맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

ＦＡＬＣ 공정을 이용한 다결정 실리콘 ＴＦＴ 어레이 기판 제조에서의 채널 영역 결정화방법

  • 기술번호 : KST2015140905
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조에서의 채널 영역의 균일한 결정화 방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 각 TFT 소자마다 일정한 전류밀도가 적용될 수 있도록 배선 구조를 설계함으로써, 각 TFT 채널 영역의 균일한 결정화를 통해 비슷한 TFT 특성을 얻고 이를 저온 다결성 실리콘 TFT-LCD 및 OLED에 적용할 수 있는 트랜지스터 채널 영역의 균일한 결정화 방법에 관한 것이다. 이를 위해,FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조에서의 채널 영역의 균일한 결정화 방법에 있어서, 각 TFT 소자에 소스 전극을 공통으로 연결하고, 각 TFT 소자에 드레인 전극을 공통으로 연결한 후, 상기 공통 소스 전극과 공통 드레인 전극의 위치를 서로 반대되게 배치하는 것을 특징으로 하는 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판 제조에서의 채널 영역의 균일한 결정화 방법을 제공한다.다결정 실리콘, TFT-LCD, 결정화도, 배선구조, 전계인가, 열처리, 전계 유도 방향성 결정화, FALC, OLED, 트랜지스터, 공통전극.
Int. CL G02F 1/136 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 27/1274(2013.01) H01L 27/1274(2013.01) H01L 27/1274(2013.01)
출원번호/일자 1020070086885 (2007.08.29)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0876396-0000 (2008.12.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070075532   |   2007.07.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.08.29)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최덕균 대한민국 서울 성동구
2 김영배 대한민국 서울 성동구
3 김명호 대한민국 서울 성동구
4 정재훈 대한민국 서울 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임승섭 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0628503-50
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0026004-60
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2008-0024141-13
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0226769-40
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0463149-54
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0463127-50
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0553476-59
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
채널 영역이 비정질 실리콘으로 이루어진 복수의 TFT 소자가 행 및 열로 배열된 TFT 어레이 기판을 준비하는 단계;상기 TFT 어레이 기판의 동일한 열에 배열되어 있는 TFT 소자의 소스 전극이 공유되도록 상기 소스 전극을 열의 배열 방향을 따라 상하 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성하고, 상기 각 열에 형성된 소스 전극의 양단부 중 상측에 위치한 일단부를 연결하여 행의 배열 방향을 따라 좌우 방향으로 길게 뻗은 공통 소스 전극을 형성하는 단계;상기 TFT 어레이 기판의 동일한 열에 배열되어 있는 TFT 소자의 드레인 전극이 공유되도록 상기 드레인 전극을 상기 소스 전극의 형성방향과 평행한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성하고, 상기 각 열에 형성된 드레인 전극의 양단부 중 하측에 위치한 일단부를 연결하여 상기 공통 소스 전극의 방향과 평행한 방향으로 길게 뻗은 공통 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 공통 소스 전극의 양단부 중 좌측에 위치한 일단부에 제1전압인가단자가 형성되도록 배선하고, 상기 공통 드레인 전극의 양단부 중 우측에 위치한 일단부에 제2전압인가단자가 형성되도록 배선하는 단계; 및상기 제1전압인가단자 및 상기 제2전압인가단자를 통해 전압을 인가하며, 채널 영역의 비정질 실리콘을 결정화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT 어레이 기판 제조에서의 채널 영역 결정화방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1전압인가단자와 상기 제2전압인가단자는 상기 TFT 어레이 기판의 동일 측상에 배치되도록 배선하는 것을 특징으로 하는 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT 어레이 기판 제조에서의 채널 영역 결정화방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 TFT 어레이 기판은 LCD 어레이 기판 또는 OLED 어레이 기판에 적용되는 것을 특징으로 하는 FALC 공정을 이용한 다결정 실리콘 TFT 어레이 기판 제조에서의 채널 영역 결정화방법
4 4
복수의 디스플레이 소자가 행 및 열로 배열된 디스플레이 소자 어레이를 준비하는 단계;상기 디스플레이 소자 어레이의 동일한 열에 배열되어 있는 디스플레이 소자의 소스 전극이 공유되도록 상기 소스 전극을 열의 배열 방향을 따라 상하 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성하고, 상기 각 열에 형성된 소스 전극의 양단부 중 상측에 위치한 일단부를 연결하여 행의 배열 방향을 따라 좌우 방향으로 길게 뻗은 공통 소스 전극을 형성하는 단계;상기 디스플레이 소자 어레이의 동일한 열에 배열되어 있는 디스플레이 소자의 드레인 전극이 공유되도록 상기 드레인 전극을 상기 소스 전극의 형성방향과 평행한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성하고, 상기 각 열에 형성된 드레인 전극의 양단부 중 하측에 위치한 일단부를 연결하여 상기 공통 소스 전극의 방향과 평행한 방향으로 길게 뻗은 공통 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 공통 소스 전극의 양단부 중 좌측에 위치한 일단부에 제1전압인가단자가 형성되도록 배선하고, 상기 공통 드레인 전극의 양단부 중 우측에 위치한 일단부에 제2전압인가단자가 형성되도록 배선하는 단계; 및상기 제1전압인가단자 및 상기 제2전압인가단자를 통해 상기 디스플레이 소자를 구동하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 어레이 동작 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 제1전압인가단자와 상기 제2전압인가단자는 상기 디스플레이 소자 어레이의 동일 측상에 배치되도록 배선하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 소자 어레이 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.