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알루미늄 나이트라이드의 표면 개질 방법

  • 기술번호 : KST2015219201
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 알루미늄 나이트라이드의 표면 개질 방법에 관한 것으로서, 산소 분압을 조절하기 위하여 H2, H2O 기체를 소정 비율로 혼합한 분위기 기체를 반응기의 일방향으로 공급하고, 상기 분위기 기체의 흐름 방향을 고려하여, 실리콘 공급원을 알루미늄 나이트라이드의 상류에 위치시키고, 상기 반응기를 1300∼1500℃ 온도 범위에서 1시간 이상 유지시킴에 의하여, 상기 분위기 기체와 실리콘 공급원이 반응하여 생성된 SiOx 기체가 알루미늄 나이트라이드의 표면에 증착되도록 하는 것임을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 알루미늄 나이트라이드의 표면 개질 방법은 간단한 공정으로 알루미늄 나이트라이드의 표면에 치밀한 실리카층을 형성하여, 형성된 실리카층에 의한 균열 둔화로부터의 강도 증진, 고온에서의 산화 거동 방지 및 고온에서의 강도 유지 등의 장점이 있다.
Int. CL C23C 14/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990021995 (1999.06.14)
출원인 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단
등록번호/일자 10-0300850-0000 (2001.06.20)
공개번호/일자 10-2001-0002267 (2001.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.06.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현이 대한민국 서울특별시서초구
2 고영학 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.06.14 수리 (Accepted) 1-1-1999-0060841-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.22 수리 (Accepted) 4-1-1999-0121239-56
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.12.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5413689-95
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.04.06 수리 (Accepted) 9-1-2001-0004585-50
6 등록사정서
Decision to grant		 2001.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0134183-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-0006483-95
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번호 청구항
1 1

산소 분압을 조절하기 위하여 H2, H2O 기체를 소정 비율로 혼합한 분위기 기체를 반응기의 일방향으로 공급하고,

상기 분위기 기체의 흐름 방향을 고려하여, 실리콘 공급원을 알루미늄 나이트라이드의 상류에 위치시키고,

상기 반응기를 1300∼1500℃ 온도 범위에서 1시간 이상 유지시킴에 의하여,

상기 분위기 기체와 실리콘 공급원이 반응하여 생성된 SiOx 기체가 알루미늄 나이트라이드의 표면에 증착되도록 하는 것임을 특징으로 하는 알루미늄 나이트라이드의 표면 개질 방법

2 2

제1항에 있어서,

H2, H2O의 혼합 기체인 상기 분위기 기체에서 H2O가 적어도 0

3 3

제1항에 있어서,

상기 실리콘 공급원으로서 SiC, Si3N4, Si, Sialon, SiO2 중 선택된 어느 하나 또는 그 혼합물을 사용하는 것임을 특징으로 하는 알루미늄 나이트라이드의 표면 개질 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP13019575 JP 일본 FAMILY
2 JP13354486 JP 일본 FAMILY
3 US06423373 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2001019575 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2001354486 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US6423373 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.