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다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 반도체 소자의 금속 배선 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015201588
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법에 관한 것으로, 패턴이 형성된 기재를 준비하는 단계; 상기 패턴이 형성된 기재에 한 층 이상의 유기물층을 적층하는 단계; 및, 상기 유기물층에 금속을 흡착시켜 상기 기재의 패턴 내부를 충진하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/312 (2006.01)
CPC H01L 21/76831(2013.01) H01L 21/76831(2013.01) H01L 21/76831(2013.01)
출원번호/일자 1020130022267 (2013.02.28)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1567888-0000 (2015.11.04)
공개번호/일자 10-2014-0108809 (2014.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20151111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.12)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울특별시 강남구
2 한정석 대한민국 경북 포항시 북구
3 정대균 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0183922-14
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0548554-55
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0548555-01
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0054609-29
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0519714-76
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0903804-93
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0903803-47
9 등록결정서
Decision to grant
2015.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0761679-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
패턴이 형성된 기재를 준비하는 단계;상기 패턴이 형성된 기재에 한 층 이상의 유기물층을 적층하는 단계; 및,상기 유기물층에 금속을 흡착시켜 상기 기재의 패턴 내부를 충진하는 단계를 포함하며, 상기 한 층 이상의 유기물층은 상기 기재와 반대 성질의 전하를 갖는 유기물층과 상기 기재와 동일한 성질의 전하를 갖는 유기물층이 순서대로 적층되는 것을 포함하는 것인,다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기재는 실리콘 웨이퍼, 유리, 사파이어, 폴리머, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기재에 형성된 패턴은 수 nm 내지 수백 nm 수준의 크기를 가진 비아 홀(via hole), 수 nm 내지 수백 nm 수준의 크기를 가진 트렌치 폭, 또는 수백 nm 내지 수백 ㎛ 수준의 크기를 가진 TSV(trough silicon via) 홀을 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기재와 상기 유기물층 간의 접착력을 향상하기 위한 상기 기재의 표면 처리를 추가 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 표면 처리는 UV 조사, 플라즈마, 촉매 처리, 또는 자기조립 단분자막 처리를 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 유기물층의 적층 방법은 스핀 코팅, 딥핑 코팅, 롤투롤 코팅, 또는 플로우 코팅에 의해 수행되는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 유기물층은 PAH[poly(allylamine hydrochloride)], PEI[poly(ethyleneimine)], PDAC[poly(diallyldimethylammoniumchloride)], PVTAC[poly(4-vinylbenzyltrimethylammoniumchloride)], PSS[poly(styrenesulfonate)], PAA[poly(acrylicacid)], PVS[poly(vinylsulfonicacid)], SPS(sulfonatedpolystyrene), PEDOT[poly(3,4-ethylenedioxythiophene)], Ferritin(ferrihydritephosphate), MMF[poly(melamine-co-formaldehyde)], HMF(5-hydroxymethylfurfural), PGMEA(propyleneglycolmethyletheracetate), PVP[poly(4-vinylphenol)], 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 기재와 상기 유기물층 사이에 상기 흡착된 금속의 확산 방지를 위한 배리어 층을 추가 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 배리어 층은 금속막, 금속 질화막, 또는 금속 산화막을 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 유기물층에 상기 유기물층과 상기 흡착된 금속 간의 접착력 향상을 위한 표면 처리를 추가 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 표면 처리는 접합층의 형성, UV 조사, 플라즈마, 촉매 처리, 또는 자기조립 단분자막의 형성에 의하여 수행되는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 접합층은 금속막, 금속 질화막, 또는 금속 산화막을 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 유기물층의 안정화 온도는 상기 금속의 열처리 온도보다 높은 것을 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
15 15
제 1 항에 있어서,상기 유기물층의 두께는 열처리 후, 상기 금속이 팽창된 두께보다 두꺼운 것을 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
16 16
제 1 항에 있어서, 상기 유기물 층은 그의 표면 성질에 따라서 증착되는 물질을 선택적으로 조절하는 것을 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
17 17
제 1 항에 있어서, 상기 금속의 흡착 방법은 화학 기상 증착법(CVD), 물리 기상 증착법(PVD), 원자층 증착법(atomic layer deposition, ALD), 전해 도금법(electroplating deposition), 무전해 도금법(electroless plating deposition), 또는 복합적인 흡착법을 이용하여 수행되는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
18 18
제 1 항에 있어서,금속 배선의 전기적 특성 강화를 위한 열처리를 추가 포함하는 것인, 다층박막에 의해 형성된 팽창 흡수막을 이용한 금속 배선 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국반도체연구조합 산업융합원천기술개발사업 초미세 고신뢰성 배선기술 연구