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저전력형TTL-TO-CMOS 변환기

  • 기술번호 : KST2015219228
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 TTL-to-CMOS 변환기는 입력단자로부터 게이트 입력을 받아 출력단자를 충전 또는 방전시키는 n-MOS 트랜지스터 M1와 p-MOS 트랜지스터 M2로 구성된 출력단자구동부(1)와; 게이트가 상기입력단자에 연결되고 드레인 접지된 트랜지스터 M3와, 공급전압(VDD)이 게이트입력되고 소오스가 상기 트랜지스터 M3의 소오스와 연결되며 드레인이 상기 트랜지스터 M2의 게이트에 연결된 트랜지스터 M4로 구성되어 입력전압(Vin)이 낮을 때 상기 트랜지스터 M2의 게이트를 방전시키는 게이트방전부(2)와; 상기 출력단자가 게이트에 연결되고 드레인이 장기 트랜지스터 M2의 게이트에 연결되어 출력전압(Vout)을 되먹임시키는 트랜지스터 M5로 구성되어, 정적상태에서의 전력소모가 적을뿐아나라 입력전압(Vin)이 증가할 때와 감소할 때 서로 다른 논리문턱전압을 가지게 할 수 있어 잡음의 영향을 최소화시킬 수 있다.
Int. CL H03K 19/00 (2006.01)
CPC H03K 19/0948(2013.01) H03K 19/0948(2013.01)
출원번호/일자 1019930028116 (1993.12.16)
출원인 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단
등록번호/일자 10-0122092-0000 (1997.09.02)
공개번호/일자 10-1995-0021988 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (19971205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.16)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김원찬 대한민국 서울특별시송파구
2 유창식 대한민국 대전직할시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문창화 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 나이스 국제특허법률사무소 (서초동, 명지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1993-0141463-70
2 특허출원서
Patent Application		 1993.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1993-0141462-24
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1993-0141464-15
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.11.25 수리 (Accepted) 1-1-1993-0141465-61
5 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0066637-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.22 수리 (Accepted) 4-1-1999-0121239-56
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-0006483-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

입력단자로부터 게이트 입력을 받아 출력단자를 방전시키는 n-MOS 트랜지스터 M1과 출력단자를 충전시키는 p-MOS 트랜지스터 M2로 구성된 출력단자구동부(1)와; 게이트가 상기 입력단자에 연결되고 드레인 접지된 트랜지스터 M3과, 공급전압(VDD)이 게이트입력되고 소오스가 상기 트랜지스터 M3의 소오스와 연결되며 드레인이 상기 트랜지스터 M2의 게이트에 연결된 트랜지스터 M4로 구성되어 입력전압(Vin)이 낮을 때 상기 트랜지스터 M2의 게이트를 방전시키는 게이트방전부(2)와; 상기 출력단자가 게이트에 연결되고 드레인이 상기 트랜지스터 M2의 게이트에 연결되어 출력전압(Vout)을 되먹임시키는 트랜지스터 M5로 구성된 정적상태에서의 전력소모가 없는 TTL-to-CMOS 변환기

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제1항에 있어서, 입력전압(Vin)이 증가할 때의 논리문턱전압(VHL)과 입력전압(Vin)이 감소할 때의 논리문턱전압(VLH)이 서로 다르게 구성된 것을 특징으로 하는 정적상태에서의 전력소모가 없는 TTL-to-CMOS 변환기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.