맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

플로팅 게이트 형성 방법 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015201342
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 밀도 및 크기를 용이하게 조절할 수 있는 나노 크기의 나노 크리스탈을 고온의 열처리 공정 없이 마이셀을 이용하여 합성하여, 비휘발성 메모리 장치의 플로팅 게이트로 사용할 수 있도록 하는 플로팅 게이트 형성 방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방에 관한 것이다. 이러한, 본 발명은 반도체 기판 상에 플로팅 게이트를 형성하는 방법은, 반도체 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계와, 상기 터널링 산화막 상에 자기 조립 방식으로 형성되는 나노 구조에 금속염을 합성할 수 있는 선구 물질이 도입된 마이셀 템플릿을 포함하는 게이트 형성 용액을 코팅하는 단계와, 상기 반도체 기판 상의 상기 마이셀 템플릿을 제거하여 상기 터널링 산화막 상에 상기 금속염을 배열시켜 상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함한다. 비휘발성 메모리, 플로팅 게이트, 마이셀 중합체, 나노 크리스탈, 자기 조립
Int. CL H01L 21/8247 (2011.01) H01L 27/115 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020070030850 (2007.03.29)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0900569-0000 (2009.05.26)
공개번호/일자 10-2008-0088214 (2008.10.02) 문서열기
공고번호/일자 (20090602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.29)
심사청구항수 17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울특별시 송파구
2 이장식 대한민국 서울 성북구
3 손병혁 대한민국 서울 용산구
4 이치영 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0246204-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.05.03 수리 (Accepted) 4-1-2007-5068578-69
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0334260-98
4 서지사항보정서(납부자번호)
Amendment to Bibliographic items(Payer Number)		 2007.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0352962-42
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2007.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0376198-27
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006485-92
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0091651-39
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0287054-31
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0360743-27
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0444157-29
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0525565-77
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0595652-15
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0660814-29
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0734435-97
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0734434-41
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0061006-08
18 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.03.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0012284-84
19 등록결정서
Decision to grant		 2009.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0164460-40
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 플로팅 게이트를 형성하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계와, 마이셀 각각이 용매에 용해되는 코로나 블록과 용매에 용해되지 않는 코어 블록으로 이루어지며 자기조립방식으로 나노 구조를 형성하는 마이셀 중합체와 금속염을 합성할 수 있는 나노 입자의 선구물질을 용매에 용해시켜, 상기 코어 블록으로 이루어지는 마이셀 템플릿에 상기 선구물질이 선택적으로 도입된 플로팅 게이트 형성 용액을 준비하는 단계와, 상기 플로팅 게이트 형성 용액을 상기 터널링 산화막 상에 코팅하여 각각 상기 선구물질이 도입된 다수의 마이셀 템플릿을 터널링 산화막과 코어 블록 사이의 친화력을 이용하여 터널링 산화막 위에 나노 크기로 배열시키는 단계와, 상기 마이셀 템플릿을 제거하여 상기 터널링 산화막 상에 상기 금속염으로부터 합성되는 다수의 금속 나노 크리스탈을 배열시켜 상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 플로팅 게이트 형성 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 마이셀 템플릿의 제거는, 플라즈마를 인가하는 플라즈마 공정 또는 열처리 공정을 통해 제거하는 것을 특징으로 하는 플로팅 게이트 형성 방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 플라즈마 공정 또는 열처리 공정을 통해 상기 금속염이 산화되는 경우, 상기 금속염을 환원시키는 단계를 더 포함하는 플로팅 게이트 형성 방법
4 4
제3 항에 있어서, 상기 금속염을 환원시키는 단계는, 수소 분위기에서 열처리하는 공정 또는 수소 플라즈마를 인가하는 공정 중 어느 하나의 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 플로팅 게이트 형성 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 터널링 산화막은, 하프늄 옥사이드() 산화막, 이산화규소() 산화막 및 산화알루미늄() 산화막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 플로팅 게이트 형성 방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 선구 물질은, 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 루테늄(Ru) 및 카드뮴(Cd) 중 어느 하나의 금속염을 합성할 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 플로팅 게이트 형성 방법
7 7
제1 항에 있어서, 상기 마이셀은 블록 중합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플로팅 게이트 형성 방법
8 8
제1 항에 있어서, 상기 마이셀 중합체의 코로나 블럭 분자량 또는 코어 블럭 분자량을 조절함에 의해 상기 금속 나노 크리스탈의 밀도가 제어되는 것을 특징으로 하는 플로팅 게이트 형성 방법
9 9
제1 항에 있어서, 상기 플로팅 게이트는, 비휘발성 메모리의 플로팅 게이트 또는 박막트랜지스터-액정표시장치(TFT-LCD)의 플로팅 전극에 적용되는 것을 특징으로 하는 플로팅 게이트 형성 방법
10 10
제9 항에 있어서, 상기 비휘발성 메모리는, 플래쉬 메모리인 것을 특징으로 하는 플로팅 게이트 형성 방법
11 11
비휘발성 메모리 장치의 제조 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 터널링 산화막을 형성하는 단계와, 마이셀 각각이 용매에 용해되는 코로나 블록과 용매에 용해되지 않는 코어 블록으로 이루어지며 자기조립방식으로 나노 구조를 형성하는 마이셀 중합체와 금속염을 합성할 수 있는 나노 입자의 선구물질을 용매에 용해시켜, 상기 코어 블록으로 이루어지는 마이셀 템플릿에 상기 선구물질이 선택적으로 도입된 플로팅 게이트 형성 용액을 준비하는 단계와, 상기 플로팅 게이트 형성 용액을 상기 터널링 산화막 상에 코팅하여 각각 상기 선구물질이 도입된 다수의 마이셀 템플릿을 터널링 산화막과 코어 블록 사이의 친화력을 이용하여 터널링 산화막 위에 나노 크기로 배열시키는 단계와, 상기 마이셀 템플릿을 제거하여, 상기 금속염으로 합성된 다수의 금속 나노 크리스탈을 상기 터널링 산화막 상에 배열하는 단계와, 상기 터널링 산화막 및 상기 금속 나노 크리스탈 상에 컨트롤 산화막을 형성하는 단계와, 상기 컨트롤 산화막 상에 컨트롤 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
12 12
제11 항에 있어서, 상기 마이셀 템플릿을 플라즈마 공정 또는 열처리 공정을 통해 제거하면서 상기 금속 나노 크리스탈이 산화되는 경우, 수소 분위기 열처리 또는 수소 플라즈마 처리를 통해 상기 금속 나노 크리스탈을 환원시키는 단계를 더 포함하는 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
13 13
제11 항에 있어서, 상기 마이셀은 블록 중합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
14 14
제11 항에 있어서, 상기 선구 물질은, 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 루테늄(Ru) 및 카드뮴(Cd) 중 어느 하나의 금속염을 합성할 수 있는 물질인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
15 15
제11 항에 있어서, 상기 마이셀 템플릿을 자기 조립 방식으로 형성할 수 있는 마이셀 중합체의 코로나 블록의 분자량 또는 코어 블록의 분자량을 조절하여, 상기 금속 나노 크리스탈의 밀도를 제어하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
제7 항에 있어서, 상기 블록 중합체는 PS-PVP(polystyrene-poly(vinyl pyridine))로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플로팅 게이트 형성 방법
23 23
제13 항에 있어서, 상기 블록 중합체는 PS-PVP(polystyrene-poly(vinyl pyridine))로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07897458 US 미국 FAMILY
2 US20080237692 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008237692 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7897458 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.