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기재에 용매 및 전사 물질을 함유한 용액을 도포하는 단계; 및,상기 기재에 도포된 용액의 표면을 패턴된 몰드와 접촉시켜, 상기 기재에 도포된 용액이 상기 패턴된 몰드의 양각 부분으로 이동하는 단계;상기 기재에 도포된 용액 중 상기 용매만이 상기 몰드에 선택적으로 흡수되어 상기 기재상에 상기 전사 물질을 잔류시키는 단계; 를 포함하며,상기 전사 물질은 상기 패턴된 몰드와 동일하게 대응되는 포지티브 패턴으로 상기 기재 상에 형성되는 것인,선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리머, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기재는 상기 전사 물질의 입자 이동이 가능한 표면 거칠기를 가지며, 상기 용매의 흡수 정도가 상기 패턴된 몰드보다 낮은 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 기재의 표면 처리를 통해 상기 용매의 흡수 정도 및 표면 거칠기를 조절하는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰드는 고분자 또는 강성 기재의 표면에 플렉서블한 고분자 물질로 코팅된 몰드를 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 5 항에 있어서,상기 고분자 몰드는 폴리디메틸실록산, 폴리우레탄, 폴리이미드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패턴된 몰드는 상기 용매의 흡수가 가능한 재질로 이루어진 몰드를 사용하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 패턴된 몰드 내부 기공의 밀도를 조절하여 상기 용매의 흡수 정도 및 속도를 조절하는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 용매 및 상기 전사 물질을 함유한 용액은 탈산화제를 추가 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 용매는 알코올, 물, 유기 용매, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전사 물질은 금속, 세라믹, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 9 항에 있어서,상기 탈산화제는 N2H5, Na2SO3, 탄닌산, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전사 물질은 분말, 나노튜브, 나노파티클, 및 콜로이드 형태를 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 13 항에 있어서,상기 전사 물질은 1 nm 내지 100 ㎛의 크기를 가지는 입자를 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전사 물질은 박막 형태를 추가 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 용액의 도포는 스핀 코팅법, 롤투롤 코팅법, 딥핑 코팅법, 또는 플로우 코팅법에 의해 수행되는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 용액이 상기 몰드에 흡수되는 것은 모세관 현상을 이용하여 수행되는 것인, 선택적 패턴 형성 방법
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