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수직적으로 상관된 방울 애피택시에 의한 다중 적층된 나노링 자발 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015201279
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따르면, 3 개의 일분자층(monolayer)을 갖는 Ga 나노 방울이 AS 고갈 상태에서 GaAs 기판 표면 샘플 상에 방울 애피택시 공정에 의해 증착되어 Ga 나노 방울이 형성되는 나노 방울 형성 단계; 상기 Ga 나노 방울 형성 단계 이후에 상기 Ga 나노 방울 형성 단계와 동일한 양의 Ga 나노 방울이 AS 고갈 상태에서 Ga 나노 방울이 형성된 GaAs 기판 표면 샘플 상에 방울 애피택시 공정에 의해 증착되어 나노링으로 결정화되는 나노링 형성단계; 상기 나노링 형성단계 이후에, 상기 방울 애피택시 공정 중 As 셀 셔터가 닫힌 상태에서, As 배경 압력을 감소하기 위하여 10분 동안 성장이 정지되고, 상기 3 개의 일분자층(monolayer)을 갖는 Ga 나노 방울이 수직으로 증착이 수행되어 나노 방울/나노링 하이브리드 구조를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직적으로 상관된 방울 애피택시에 의한 다중 적층된 나노링 자발 형성 방법이 제공된다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020140006928 (2014.01.20)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1524275-0000 (2015.05.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지훈 대한민국 서울 노원구
2 김은수 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0058570-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0090175-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0170208-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0321222-35
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.01 무효 (Invalidation) 1-1-2015-0321272-18
8 보정요구서
Request for Amendment
2015.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0065448-01
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0352272-23
10 보정요구서
Request for Amendment
2015.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0075548-47
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0415616-47
12 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0415600-17
13 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2015.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0080212-30
14 등록결정서
Decision to grant
2015.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0336236-61
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
3 개의 일분자층(monolayer)을 갖는 Ga 나노 방울이 AS 고갈 상태에서 GaAs 기판 표면 샘플 상에 방울 애피택시 공정에 의해 증착되어 Ga 나노 방울이 형성되는 나노 방울 형성 단계;상기 Ga 나노 방울 형성 단계 이후에 상기 Ga 나노 방울 형성 단계와 동일한 양의 Ga 나노 방울이 AS 고갈 상태에서 상기 Ga 나노 방울이 형성된 GaAs 기판 표면 샘플 상에 방울 애피택시 공정에 의해 증착되어 GaAs나노링으로 결정화되는 나노링 형성단계; 상기 나노링 형성단계를 복수회 수행하여 상기 GaAs나노링을 수직 적층하는 단계; 및상기 수직 적층하는 단계 이후에, 상기 방울 애피택시 공정 중 As 셀 셔터가 닫힌 상태에서, As 배경 압력을 감소하기 위하여 10분 동안 성장이 정지되고, 3 개의 일분자층(monolayer)을 갖는 Ga 나노 방울이 수직으로 증착이 수행되어 나노 방울/나노링 하이브리드 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직적으로 상관된 방울 애피택시에 의한 다중 적층된 나노링 자발 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서상기 나노링 형성단계는 상기 Ga 나노 방울에 As4 flux (1
3 3
제 1항에 있어서상기 나노 방울/나노링 하이브리드 구조는 Ga 나노 방울이 GaAs 나노링 상에 형성된 것을 특징으로 하는 수직적으로 상관된 방울 애피택시에 의한 다중 적층된 나노링 자발 형성 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 나노 방울/나노링 하이브리드 구조는 Ga 나노 방울이 GaAs 나노링의 중심에서 핵형성을 하여 형성된 것을 특징으로 하는 수직적으로 상관된 방울 애피택시에 의한 다중 적층된 나노링 자발 형성 방법
5 5
삭제
6 6
a) Al0
7 7
삭제
8 8
a) GaAs가 버퍼 성장 후에 기판 온도 280℃에서 증착되는 단계;b) 상기 증착된 GaAs방울이 As4 flux (1
9 9
제 6항 또는 제 8항에 있어서, 상기 다중 적층된 나노링 자발 형성 방법에서 다중 적층된 나노링 구조의 높이는 상기 복수회 수행하는 사이클의 증가에 따라서 증가하는 것을 특징으로 하는 다중 적층된 나노링 자발 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 광운대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 양자/나노 구조물 기반 다중 수직적층 PV 연구
2 미래창조과학부 광운대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 홀로-디지로그 휴먼미디어 연구센터