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하부 단자층 상부에 n-도핑된 GaAs기판;상기 GaAs기판에 형성된 80nm의 제1 GaAs층;상기 제1 GaAs층 표면에 성장하여 배열된 InAs QD(Quantum Dot)층;상기 InAs QD층에 부분적으로 10-monolayer두께의 GaAs로 캡핑되는 캡핑층;상기 캡핑층 상부에 형성된 제2 GaAs층;상기 제2 GaAs층 상부에 형성된 50nm 두께의 Al0
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제1항에 있어서,상기 제1 GaAs층은 GaAs가 80nm의 두께로 성장하여 형성되며, 상기 제2 GaAs층은 GaAs가 230nm의 두께로 성장하여 형성되며, 상기 제3 GaAs층은 GaAs가 10nm 두께로 성장하여 형성된 것을 특징으로 하는 측면 자발형성 양자점 분자의 시료 소자
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제1항에 있어서,상기 Ti 단자층 상부 일측에 1-㎛ gap을 갖는 Al Schottky contact 층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 자발형성 양자점 분자의 시료 소자
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n-도핑된 GaAs기판을 형성하는 단계;상기 n-도핑된 GaAs기판 상에 도핑되지 않은 제1 GaAs층을 형성하는 단계;상기 제1 GaAs 표면 상에 InAs QD(QUANTUM DOT)층을 형성하는 단계;상기 InAs QD(QUANTUM DOT)층에 부분적으로 10-monolayer두께의 GaAs로 캡핑층을 형성하는 단계;상기 캡핑층 상부에 제2 GaAs층을 형성하는 단계;상기 제2 GaAs층 상부에 50nm 두께의 Al0
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제5항에 있어서,상기 제1 GaAs층은 GaAs가 80nm의 두께로 성장하여 형성되며, 상기 제2 GaAs층은 GaAs가 230nm의 두께로 성장하여 형성되며, 상기 제3 GaAs층은 GaAs가 10nm 두께로 성장하여 형성된 것을 특징으로 하는 측면 자발형성 양자점 분자의 시료 소자의 제조방법
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상기 제5항으로 제조된 측면 자발형성 양자점 분자 시료 소자에 수직바이어스 전압으로 전기장을 성장방향에 따라 공급하는 단계;상기 측면 자발형성 양자점 분자 시료 소자에 선형 편광된 레이저를 조사하는 단계;상기 측면 자발형성 양자점 분자 시료 소자로부터 방출된 광루미네선스를 수집하는 단계;상기 수집된 광루미네선스를 분석하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 측면 자발형성 양자점 분자의 쿨롱 상호 작용 분석방법
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제8항에 있어서상기 측면 자발형성 양자점 분자 시료 소자는 오른쪽 양자점에 낮은-에너지의 PL emission이 방출되도록 배치하고, 왼쪽 양자점에 높은-에너지 PL emissio이 방출되도록 배치하는 것을 특징으로 하는 측면 자발형성 양자점 분자의 쿨롱 상호 작용 분석방법
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제8항에 있어서,상기 수집된 광루미네선스를 분석하는 단계는,각 전압의 단계별로 PL 라인 강도의 함수로 나타낸 후, 에너지 분리를 가지는 PL 라인 쌍으로 구분하여 분석하는 것을 특징으로 하는 측면 자발형성 양자점 분자의 쿨롱 상호 작용 분석방법
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