| 1 |
1
적어도 한 층의 나노입자계 전하트랩층을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 상기 적어도 한 층의 나노입자계 전하트랩층에 멀티 레벨의 전하들을 주입하여 멀티 비트의 데이터를 기록하는 단계를 포함하고,상기 데이터를 기록하는 단계는 상기 적어도 한 층의 나노입자계 전하트랩층에 용량 결합된 제어 게이트 전극에 멀티 레벨의 프로그램 전압들을 각 레벨의 전하들의 주입이 포화되는 시간 동안 인가하여 상기 적어도 한 층의 나노입자계 전하트랩층에 각 레벨의 전하들의 주입이 포화되도록 수행하고,상기 적어도 한 층의 나노입자계 전하트랩층에 주입된 전하들의 레벨은 상기 제어 게이트 전극에 인가된 상기 프로그램 전압의 인가 시간보다는 상기 프로그램 전압의 각 레벨에 의존하는, 나노입자계 비휘발성 메모리 소자의 멀티레벨 동작방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 멀티 레벨의 전하들의 주입이 포화되는 시간 동안 상기 비휘발성 메모리 소자의 플랫밴드 전압이 멀티 프로그램 레벨로 포화되는, 나노입자계 비휘발성 메모리 소자의 멀티레벨 동작방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 적어도 한 층의 나노입자계 전하트랩층에 주입된 멀티 레벨의 전하를 제거하여 데이터를 소거하는 단계를 더 포함하는, 나노입자계 비휘발성 메모리 소자의 멀티레벨 동작방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 데이터를 소거하는 단계는 상기 비휘발성 메모리 소자의 플랫밴드 전압이 적어도 한 소거 레벨로 포화되도록 수행하는, 나노입자계 비휘발성 메모리 소자의 멀티레벨 동작방법
|
| 7 |
7
복수의 층들의 나노입자계 전하트랩층들 및 상기 복수의 층들의 나노입자계 전하트랩층들에 용량 결합된 제어 게이트 전극을 포함하는 나노입자계 비휘발성 메모리 소자를 이용한 것으로서,상기 제어 게이트 전극에 멀티 레벨의 프로그램 전압을 인가하여, 상기 복수의 층들의 나노입자계 전하트랩층들에 멀티 레벨의 전하들을 주입하여 멀티 비트의 데이터를 기록하는 단계를 포함하고,상기 멀티 비트의 데이터를 기록하는 단계는 각 레벨의 프로그램 전압에 따라서 상기 복수의 층들의 나노입자계 전하트랩층들에 각 레벨의 전하들의 주입이 포화되는 시간 동안 수행하고,상기 복수의 층들의 나노입자계 전하트랩층들에 주입된 전하들의 각 레벨은 상기 프로그램 전압의 인가 시간보다는 상기 프로그램 전압의 각 레벨에 의존하는, 나노입자계 비휘발성 메모리 소자의 멀티레벨 동작방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서, 각 레벨의 전하들의 주입이 포화되는 시간 동안 상기 비휘발성 메모리 소자의 플랫밴드 전압이 적어도 한 프로그램 레벨로 포화되는, 나노입자계 비휘발성 메모리 소자의 멀티레벨 동작방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
