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제1 트랜지스터, 제2 트랜지스터, 및 LC 공진기를 포함하는 전압 제어 발진부; 및 제3 트랜지스터, 및 제4 트랜지스터를 포함하고, 상기 전압 제어 발진부로 정전류를 공급하는 전류 미러부를 포함하되, 상기 제2 트랜지스터의 제어 전극은 상기 제1 트랜지스터의 일방의 도통 전극과 연결되고, 상기 제2 트랜지스터의 일방의 도통 전극은 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 연결되고, 상기 LC 공진기는 상기 제1 트랜지스터의 일방의 도통 전극 및 상기 제2 트랜지스터의 일방의 도통 전극 사이에 연결되며, 상기 제3 트랜지스터의 제어 전극은 상기 제1 트랜지스터의 일방의 도통 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터의 일방의 도통 전극과 상기 제3 트랜지스터의 제어 전극은 제1 캐패시터를 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서, 상기 제3 트랜지스터의 일방의 도통 전극은 상기 제2 트랜지스터의 타방의 도통 전극과 연결되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 제3 트랜지스터의 제어 전극과 상기 제4 트랜지스터의 제어 전극은 저항을 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제5항에 있어서,상기 제4 트랜지스터의 제어 전극은 제2 캐패시터를 통하여 접지와 연결되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제1항에 있어서,상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 및 상기 제4 트랜지스터는 P-타입(type) 트랜지스터 또는 N-타입 트랜지스터이고, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터는 동일한 타입의 트랜지스터이며, 상기 제1 트랜지스터의 타입과 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제4 트랜지스터의 타입은 서로 다른 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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8
제1항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터, 상기 제3 트랜지스터, 및 상기 제4 트랜지스터 중에서 적어도 하나는 FET(Field Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제1 트랜지스터;제어 전극이 상기 제1 트랜지스터의 일방의 도통 전극과 연결되고, 일방의 도통 전극은 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 연결되는 제2 트랜지스터;상기 제1 트랜지스터의 일방의 도통 전극 및 상기 제2 트랜지스터의 일방의 도통 전극 사이에 연결되는 LC 공진기;일방의 도통 전극이 상기 제2 트랜지스터의 타방의 도통 전극과 연결되고, 제어 전극이 상기 제1 트랜지스터의 일방의 도통 전극과 연결되는 제3 트랜지스터; 및 제어 전극이 상기 제3 트랜지스터의 제어 전극과 연결되어 상기 제3 트랜지스터와 함께 전류 미러를 형성하는 제4 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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제9항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터의 일방의 도통 전극과 상기 제3 트랜지스터의 제어 전극은 캐패시터를 통하여 연결되는 것을 특징으로 하는 전압 제어 발진기
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