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실리콘 기판의 표면 박리 방법

  • 기술번호 : KST2015200004
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결정질 실리콘 기판의 박리 방법에 관한 것으로, 결정질 실리콘 기판의 표면에 전해 증착 응력이 잔류하는 자성 재질의 스트레스층을 전해 증착 공정으로 형성하는 단계; 및 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의해 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계를 포함하며, 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계에서 자석을 사용하여 상기 스트레스층에 힘을 가하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/301 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 21/78 (2006.01)
CPC H01L 21/304(2013.01) H01L 21/304(2013.01) H01L 21/304(2013.01)
출원번호/일자 1020140140639 (2014.10.17)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자 10-1556215-0000 (2015.09.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유봉영 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 유성국 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 양창열 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0990361-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0025794-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0395479-65
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0777705-03
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0777706-48
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0635945-04
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번호 청구항
1 1
결정질 실리콘 기판의 표면에 전해 증착 응력이 잔류하는 자성 재질의 스트레스층을 전해 증착 공정으로 형성하는 단계; 상기 스트레스층 위에 비자성 재질의 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의해 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계를 포함하며,상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계에서 자석을 사용하여 상기 스트레스층에 힘을 가하며, 상기 버퍼층이 스트레스층의 응력을 조절함과 동시에 비자성 재질의 특성에 의해서 상기 스트레스층에 미치는 자석의 자력을 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 자석에 곡면이 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 자석이 전자석인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서,상기 스트레스층이 Ni, Co, Fe 중에 하나의 금속 또는 이들의 합금 재질인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 스트레스층을 형성하는 단계에서, 전해 증착 공정에 사용되는 도금욕에 첨가물을 첨가하여 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력을 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 스트레스층이 NiCl2와 H3BO3 및 H3PO3를 포함하여 구성된 도금욕으로 전해 증착된 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 스트레스층을 형성하는 단계에서, 전해 증착 공정의 전류밀도를 조절하여 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력을 조절하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 스트레스층을 형성하는 단계에 앞서, 전해 증착 공정을 위한 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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1 CN106463376 CN 중국 FAMILY
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1 CN106463376 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN106463376 CN 중국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 에리카산학협력단 산업기술혁신사업 / 에너지기술개발사업 / 신재생에너지기술개발사업(RCMS) 변환 효율 20%달성을 위한 두께 20㎛급 플라즈모닉 초박형 실리콘-금속 이종접합 태양전지 개발