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알루미늄 기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층을 선택적으로 제거하는 단계;상기 선택적으로 제거된 절연층 상에 p타입 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘층을 열처리하여 다결정 실리콘층 및 p+ 이미터를 형성하는 단계; 및상기 다결정 실리콘층 상에 i층 비정질 실리콘층, n층 비정질 실리콘층 및 투명전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 알루미늄 기판을 이용한 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연층은 산화알루미늄막(Al2O3), 산화규소막(SiOx) 및 질화규소막(SiNx) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 알루미늄 기판을 이용한 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 산화알루미늄막은 알루미늄 기판을 중성 수용액 중에서 전기화학적으로 양극 산화시켜 0
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제2항에 있어서,상기 산화규소막 또는 질화규소막은 스퍼터링법, 전자빔증착법, 열증착법, 레이저분자빔증착 및 펄스레이저증착법 중에서 선택된 어느 하나의 물리적 증착법 또는 화학기상증착법을 이용하여 0
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제1항에 있어서,상기 절연층을 선택적으로 제거하는 단계에서, 상기 절연층 표면에 세라믹 파우더를 사용한 습식 분사(wet blasting), 레이저 및 플라즈마 중에서 선택된 방법으로 기계적 충격을 가해 절연층을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 기판을 이용한 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 다결정 실리콘층 및 p+ 이미터를 형성하는 단계 이후에, 다결정 실리콘층 표면을 수소 패시베이션 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 기판을 이용한 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 p타입 비정질 실리콘층, i층 비정질 실리콘층 및 n층 비정질 실리콘층은 저온 화학기상증착법 또는 열선 화학기상증착법(HWCVD)을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 기판을 이용한 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 비정질 실리콘층은 수소화 비정질 실리콘층, 수소화 다결정 실리콘층 및 수소화 나노결정 실리콘층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 알루미늄 기판을 이용한 결정질 실리콘 태양전지의 제조방법
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알루미늄 기판;상기 알루미늄 기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층 상부에 형성된 p층 다결정 실리콘층;상기 알루미늄 기판과 상기 p층 다결정 실리콘 계면 사이의 영역에서 절연층이 선택적으로 제거된 부분에 형성된 p+ 이미터; 상기 p층 다결정 실리콘층 상에 형성된 i층 비정실 실리콘층;상기 i층 수소화 비정질 실리콘층 상에 형성된 n층 비정질 실리콘층; 및상기 n층 수소화 비정질 실리콘층 상에 형성된 투명전극을 포함하는 알루미늄 기판을 이용한 결정질 실리콘 태양전지
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제9항에 있어서,상기 절연층은 산화알루미늄막(Al2O3), 산화규소막(SiOx) 및 질화규소막(SiNx) 중에서 선택된 어느 하나이며, 두께는 0
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제9항에 있어서,상기 비정질 실리콘층은 수소화 비정질 실리콘층, 수소화 다결정 실리콘층 및 수소화 나노결정 실리콘층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 알루미늄 기판을 이용한 결정질 실리콘 태양전지
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