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기재에 친수성 자기조립 단분자막을 형성하여 상기 기재의 표면을 개질하는 단계 ; 패턴된 몰드를 수득하는 단계;상기 패턴된 몰드에 친수성 용매를 도포하여 상기 패턴된 몰드 표면에 친수성 용매 패턴을 형성하는 단계; 및 친수성 자기조립 단분자막이 형성된 상기 기재에 친수성 용매 패턴이 형성된 상기 몰드를 접촉시켜, 상기 몰드의 친수성 용매 패턴을 상기 기재에 전사하는 단계를 포함하는, 용매 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 쿼츠(quartz), 실리콘 웨이퍼(silicon wafer), 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리카보네이트, PET, 폴리에테르설폰 또는 폴리이미드인, 용매 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재의 표면을 개질하는 단계 전에, 상기 기재의 표면에 UV를 조사하여 상기 기재의 표면에 OH-기를 형성시키는 단계를 추가 포함하는, 용매 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 친수성 자기조립 단분자막은 APS((3-aminopropyl)trimethoxysilane), MUA(11-mercaptoundecanoic acid), DET((3-trimethoxysilylpropyl) diethylenetriamine), EDA(N-[2-aminoethyl]-3-aminopropyltrimethoxysilane) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 자기조립 단분자막을 포함하는 것인, 용매패턴의 전사방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재에 상기 친수성 자기조립 단분자막을 형성하는 것은 딥핑 코팅 (dipping coating)방법, 스핀 코팅 방법, 롤투롤 방법 또는 기상 증착방법에 의해 형성된 것인, 용매 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰드는 PDMS (polydimethylsiloxane), 폴리우레탄(polyurethane), 폴리이미드 (polyimides) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는, 용매 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 친수성 용매는 PVP(poly(4-vinylphenol)), PMF(poly(melamine-co-formaldehyde)), PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 포함하는 것인, 용매 패턴의 전사 방법
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제 1 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 친수성 용매는 기화기를 통한 표면 처리 방법, 스핀 코팅법, 롤투롤 코팅법, 스프레이 코팅법, 딥핑 코팅법 또는 플로우 코팅법 에 의해 도포되는 것인, 용매 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재와 상기 몰드를 접촉시키는 방식은 마이크로 컨택 프린팅 (micro-contact printing)방식, 임프린팅(Imprinting) 방식, 롤 투 롤(Roll to Roll)방식 또는 딥 펜 리소그라피 (Dip pen lithography) 방식에 의해 이루어지는, 용매 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패턴된 몰드의 표면에 친수화 처리가 이루어지는 것을 포함하는, 용매 패턴의 전사 방법
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제 10 항에 있어서,상기 친수화 처리는 상압 플라즈마 처리인, 용매 패턴의 전사 방법
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