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a) 고농도로 도핑된 GaAs 기판층 형성단계;b) 상기 고농도로 도핑된 GaAs 기판 위에 도핑되지 않은 GaAs층을 성장시키는 버퍼층 형성 단계;c) 상기 버퍼층에 Al0
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청구항 제 1항에 있어서h) 상기 g) 단계 이후에 상기 다중 양자링 구조체층 위에 제2 도전성 반도체층이 형성되는 제2 도전성 반도체층 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자링(quantum ring) 구조를 가진 태양전지 제조방법
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제 2항에 있어서상기 h) 단계 이후에 700℃-850℃ 분위기에서 열처리되는 어닐링 단계: 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자링(quantum ring) 구조를 가진 태양전지 제조방법
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청구항 제 2항에 있어서,상기 h) 단계 이후에 상기 제2 도전성 반도체층 위에 전극층 (contact layer)이 형성되는 전극층 형성 단계: 를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자링(quantum ring) 구조를 가진 태양전지 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 버퍼층은 580℃ 분위기에서 GaAs층을 0
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청구항 제1 항에 있어서,상기 Ga 액적은 10모노레이어(monolayer) 범위의 량에 해당하는 것을 특징으로 하는 양자링(quantum ring) 구조를 가진 태양전지 제조방법
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P 타입의 GaAs 기판;상기 GaAs 기판 위에 도핑되지 않은 GaAs층으로 형성되는 GaAs 버퍼층;GaAs 버퍼층 위에 Al0
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제 7항에 있어서,상기 GaAs 에미터층 위에 50nm 두께로 Si-도핑된 GaAs 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자링(quantum ring) 구조를 가진 태양전지
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제 7항에 있어서,상기 버퍼층은 580℃ 분위기에서 GaAs층을 0
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10
제 7항에 있어서상기 제 1 베리어층은 580℃ 분위기에서 GaAs층을 30nm 성장시킨 것을 특징으로 하는 양자링(quantum ring) 구조를 가진 태양전지
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