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고속도강에 질화티타늄 피막을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015219253
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학증착법으로 고속도강 기판에 TiN 피막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 증착전 일련의 열처리 공정을 생략한 고속도강 기판에 950 ~ 1250℃의 온도범위에서 TiN 피막을 증착한 후 N2 또는 Ar 가스분위기에서 가스소입(燒入)하는 것을 특징으로 하는 TiN 피막의 형성방법이 제공된다.이와같은 본 발명에 따르면, 기판경도와 기판과 TiN 피막 사이의 접착력이 우수할 뿐만 아니라 증착전에 고속도강 기판에 가해지는 일련의 열처리 과정을 생략할 수 있어 산업적으로 매우 유용한 발명이다.화학증착, TiN, 고속도강, 접착력, 고온증착, 가스소입(燒入)
Int. CL C23C 16/34 (2006.01)
CPC C23C 16/34(2013.01) C23C 16/34(2013.01)
출원번호/일자 1019990006486 (1999.02.26)
출원인 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단
등록번호/일자 10-0326772-0000 (2002.02.19)
공개번호/일자 10-2000-0056809 (2000.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.02.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이인희 대한민국 서울특별시관악구
2 이정중 대한민국 서울특별시양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재화 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 이재화특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.02.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-0015636-12
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 1999.02.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-5094914-24
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.22 수리 (Accepted) 4-1-1999-0121239-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0309002-33
5 의견서
Written Opinion		 2000.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2000-0260263-14
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.12.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-0260266-40
7 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0325389-96
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-0006483-95
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번호 청구항
1 1

화학증착법으로 고속도강 기판에 TiN 피막을 형성하는 방법에 있어서, 증착전 일련의 열처리 공정을 수행하지 않은 고속도강 기판을 사용하여 950 ~ 1250℃의 온도범위에서 TiN 피막을 증착한 후 가스소입하는 것을 특징으로 하는 TiN 피막의 형성방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 가스소입 후 500 ~ 600℃의 온도범위에서 30∼60분 유지하는 템퍼링 열처리를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 TiN 피막의 형성방법

3 3

제 1항에 있어서,상기 가스소입은 N2 또는 Ar 가스분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 TiN 피막의 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.