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템플레이트층 상에 반도체 소자 형성을 위한 기판의 제조 방법으로서, 기판 위에 질화물 반도체층을 형성하고,상기 질화물 반도체층 보다 격자 상수가 크고, InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 가지는 질화물 반도체로 이루어진 양자섬을 상기 질화물 반도체층 상에 형성한 후 상기 양자섬의 캐핑(capping)을 위한 질화물 반도체층을 형성하고, 상기 캐핑을 위한 질화물 반도체층 위로 질화물 반도체층을 재성장하여 템플레이트층을 형성하되, 상기 양자섬 형성 전의 상기 질화물 반도체층에 발생한 결정 결함 부위에 상기 양자섬이 형성되어 그 위로 상기 결정 결함의 진행을 차단시키기 위한 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자섬의 형성을 위하여 반응기에 공급하는 5족 원소를 포함하는 가스와 3족 원소를 포함하는 가스의 비율에 따라 상기 양자섬의 직경이 10~1000nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 5족 원소를 포함하는 가스와 3족 원소를 포함하는 가스의 비율이 5000:1 ~ 15000:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자섬의 형성을 위하여 반응기의 온도 범위는 450~650℃, 시간은 10~600초, 또는 반응기 내의 가스 압력은 100~600(torr)인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 캐핑을 위한 질화물 반도체층 형성을 위하여 반응기 내에 캐리어 가스로서 N2가스가 공급되고, 상기 캐핑을 위한 질화물 반도체층 형성 전 후의 질화물 반도체층들의 형성 시에는 반응기 내에 캐리어 가스로서 H2가스 또는 N2 가스 가 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자섬의 형성과 상기 캐핑을 위한 질화물 반도체층 형성은 같은 온도 에서 인시추(In-situ)로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 양자섬 형성 전후의 질화물 반도체층들은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)층, 무도핑 GaN층, n형 도핑된GaN층, 또는 p형 도핑된 GaN층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판, SiC기판, 또는 Si기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판이 사파이어 기판인 경우에, 기판의 결정면이 C-면, A-면, M-면, 또는 R-면 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,재성장된 상기 질화물 반도체층이 1㎛~ 10 mm두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 소자는 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 광검출 소자 또는 태양 전지를 포함하는 광소자 또는 트랜지스터를 포함하는 전자 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제조 방법이 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 또는 MOCVD(Metal-organic chemical vapor depositon) 장비에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 기판의 제조 방법
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