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기준전압 발생기

  • 기술번호 : KST2015140779
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 온도 변화에 독립적인 기준전압 발생기가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 기준전압 발생기는 온도 변화에 상응하여 1차 보상된 제1 전류를 생성하는 제1 전류 발생부; 온도변화의 2차 함수에 상응하여 제2 전류를 생성하는 제2 전류 발생부; 및 제1 및 제2 전류를 전달받아 기준전압을 생성하는 통합부를 포함한다. 본 발명에 따르면, 온도의 변화에 따른 출력전압의 편차를 줄일 수 있으며, 회로의 복잡도가 낮다는 장점이 있다. 기준전압, 온도변화, MOS
Int. CL G05F 3/24 (2006.01.01) G05F 3/26 (2006.01.01)
CPC G05F 3/245(2013.01) G05F 3/245(2013.01)
출원번호/일자 1020060109209 (2006.11.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0825956-0000 (2008.04.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.11.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 곽계달 대한민국 서울 종로구
3 임준연 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이경란 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0812426-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0058819-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0573733-12
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0930325-81
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0930302-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0212226-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
온도 변화에 독립적인 기준전압 발생기에 있어서,상기 온도 변화에 상응하여 1차 보상된 제1 전류를 생성하는 제1 전류 발생부;상기 온도변화의 2차 함수에 비례하는 제2 전류를 생성하는 제2 전류 발생부; 및 상기 제1 및 제2 전류를 전달받아 기준전압을 생성하는 통합부를 포함하는 기준전압 발생기
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1 및 제2 전류 발생부의 동작여부를 제어하는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생기
3 3
제 2항에 있어서,상기 구동부는 게이트(gate)가 연결된 제1 및 제2 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor) 및 커패시터를 포함하되,상기 커패시터는 상기 제1 및 제2 NMOS의 게이트와 전원전압(Vdd)을 연결하고,상기 게이트에서 생성되는 기생커패시터와 상기 커패시터로 형성되는 전압분배기를 이용하여 이용한 분배 전압값이 상기 제1 및 제2 NMOS의 게이트에 전달되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생기
4 4
제 3항에 있어서,상기 분배 전압값이 상기 제1 및 제2 NMOS의 문턱전압값을 넘는 경우, 상기 제1 및 제2 NMOS의 드레인에 각각 연결된 상기 제1 및 제2 전류 발생부가 동작되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생기
5 5
제 4항에 있어서, 상기 구동부는 미러형태로 결합하는 제3, 제4와 제5 NMOS 를 더 포함하되,상기 제3 NMOS의 게이트는 상기 제4 NMOS 게이트와 연결되고, 상기 제4 NMOS 게이트는 상기 제5 NMOS 게이트와 연결되고, 상기 제5 NMOS의 드레인은 상기 제1 및 제2 NMOS의 게이트에 연결되고, 상기 미러(mirror)형태로 결합하는 제3 및 제4 NMOS의 게이트는 상기 제1 전류 발생부의 미러 형태로 연결된 복수개의 MOS 소자 중 어느 하나로부터 소정의 전압을 공급받는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생기
6 6
제 5항에 있어서,상기 제1 전류 발생부가 동작하여 상기 제3 및 제4 NMOS의 게이트를 통하여 상기 제5 NMOS의 게이트에 전달되는 소정의 전압값이 상기 제5 NMOS의 문턱전압값을 넘는 경우, 제5 NMOS는 상기 제1 및 제2 NMOS의 게이트 전압레벨을 감소시키는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생기
7 7
제 1항에 있어서,상기 제1 전류 발생부는 게이트가 연결된 복수의 PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor);상기 게이트와 출력단자가 연결된 증폭기;제1 내지 제5 저항(R1, R2, R3, R4, R5); 제1 및 제2 다이오드(Q1, Q2)를 포함하되,제1 PMOS의 드레인과 기판전압(Vss)사이에 직렬로 연결되는 제1 저항(R1)과 제2 저항(R2)사이의 접속점에 상기 증폭기의 제1 입력단자가 연결되고,제2 PMOS의 드레인과 기판전압(Vss)사이에 직렬로 연결되는 제3 저항(R3)과 제4 저항(R4)사이의 접속점에 상기 증폭기의 제2 입력단자가 연결되고,상기 제1 저항(R1)과 상기 제1 PMOS(pd1) 사이의 접속점이 제1 트랜지스터(Q1)의 에미터(emitter)와 연결되며,상기 제3 저항(R3)과 상기 제2 PMOS(pd2) 사이의 접속점은 상기 제5 저항(R5)을 통하여 상기 제2 트랜지스터(Q2)의 에미터와 연결되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생기
8 8
제 1항에 있어서,상기 제2 전류 발생부는복수개의 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor); 및게이트가 연결되고 소스(source)가 전원전압(Vdd)에 연결된 복수의 PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor)를 포함하되,제1 및 제2 PMOS의 드레인은 게이트가 연결된 제1 및 제2 NMOS의 드레인에 각각 연결되고,제1 및 제3 PMOS의 드레인은 게이트가 연결된 제3 및 제4 NMOS의 드레인에 각각 연결되고,상기 제1 PMOS, 상기 제1 NMOS 및 상기 제3 NMOS의 게이트는 각각 드레인에 연결되고,상기 제2 전류를 제4 PMOS의 드레인에서 생성하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생기
9 9
제8항에 있어서,상기 제1, 제2 및 제4 PMOS는 강반전영역(strong inversion)에서 작동하고,상기 제1 및 제2 NMOS는 약한 반전영역(weak inversion)에서 작동하고,상기 제4 NMOS는 선형 동작 영역(linear)에서 작동하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생기
10 10
제 1항에 있어서,상기 통합부는 상기 제1 및 제2 전류 발생부에서 각각 생성된 상기 제1 및 제2 전류를 전류 거울(current mirror)을 통하여 각각 추출하고 통합하여 소정의 저항을 통과시켜 기준전압을 외부회로에 공급하는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.