맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

자기조립 단분자막에 의하여 처리된 몰드를 이용한 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015201571
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 자기조립 단분자막에 의하여 처리된 몰드를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 기재에 포토레지스트를 도포하는 단계; 패턴된 몰드에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계; 상기 자기조립 단분자막이 형성된 몰드와 상기 포토레지스트가 도포된 기재를 가압하여 접촉하는 단계; 및, 상기 포토레지스트를 경화시키는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01) H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020130020469 (2013.02.26)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1652339-0000 (2016.08.24)
공개번호/일자 10-2014-0108394 (2014.09.11) 문서열기
공고번호/일자 (20160831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.12)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울특별시 강남구
2 이택경 대한민국 경기 고양시 일산서구
3 이치영 대한민국 서울 강북구
4 정대균 대한민국 서울 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0171347-34
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0548557-92
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0548556-46
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2015-0005887-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0878695-61
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0153528-94
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0153504-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0465377-16
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0715401-21
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.07.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0715448-66
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0604950-41
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재에 포토레지스트를 도포하는 단계;패턴된 몰드에 자기조립 단분자막을 형성하는 단계; 상기 자기조립 단분자막이 형성된 몰드와 상기 포토레지스트가 도포된 기재를 가압하여 접촉하는 단계; 및,상기 포토레지스트를 경화시키는 단계를 포함하며, 상기 접촉은 포토레지스트 임프린팅법과 상기 자기조립 단분자막과 상기 기재 간 표면 미세 접촉 인쇄법이 동시에 일어나는 것이고,상기 기재에 도포된 포토레지스트의 부피는 상기 몰드에 형성된 패턴의 음각 부분의 부피 보다 적은 것이며,상기 패턴된 몰드에 상기 자기조립 단분자막을 형성하는 단계 전에 표면의 강도를 증가시키기 위한 표면처리를 하는 단계를 추가 포함하는 것인,패턴 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기재는 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리머, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 패턴 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트는 포지티브 포토레지스트 또는 네가티브 포토레지스트를 포함하는 것인, 패턴 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트는 가열 또는 자외선 조사에 의해 경화되는 것을 포함하는 것인, 패턴 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트를 도포하는 단계는 스핀 코팅, 딥핑 코팅, 롤투롤 코팅, 플로우 코팅, 또는 스프레이 코팅법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것인, 패턴 형성 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 몰드는 고분자 몰드 또는 강성 기재에 플렉서블한 고분자 물질을 이용하여 코팅된 몰드를 포함하는 것인, 패턴 형성 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 고분자 몰드는 폴리디메틸실록산, 폴리우레탄, 폴리이미드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 패턴 형성 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 몰드의 패턴은 그 단면이 다각형, 반구형, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는, 패턴 형성 방법
11 11
삭제
12 12
제 1 항에 있어서,상기 패턴된 몰드에 상기 자기조립 단분자막을 형성하는 단계 전에 상기 표면의 강도를 증가시키기 위한 표면처리를 하는 단계를 수행한 후, 습윤성(wettabillity)을 증가시키기 위한 표면처리를 하는 단계를 추가 포함하는 것인, 패턴 형성 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 습윤성을 증가시키기 위한 표면처리는 자외선 조사 또는 상압 플라즈마 처리에 의해 수행되는 것인, 패턴 형성 방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 자기조립 단분자막을 형성하는 단계는 딥핑 코팅, 스핀 코팅, 롤투롤 코팅, 또는 기상 증착법으로 이루어진 군에서 선택되는 방법에 의해 수행되는 것인, 패턴 형성 방법
15 15
제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트가 친수성 포토레지스트인 경우 상기 자기조립 단분자막은 소수성 말단기를 가지는 자기조립 단분자막이고, 상기 포토레지스트가 소수성 포토레지스트인 경우 상기 자기조립 단분자막은 친수성 말단기를 가지는 자기조립 단분자막인, 패턴 형성 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 친수성 말단기를 가지는 자기조립 단분자막은, APS[(3-aminopropyl)trimethoxysilane], MUA(11-mercaptoundecanoic acid), DET[(3-trimethoxysilylpropyl)diethylenetriamine], EDA[N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyl trimethoxysilane], 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것이고, 상기 소수성 말단기를 가지는 자기조립 단분자막은, PFS(perfluorodecyltrichlorosilane), OTS(octadecyltrichlorosilane), OTMS(octadecyltrimethoxysilane), HDT(1-hexadecanethiol), FDTS[(heptadecafluoro-1,1,2,2,-tetrahydrodecyl)trichlorosilane], FOTS(1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltrichlorosilane-perfluorodecyltrichlorosilane), PFBT(pentafluorobenzenethiol), DDMS(dichlorodimethylsilane), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 국민대학교산학협력단 선도연구센터육성사업 자기조립소재공정연구센터