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대칭적인 구조를 갖는 상호 보완적인 교차-결합된 NMOS와 대칭적인 구조를 갖는 상호 보완적인 교차-결합된 PMOS, 상기 교차 결합된 NMOS 상단에 구비된 상기 교차 결합된 PMOS 사이에 구비되는 하나의 인덕터(L)와 하나의 캐패시터(C)를 포함하는 LC 공진기를 이용한 전압 제어 발진기(VCO)에 있어서,상기 LC 공진기를 이용한 전압 제어 발진시(VCO)에서 하나의 인덕터(L)와 하나의 캐패시터(C)를 사용하는 대신에, 상기 LC 공진기를 이용한 VCO를 기반으로 다중대역 동작이 가능한 하나의 가변 인덕터(L)와 2-bit 가변 캐패시터(2-bit switched capacitor) 및 바랙터(varactor)로 구현한 탱크회로(TUNE)를 추가로 구비하여 상기 가변 인덕터(L)의 인덕턴스와 탱크회로(TUNE)의 캐패시턴스를 제어하여 공진 주파수를 조절하며, CMOS 공정에 의해, 교차-결합된 NMOS(cross-coupled NMOS)들과 교차-결합된 PMOS(cross-coupled PMOS)들 사이에 병렬로 연결한 LC 공진기에 다중대역 동작을 위한 하나의 가변 인덕터(L)를 구성하여 스위치 역할을 하는 NMOS(N-타입 FET)를 이용해 상기 가변 인덕터(L)의 인덕턴스(inductance)를 가변하고, 그에 따른 공진 주파수를 발진하여 출력시키며, 상기 교차-결합된 NMOS(Cross-coupled NMOS, cross-coupled N-타입 FET)들과 교차-결합된 PMOS(Cross-coupled PMOS, cross-coupled P-타입 FET)들의 source 단자에 2nd harmonic tuning을 위한 상기 가변 인덕터를 구성하여 저 위상 잡음 특성을 가지며,상기 가변 인덕터는 다중대역 동작 가능한 인덕터 구조로 된 팔각형 형태의 인덕터의 turn 수를 더 추가하여 각 대역에 필요한 인덕턴스를 선택할 수 있도록 하며, 각 대역에 필요한 인덕턴스는 NMOS 스위치 특성 ON/OFF를 이용하여 선택할 수 있도록 하였으며, 상기 다중대역 동작 가능한 인덕터 구조에서 NMOS 스위치 SW1, SW2, SW3를 배치하는, 저 위상잡음 특성을 갖는 다중대역 CMOS LC VCO 회로
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제1항에 있어서, 상기 2-bit 가변 캐패시터를 구성하여 튜닝(tuning)할 수 있도록 하며, 상기 바랙터(varactor)를 이용해 연속적으로 동작 주파수를 가변할 수 있도록 하는, 저 위상잡음 특성을 갖는 다중대역 CMOS LC VCO 회로
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제1항에 있어서, 상기 LC 공진기의 인덕터에 있는 N-타입 FET 스위치 인 SW1, SW2, SW3이 전부 OFF 상태일 때 인덕터의 인덕턴스는 해당하는 제1 주파수 대역(0
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제1항에 있어서, 상기 LC 공진기의 인덕터에 있는 NMOS 스위치 인 SW1이 ON 상태이고, SW2와 SW3이 OFF 상태일 때 인덕터의 인덕턴스는 해당하는 제2 주파수 대역(1
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제1항에 있어서, 상기 LC 공진기의 인덕터에 있는 NMOS 스위치인 SW1과 SW2가 OFF 상태이고, SW3이 ON 상태일 때 인덕터의 인덕턴스는 해당하는 제3 주파수 대역(2
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제1항에 있어서, 상기 LC 공진기의 인덕터에 있는 NMOS 스위치인 SW1과 SW3이 OFF 상태이고, SW2가 ON 상태일 때 인덕터의 인덕턴스는 해당하는 제4 주파수 대역(5 GHz 대역에서 VCO가 동작하는, 저 위상잡음 특성을 갖는 다중대역 CMOS LC VCO 회로
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