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주름 구조 박막, 주름 구조 박막의 제조 방법 및 주름 구조 박막을 이용한 박막 트랜스듀서

  • 기술번호 : KST2016001226
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막을 이용한 트랜스듀서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 박막에 주름 구조(corrugation) 패턴을 형성하여 외부의 노이즈를 줄이고, 감도를 향상시키기 위한 주름 박막 구조를 가진 트랜스듀서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 14/08 (2006.01.01) C23C 14/02 (2006.01.01) C23C 16/34 (2006.01.01) C23F 1/02 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01)
CPC C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01)
출원번호/일자 1020100089424 (2010.09.13)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1185247-0000 (2012.09.17)
공개번호/일자 10-2012-0027686 (2012.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20120921) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.13)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 최준규 대한민국 서울특별시 관악구
3 권용주 대한민국 서울특별시 관악구
4 김윤호 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0593086-95
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0085248-51
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0621382-07
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0621381-51
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0621386-89
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0068922-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0275481-62
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0520462-39
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0520461-94
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0538515-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 식각 공정을 통해 요철부를 형성하는 단계와,상기 기판에 산화막(oxidation layer)을 형성하는 단계와,상기 산화막을 제거하고, 질화막을 증착하는 단계와,상기 기판을 제거하는 단계를 포함하는,주름 구조 박막의 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 기판을 제거하기 전에, 상기 질화막에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는,주름 구조 박막의 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 금속층은 Cr 층과 Au 층으로 구성되고, 금속 스퍼터(metal sputter) 방식을 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는,주름 구조 박막의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
기판에 식각 공정을 통해 요철부를 형성하는 단계와,상기 기판에 산화막(oxidation layer)을 형성하면서 상기 요철부의 모서리를 경사지게 하는 단계와,상기 산화막을 제거하고, 질화막을 증착하는 단계와,상기 질화막의 상부에 유전층(dielectric layer)을 형성하는 단계와,상기 기판의 일부를 제거하여 박막으로 사용될 상기 질화막을 노출시키는 단계와,상기 유전층의 일부를 제거하여 박막으로 사용될 상기 질화막을 노출시키는 단계를 포함하는,주름 구조 박막의 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 유전층은 실리콘 옥사이드(SiO2)로 구성된,주름 구조 박막의 제조 방법
7 7
청구항 5에 있어서,상기 질화막에 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는,주름 구조 박막의 제조 방법
8 8
청구항 1 또는 청구항 5의 방법에 의하여 제조되고, 박막 트랜스듀서의 박막으로 사용되는, 주름 구조 박막
9 9
기판과, 기판과 이격되어 형성되고 생체분자의 결합을 위한 표면처리가 되어 있는 박막과, 상기 기판에 제공되는 하부 전극(low electrode)과, 상기 박막에 제공되는 상부 전극(top electrode)을 포함하고, 상기 박막에 결합되는 생체분자 등의 작용력에 의해 상기 박막의 변위가 변화하고, 이로 인한 상기 하부 전극과 상기 상부 전극 간의 정전용량(capacitance)의 변화를 측정하는 박막 트랜스듀서이고,상기 박막은 주름(corrugation) 패턴을 가진 질화물(silicon nitride)로 구성된,주름 구조 박막을 이용한 박막 트랜스듀서
10 10
청구항 9에 있어서,상기 박막의 주름 패턴의 모서리는 경사지게 형성된,주름 구조 박막을 이용한 박막 트랜스듀서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 서울대학교 산학협력단 미래유망 융합기술 파이오니아사업 CMOS 분자 이미지 프로세서 개발 융합연구단 나노박막을 이용한 화학기계변환시스템 개발