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내부회로에 전원을 공급하는 전원관리회로에 있어서,입력전압을 충전하는 충전부;상기 충전부에 충전된 충전전압과 적어도 두 개의 기준전압들의 크기를 각각 비교하고 비교결과를 출력하는 비교부; 및상기 비교부의 비교결과에 기초하여 상기 내부회로의 전원으로 공급되는 상기 충전전압의 출력을 제어하는 논리회로부를 포함하며,상기 논리회로부는,상기 비교 결과로서의 제1 비교신호 및 제2 비교신호에 기초하여 스위칭신호를 출력하는 스위칭신호 출력부를 포함하고,상기 스위칭신호 출력부는,제1 노드와 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제1 MOSFET;제2 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제2 MOSFET;상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 접속되고 제4 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제3 MOSFET;상기 제4 노드와 제5 노드 사이에 접속되고 상기 제2 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제4 MOSFET; 및상기 제5 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제3 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제5 MOSFET를 포함하는 전원관리회로
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제1항에 있어서,상기 비교부는,상기 충전전압과 제1 기준전압을 비교하고 상기 제1 비교신호를 출력하는 제1 비교기; 및상기 충전전압과 제2 기준전압을 비교하고 상기 제2 비교신호를 출력하는 제2 비교기를 포함하며,상기 논리회로부는,상기 제1 비교신호에 응답하여 상기 내부회로에 상기 충전전압을 출력하고, 상기 제2 비교신호에 응답하여 상기 내부회로에 공급되는 상기 충전전압을 차단하는 전원관리회로
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제2항에 있어서,상기 논리회로부는,상기 스위칭신호에 응답하여 상기 충전전압을 출력하는 출력스위치를 더 포함하는 전원관리회로
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4
제3항에 있어서,상기 제3 노드의 신호는 상기 출력스위치의 게이팅 신호인 전원관리회로
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제3항에 있어서,상기 스위칭신호 출력부는,상기 제4 노드와 제6 노드 사이에 접속된 제1 저항;상기 제1 노드와 상기 제6 노드 사이에 접속된 제2 저항; 및 상기 제3 노드와 상기 제6 노드 사이에 접속된 제3 저항을 더 포함하며,상기 출력스위치는,상기 제6 노드와 상기 충전전압이 출력되는 출력노드 사이에 접속되는 전원관리회로
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제2항에 있어서, 상기 제1 기준전압과 제2 기준전압의 레벨은 서로 다른 전원관리회로
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전력을 발생시키는 전력발생소자;상기 전력발생소자에 의해서 발생된 전압을 내부회로에 공급하는 전원관리회로를 포함하며,상기 전원관리회로는,상기 전력발생소자에서 발생된 전압을 충전하는 충전부;상기 충전부에 충전된 충전전압과 적어도 두 개의 기준전압들의 크기를 각각 비교하고 비교결과를 출력하는 비교부; 및상기 비교부의 비교결과에 기초하여 상기 내부회로의 전원으로 공급되는 상기 충전전압의 출력을 제어하는 논리회로부를 포함하며,상기 논리회로부는,상기 비교 결과로서의 제1 비교신호 및 제2 비교신호에 기초하여 스위칭신호를 출력하는 스위칭신호 출력부를 포함하고,상기 스위칭신호 출력부는,제1 노드와 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제1 MOSFET;제2 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제1 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제2 MOSFET;상기 제2 노드와 제3 노드 사이에 접속되고 제4 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제3 MOSFET;상기 제4 노드와 제5 노드 사이에 접속되고 상기 제2 비교신호에 응답하여 게이팅되는 제4 MOSFET; 및상기 제5 노드와 상기 접지단자 사이에 접속되고 상기 제3 노드의 신호에 응답하여 게이팅되는 제5 MOSFET를 포함하는 센서노드
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