;(j4) 상기 기판을 상기 용액에서 빼낸 후, 세정하는 단계; 및(j5) 상기 기판을 건조시켜, 탄소나노튜브 기반의 전극 베이스층을 형성하는 단계를 포함하는, 용액공정 기반 탄소나노튜브 정렬 방법
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청구항 1에 있어서,상기 탄소 기반 전극은 탄소나노튜브와 그래핀의 합성물로 형성된 전극이고,상기 단계 (b)는,(k1) 구리 기재상에 탄소나노튜브가 포함된 용액을 코팅한 후, 그래핀을 합성하여, 탄소나노튜브와 그래핀의 합성물을 준비하는 단계;(k2) 상기 탄소나노튜브-그래핀 합성물/구리 기재를 전처리하는 단계;(k3) 상기 탄소나노튜브-그래핀 합성물상에 기능성 지지층을 형성하는 단계;(k4) 상기 지지층에 탄성체 스탬프를 부착하는 단계;(k5) 상기 탄성체 스탬프를 이용하여 상기 지지층/탄소나노튜브-그래핀 합성물을 상기 구리 기재로부터 분리하는 단계;(k6) 상기 탄성체 스탬프에 부착되어 있는 상기 지지층/탄소나노튜브-그래핀 합성물을 상기 절연막상에 배치하는 단계;(k7) 상기 탄성체 스탬프를 상기 지지층/탄소나노튜브-그래핀 합성물로부터 분리하는 단계; 및(k8) 상기 지지층을 제거하여 탄소나노튜브와 그래핀의 합성물 기반의 전극 베이스층을 형성하는 단계를 포함하는, 용액공정 기반 탄소나노튜브 정렬 방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 (b) 이후에,(b1) 상기 전극 베이스층상에 얼라인마크를 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 단계 (d) 이후에,(d1) 상기 용액을 증발시키는 단계; 및(d2) 잔존하는 탄소나노튜브를 제거하기 위하여 상기 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는, 용액공정 기반 탄소나노튜브 정렬 방법
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청구항 1에 있어서,상기 용액은 상기 탄소나노튜브들을 0
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판을 포함하고,상기 절연막은, 산화규소(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiNx), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화하프늄(HfO2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 용액공정 기반 탄소나노튜브 정렬 방법
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(a) 절연막이 형성된 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 절연막상에 전기영동법 적용을 위한 전극 베이스층을 형성하는 단계;(c) 상기 전극 베이스층을 패터닝하여 전기영동 전극을 형성하는 단계;(d) 상기 기판상에 탄소나노튜브가 포함된 용액을 인가한 후 전기영동을 실시하여 탄소나노튜브들을 정렬시키는 단계; 및(e) 탄소나노튜브의 순도를 높이기 위하여 정제 공정을 진행하는 단계를 포함하고,상기 전기영동 전극은 탄소 기반 전극을 포함하며,상기 탄소 기반 전극은, 탄소나노튜브로 형성된 전극, 그래핀으로 형성된 전극 및 탄소나노튜브와 그래핀의 합성물로 형성된 전극으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 탄소 기반 전극은 그래핀으로 형성된 전극이고,상기 단계 (b)는,(i1) 금속촉매가 형성된 기판에 그래핀을 형성하는 단계;(i2) 상기 그래핀 및 금속촉매가 형성된 기판을 전처리하는 단계;(i3) 상기 그래핀상에 기능성 지지층을 형성하는 단계;(i4) 상기 지지층에 탄성체 스탬프를 부착하는 단계;(i5) 상기 탄성체 스탬프를 이용하여 상기 지지층/그래핀을 상기 금속촉매가 형성된 기판으로부터 분리하는 단계;(i6) 상기 탄성체 스탬프에 부착되어 있는 상기 지지층/그래핀을 상기 절연막상에 배치하는 단계;(i7) 상기 탄성체 스탬프를 상기 지지층/그래핀으로부터 분리하는 단계; 및(i8) 상기 지지층을 제거하여 그래핀 기반의 전극 베이스층을 형성하는 단계를 포함하는, 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 탄소 기반 전극은 탄소나노튜브로 형성된 전극이고,상기 단계 (b)는,(j1) 상기 절연막을 친수성으로 변화시키기 위하여 오존처리를 상기 절연막 위에 소정 시간동안 실시하는 단계;(j2) 상기 절연막에 대해 폴리-L-라이신(poly-L-lysine) 용액 기반의 표면 처리를 실시하는 단계;(j3) 상기 절연막이 형성된 기판을 탄소나노튜브가 포함된 용액 속에 소정 시간동안 디핑(dipping)하는 단계;(j4) 상기 기판을 상기 용액에서 빼낸 후, 세정하는 단계; 및(j5) 상기 기판을 건조시켜, 탄소나노튜브 기반의 전극 베이스층을 형성하는 단계를 포함하는, 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 탄소 기반 전극은 탄소나노튜브와 그래핀의 합성물로 형성된 전극이고,상기 단계 (b)는,(k1) 구리 기재상에 탄소나노튜브가 포함된 용액을 코팅한 후, 그래핀을 합성하여, 탄소나노튜브와 그래핀의 합성물을 준비하는 단계;(k2) 상기 탄소나노튜브-그래핀 합성물/구리 기재를 전처리하는 단계;(k3) 상기 탄소나노튜브-그래핀 합성물상에 기능성 지지층을 형성하는 단계;(k4) 상기 지지층에 탄성체 스탬프를 부착하는 단계;(k5) 상기 탄성체 스탬프를 이용하여 상기 지지층/탄소나노튜브-그래핀 합성물을 상기 구리 기재로부터 분리하는 단계;(k6) 상기 탄성체 스탬프에 부착되어 있는 상기 지지층/탄소나노튜브-그래핀 합성물을 상기 절연막상에 배치하는 단계;(k7) 상기 탄성체 스탬프를 상기 지지층/탄소나노튜브-그래핀 합성물로부터 분리하는 단계; 및(k8) 상기 지지층을 제거하여 탄소나노튜브와 그래핀의 합성물 기반의 전극 베이스층을 형성하는 단계를 포함하는, 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 단계 (b) 이후에,(b1) 상기 전극 베이스층상에 얼라인마크를 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 단계 (d) 이후에,(d1) 상기 용액을 증발시키는 단계; 및(d2) 잔존하는 탄소나노튜브를 제거하기 위하여 상기 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는, 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 단계 (e)는,열유동 모세관 현상 기반의 탄소나노튜브 정제 방법 또는 마이크로웨이브 기반의 탄소나노튜브 정제 방법을 이용한 정제 공정을 진행하는 단계를 포함하는, 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 용액은 상기 탄소나노튜브들을 0
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청구항 9에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판을 포함하고,상기 절연막은, 산화규소(SiO2), 실리콘나이트라이드(SiNx), 산화알루미늄(Al2O3) 및 산화하프늄(HfO2)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼 제조 방법
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절연막이 형성된 기판:상기 절연막상에 형성된 전기영동 전극; 및상기 전기영동 전극 사이에 정렬된 다발 형태의 탄소나노튜브들을 포함하는 탄소나노튜브 배선들을 포함하고,상기 전기영동 전극은 탄소 기반 전극을 포함하며,상기 탄소 기반 전극은, 탄소나노튜브로 형성된 전극, 그래핀으로 형성된 전극 및 탄소나노튜브와 그래핀의 합성물로 형성된 전극으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인, 정렬형 반도체 탄소나노튜브 웨이퍼
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