| 1 |
1
반도체 기판을 준비하는 공정;상기 반도체 기판의 소정 영역에 도펀트를 선택적으로 도핑시켜 상기 반도체 기판의 소정 영역과 PN 접합을 형성하는 복수의 제 1 도핑 영역을 형성하는 공정;상기 복수의 제 1 도핑 영역을 포함하는 반도체 기판 상에 반사 방지층을 형성하는 공정;상기 반사 방지층을 관통하여 상기 복수의 제 1 도핑 영역 각각에 접속되는 복수의 전면 전극을 형성하는 공정; 및상기 반도체 기판에 접속되는 적어도 하나의 후면 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 복수의 제 1 도핑 영역을 형성하는 공정은 상기 반도체 기판 상에 도펀트 물질을 형성하는 공정 및 상기 도펀트 물질에 50㎛ ~ 2mm 범위의 직경을 가지는 플라즈마를 선택적으로 분사하여 상기 도펀트를 상기 반도체 기판의 소정 영역에 선택적으로 도핑시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판 상에 도펀트 물질을 형성하는 공정은 상기 반도체 기판의 소정 영역 상에 상기 도펀트 물질을 선택적으로 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 반도체 기판의 소정 영역 상에 상기 도펀트 물질을 선택적으로 형성하는 공정은,상기 반도체 기판의 소정 영역에 중첩되는 개구부를 가지는 마스크를 상기 반도체 기판 상에 배치하는 공정; 및상기 마스크의 개구부에 중첩되는 상기 반도체 기판의 소정 영역 상에 상기 도펀트 물질을 코팅하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판 상에 도펀트 물질을 형성하는 공정은 상기 반도체 기판의 상면 전체에 상기 도펀트 물질을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 복수의 제 1 도핑 영역 각각의 폭은 10㎛ ~ 1㎜ 범위인 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 제조 방법
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,열처리 공정을 수행하여 상기 후면 전극의 물질을 상기 반도체 기판의 하면으로 침투시켜 제 2 도핑 영역을 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지며,상기 후면 전극은 상기 제 2 도핑 영역을 통해 상기 반도체 기판에 접속되는 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도핑 영역은 상기 반도체 기판의 상면에서부터 0
|
| 10 |
10
제 2 항, 제 3 항, 및 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도펀트 물질은 0
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 도펀트 물질을 형성하는 공정 이전에 상기 반도체 기판을 소정 온도를 가열하는 공정, 또는 상기 제 1 도핑 영역을 형성하는 공정 이후에 상기 반도체 기판을 소정 온도를 가열하는 공정을 더 포함하여 이루어지거나,상기 도펀트 물질을 형성하는 공정 이전 및 제 1 도핑 영역을 형성하는 공정 이후에 상기 반도체 기판을 소정 온도를 가열하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 제조 방법
|
| 12 |
12
반도체 기판의 상면에 도펀트 물질을 형성하는 공정; 및상기 도펀트 물질에 50㎛ ~ 2mm 범위의 직경을 가지는 플라즈마를 선택적으로 분사하여 도펀트를 상기 반도체 기판의 소정 영역에 선택적으로 도핑시켜 복수의 도핑 영역을 형성하는 플라즈마 도핑 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 도핑 방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 도펀트 물질은 상기 반도체 기판의 상면에 소정 간격으로 이격되도록 형성되거나, 상기 반도체 기판의 상면 전체에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 도핑 방법
|
| 14 |
14
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 도펀트 물질은 0
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 플라즈마 도핑 공정은 상기 도펀트 물질에 플라즈마를 라인 빔(Line Beam) 형태로 분사하여 상기 도펀트를 상기 반도체 기판의 전체 영역에 도핑시켜 도핑 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판형 태양 전지의 도핑 방법
|
| 17 |
17
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,상기 도핑 영역은 상기 반도체 기판의 상면에서부터 0
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
삭제
|
| 20 |
20
삭제
|
| 21 |
21
삭제
|
| 22 |
22
삭제
|
| 23 |
23
삭제
|
| 24 |
24
삭제
|
| 25 |
25
삭제
|
| 26 |
26
삭제
|
| 27 |
27
삭제
|
| 28 |
28
삭제
|
| 29 |
29
삭제
|
| 30 |
30
삭제
|
| 31 |
31
삭제
|
| 32 |
32
삭제
|
