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ＥＳＤ 보호회로

  • 기술번호 : KST2015197226
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 ESD 보호회로는, 양의 단자와 음의 단자 사이에 연결되고, 입력전압에 따라 소정의 임계값에서 애벌런치 항복(Avalanche Breakdown)에 따른 출력전압 또는 출력전류를 형성하는 제1 정전기방전보호부; 및 상기 양의 단자와 상기 음의 단자에 연결되고, 상기 제1 정전기방전보호부에서 형성된 상기 출력전압 또는 상기 출력전류를 수신하며, 브릿지 연결된 도핑영역을 이용하여 트리거(Trigger) 동작을 수행하는 제2 정전기방전보호부를 포함한다.
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 27/0262(2013.01) H01L 27/0262(2013.01) H01L 27/0262(2013.01)
출원번호/일자 1020120110439 (2012.10.05)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1417351-0000 (2014.07.02)
공개번호/일자 10-2014-0044466 (2014.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20140708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구용서 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 경기도 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0806761-16
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0497786-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0273457-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0576214-48
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0576215-94
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0447594-26
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양의 단자와 음의 단자 사이에 연결되고, 입력전압에 따른 애벌런치 항복에 필요한 전압을 낮추기 위해 브릿지 연결되고, N형 불순물이 고농도로 도핑된 제1 브릿지 N도핑영역을 가지고, 상기 애벌런치 항복에 따른 출력전압 또는 출력전류를 형성하는 제1 정전기방전보호부; 및상기 양의 단자와 상기 음의 단자에 연결되고, 상기 제1 정전기방전보호부에서 형성된 상기 출력전압 또는 상기 출력전류를 수신하며, 브릿지 연결된 도핑영역인 제2 브릿지 N도핑영역을 이용하여 트리거 동작을 수행하는 제2 정전기방전보호부를 포함하는 ESD 보호회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 정전기방전보호부는 상기 애벌런치 항복에 따른 소정의 임계값에서의 출력전압이 상기 제2 정전기방전보호부에서 상기 트리거 동작을 수행시키는 전압보다 낮아 상기 제2 정전기방전보호부 보다 먼저 동작하는 ESD 보호회로
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 정전기방전보호부는,제1 노드에 연결된 이미터, 제2 노드에 연결된 베이스 및 제4 노드에 연결된 컬렉터를 포함하는 제1 PNP트랜지스터; 및상기 제2 노드에 연결된 컬렉터, 상기 제4 노드에 연결된 베이스 및 제5 노드에 연결된 이미터를 포함하는 제1 NPN트랜지스터를 포함하는 제1 SCR;상기 제2 노드에 연결된 소스, 제7 노드에 연결된 게이트 및 상기 제5 노드에 연결된 드레인을 포함하는 NMOS트랜지스터;상기 제1 노드와 상기 제2 노드 사이에 연결된 제1 N웰저항; 및상기 제4 노드와 제6 노드 사이에 연결된 제1 P웰저항을 포함하되,상기 양의 단자는 상기 제1 노드에 연결되고, 상기 음의 단자는 상기 제7 노드에 연결된 ESD 보호회로
6 6
제5항에 있어서, 상기 제2 정전기방전보호부는,상기 제1 노드에 연결된 이미터, 제3 노드에 연결된 베이스 및 상기 제5 노드에 연결된 컬렉터를 가지는 제2 PNP트랜지스터와, 상기 제3 노드에 연결된 컬렉터, 상기 제5 노드에 연결된 베이스, 상기 제7 노드에 연결된 제1 이미터 및 상기 제6 노드에 연결된 제2 이미터를 가지는 제2 NPN트랜지스터를 포함하는 제2 SCR;상기 제1 노드와 상기 제3 노드 사이에 연결된 제2 N웰저항; 및상기 제5 노드와 상기 제7 노드 사이에 연결된 제2 P웰저항을 포함하되,상기 양의 단자는 상기 제1 노드에 연결되고, 상기 음의 단자는 상기 제7 노드에 연결된 ESD 보호회로
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 SCR에서 형성된 출력전압 또는 출력전류는 상기 제1 NPN트랜지스터의 이미터를 통하여 상기 제5 노드에 연결된 상기 제2 PNP트랜지스터의 컬렉터, 상기 제2 NPN트랜지스터의 베이스 및 상기 제2 P웰저항에 제공되는 ESD 보호회로
8 8
제6항에 있어서,상기 제2 SCR을 턴 온시키기 위한 충전에너지는 상기 제1 PNP트랜지스터의 컬렉터에서 상기 제2 NPN트랜지스터의 제2 이미터로 제공되는 ESD 보호회로
9 9
제6항에 있어서상기 제2 SCR은, 상기 제2 NPN트랜지스터의 베이스와 브릿지 연결된 상기 제2 브릿지 N도핑영역과의 사이에서 애버런치 항복이 발생하면 상기 제2 NPN트랜지스터가 턴온되고, 상기 턴온된 제2 NPN트랜지스터는 상기 제2 PNP트랜지스터를 턴온시켜, 상기 제2 NPN트랜지스터와 상기 제2 PNP트랜지스터의 래치로 동작하는 ESD 보호회로
10 10
상호간에 인접하는 제1 N웰과 제1 P웰을 가지는 제1 웰 그룹; 및상기 제1 웰 그룹에 접하고 제2 N웰과 제2 P웰을 가지는 제2 웰 그룹을 가지고,상기 제1 N웰 상에는 양의 단자에 연결된 제1 N 도핑영역과 제1 P도핑영역이 형성되고, 상기 제1 P웰 상에는 제2 N 도핑영역과 제2 P 도핑영역이 형성되며, 상기 제1 N웰과 상기 제1 P웰에 걸쳐 브릿지 형태로 형성된 제1 브릿지 N 도핑영역이 형성되고,상기 제2 N웰 상에는 상기 양의 단자에 연결된 제3 N 도핑영역과 제3 P 도핑영역이 형성되고, 상기 제2 P웰 상에는 음의 단자에 연결된 제4 N 도핑영역, 상기 제2 N 도핑영역에 전기적으로 연결된 제4 P 도핑영역, 제2 P 도핑영역에 전기적으로 연결된 제5 N 도핑영역 및 상기 음의 단자에 연결된 제5 P 도핑영역이 형성되며,상기 제2 N웰과 상기 제2 P웰에 걸쳐 브릿지 형태로 형성된 제2 브릿지 N 도핑영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 ESD 보호회로
11 11
제10항에 있어서, 상기 제2 N 도핑영역과 상기 제1 브릿지 N도핑영역 사이에는 게이트가 형성되어 NMOS 트랜지스터를 형성하고, 상기 게이트는 상기 제4 N 도핑영역과 상기 제5 P 도핑영역에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 ESD 보호회로
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17 17
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 단국대학교 산업원천기술 개발사업(정보통신) BLDC 모터용 고전압/대전류 파워모듈 및 ESD 기술개발
2 지식경제부 단국대학교 대학IT연구센터지원 차세대 융복합 시스템용 아날로그 IP 핵심설계 기술 개발