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다공성 구조를 가지는 전사 물질의 패턴 형성 방법

기술번호 : KST2015201569
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본원은 다공성 구조를 가지는 전사 물질의 패턴 형성 방법에 관한 것으로써,몰드에 전사 물질을 흡착하는 단계; 기재에 용액을 도포하는 단계; 상기 몰드에 흡착된 전사 물질과 상기 기재에 도포된 용액을 접촉시켜 상기 용액이 상기 몰드에 흡수됨으로써 상기 몰드의 팽창이 일어나는 단계; 및, 상기 몰드의 전사 물질이 상기 기재에 흡착하는 단계를 포함한다.
Int. CL	H01L 21/027 (2006.01)
CPC	H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자	1020130014498 (2013.02.08)
출원인	국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0101497 (2014.08.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.06.12)
심사청구항수	13

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	국민대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 성북구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이재갑	대한민국	서울특별시 강남구
2	양기열	대한민국	서울 광진구
3	정대균	대한민국	서울 성북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2013-0120766-77
2	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.06.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0548560-29
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2014.06.12	수리 (Accepted)	1-1-2014-0548561-75
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.12.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.01.09	수리 (Accepted)	9-1-2015-0003321-30
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.06.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0377801-53
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.08.04	수리 (Accepted)	1-1-2015-0755853-36
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.08.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0755854-82
9	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2015.11.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0814610-13
10	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2015.12.24	보정각하 (Rejection of amendment)	1-1-2015-1268303-81
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.12.24	수리 (Accepted)	1-1-2015-1268281-64
12	보정각하결정서 Decision of Rejection for Amendment	2016.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0078491-46
13	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2016.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0079249-82
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.03.14	수리 (Accepted)	4-1-2016-5032192-73

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 몰드에 전사 물질을 흡착하는 단계;기재에 용액을 도포하는 단계;상기 몰드에 흡착된 전사 물질과 상기 기재에 도포된 용액을 접촉시켜 상기 용액이 상기 몰드에 흡수됨으로써 상기 몰드의 팽창이 일어나는 단계; 및상기 몰드의 전사 물질이 상기 기재에 흡착하는 단계를 포함하는, 선택적 패턴 형성 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 기재는 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리머 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는, 선택적 패턴 형성 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 몰드는 고분자 몰드 또는 강성 기재의 표면을 플렉서블한 고분자 물질로 코팅한 몰드를 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 고분자는 PDMS (polydimethylsiloxane), 폴리우레탄 (polyurethane), 폴리이미드 (polyimides) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 전사 물질은 다공성 구조를 형성하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 전사 물질은 금속 또는 세라믹 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 전사물질은 박막, 분말, 나노튜브, 나노파티클 및 콜로이드 형태인 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 전사 물질의 흡착은 스핀코팅법, 딥핑코팅법, PVD (physical vapor deposition) 또는 CVD (chemical vapor depositon) 방식을 이용하여 수행되는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 용액은 용매와 탈산화제를 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
10	10 제 8 항에 있어서,상기 용매는 에틸알코올, 메틸알코올, 물 또는 톨루엔 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
11	11 제 8 항에 있어서,상기 탈산화제는 N2H5, Na2SO3, 탄닌산 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
12	12 제 1 항에 있어서,상기 용액의 도포는 스핀 코팅법, 롤 코팅법, 딥핑 코팅법 또는 플로우 코팅법에 의해 수행되는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
13	13 제 1항에 있어서,상기 용액이 상기 몰드에 흡수되는 현상은 모세관 현상을 이용하여 수행되는 것인, 선택적 패턴 형성 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	국민대학교산학협력단	선도연구센터육성사업	자기조립소재공정연구센터

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.02.08	수리 (Accepted)	1-1-2013-0120766-77
2	[명세서등 보정]보정서	2014.06.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0548560-29
3	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2014.06.12	수리 (Accepted)	1-1-2014-0548561-75
4	선행기술조사의뢰서	2014.12.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2015.01.09	수리 (Accepted)	9-1-2015-0003321-30
6	의견제출통지서	2015.06.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0377801-53
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.08.04	수리 (Accepted)	1-1-2015-0755853-36
8	[명세서등 보정]보정서	2015.08.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0755854-82
9	거절결정서	2015.11.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0814610-13
10	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2015.12.24	보정각하 (Rejection of amendment)	1-1-2015-1268303-81
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.12.24	수리 (Accepted)	1-1-2015-1268281-64
12	보정각하결정서	2016.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0078491-46
13	거절결정서	2016.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0079249-82
14	출원인정보변경(경정)신고서	2016.03.14	수리 (Accepted)	4-1-2016-5032192-73


과제고유번호	1345170052
세부과제번호	2008-0060670
연구과제명	자기조립소재 특성분석 및 응용 소자 구현 연구
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2012
연구기간	200506~201402
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345197377
세부과제번호	2005-0049407
연구과제명	자기조립소재공정연구센터
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	200506~201402
기여율	0.5
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

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